臺(tái)積電2020年開(kāi)支最多160億美元 擴(kuò)增7/5/3nm工藝

1月16日，臺(tái)積電公司在2019年度Q4季度說(shuō)法會(huì)上表示，Q4季度營(yíng)收為103.9億美元，季增10.6%，年增10.6%，全年?duì)I收達(dá)346.32億美元，年增3.7%，稅后純了利潤(rùn)為111.75億美元，年減1.7%。

對(duì)于今年Q1季度，臺(tái)積電預(yù)測(cè)營(yíng)收為102到103億美元，環(huán)比下滑0.8%到1.8%之間。即便如此，臺(tái)積電全年依然會(huì)保持較高的資本支出，在去年提升到140-150億美元的基礎(chǔ)上，2020年的資本支出將增加到150-160億美元，創(chuàng)新近年來(lái)的記錄新高。

在臺(tái)積電的開(kāi)支中，80%的開(kāi)支會(huì)用于先進(jìn)產(chǎn)能擴(kuò)增，包括7nm、5nm及3nm，另外20%主要用于先進(jìn)封裝及特殊制程。

根據(jù)臺(tái)積電的規(guī)劃，7nm工藝的需求繼續(xù)增加中，今年?duì)I收占比將提升到30%，6nm工藝會(huì)在Q1季度風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)，5nm工藝今年上半年試產(chǎn)，產(chǎn)能會(huì)迅速增加—;—;之前報(bào)道稱臺(tái)積電半年的5nm上半年產(chǎn)能是1萬(wàn)片晶圓/月，下半年會(huì)增加到7-8萬(wàn)片晶圓/月，主要是給蘋(píng)果、海思的下一代處理器用。

3nm工藝方面，臺(tái)積電目前并沒(méi)有公布其3nm工藝技術(shù)是否會(huì)堅(jiān)持FinFET還是跟三星一樣換用GAA晶體管，臺(tái)積電只表示已經(jīng)找到了3nm技術(shù)路線，目前研發(fā)進(jìn)展順利。

按照之前的計(jì)劃，臺(tái)積電將在2020年正式啟動(dòng)3nm晶圓廠的建設(shè)，此前的土地申請(qǐng)、環(huán)評(píng)等工作已經(jīng)完成，整個(gè)建設(shè)計(jì)劃投資高達(dá)195億美元。