鎧俠發(fā)布Twin BiCS新技術(shù) PLC閃存越來越近了

作為NADN閃存技術(shù)的發(fā)明者，鎧俠（原來的東芝存儲）在新一代閃存研發(fā)上再次甩開對手，率先推出了Twin BiCS FLASH閃存技術(shù)，有望成為PLC閃存的最佳搭檔。

隨著3D閃存以及TLC、QLC閃存的普及，大容量SSD硬盤已經(jīng)成為被桌面、筆記本及數(shù)據(jù)中心市場廣為接受。為了進一步提高SSD容量、降低成本，閃存廠商開始推100+層堆棧的3D閃存，但是層數(shù)越多，制造難度也會增加，而且還要在每個單元內(nèi)容納更多的存儲電位，挑戰(zhàn)很大。

鎧俠推出的Twin BiCS閃存是全球首個3D半圓形分裂浮柵極閃存單元，從這個比較拗口的專業(yè)名詞中可以看出它使用的技術(shù)主要有半圓形、分裂、浮柵極，簡單來說就是將傳統(tǒng)的浮柵極分裂為兩個對稱的半圓形柵極，利用曲率效應提高閃存P/E編程/擦除過程中的性能。

Twin BiCS閃存的P/E操作性能對比

雖然新型閃存中也有BiCS的字樣，但是現(xiàn)在的BiCS閃存是基于CTP電荷捕捉原理的，在進入3D閃存時代之后，幾乎所有閃存廠商都轉(zhuǎn)向了制造更簡單的CTP技術(shù)而放棄了FG浮柵極技術(shù)，最后堅持的兩家廠商中—;—;美光在96層閃存之后也會放棄浮柵極技術(shù)，只有Intel還在堅持FG浮柵極技術(shù)，后者性能、可靠性更好，但是制造工藝復雜。

鎧俠的Twin BiCS閃存技術(shù)現(xiàn)在又回到了浮柵極技術(shù)路線上來了，未來有可能改變?nèi)蜷W存技術(shù)的走向。

對于Twin BiCS閃存技術(shù)來說，優(yōu)點還有一個，那就是分裂浮柵極減少了物理尺寸，使得使得同樣的單元里可以容納更多的電位—;—;直白點說就是，Twin BiCS閃存也給QLC之后的PLC閃存鋪平了道路。