Vishay推出采用PowerPAK? 1212 8S封裝的-30 V P溝道MOSFET，RDS(ON)達(dá)到業(yè)內(nèi)最低水平，提高功率密度，降低便攜式電子設(shè)備功耗

時(shí)間：2020-02-11 16:24:52

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[導(dǎo)讀]器件占位面積10.89 mm2，RDS（ON）降至3.5 m?，F(xiàn)OM降至172 m?*nC，均為業(yè)內(nèi)最佳水平

賓夕法尼亞、MALVERN—2020年2月11日 —日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出新型-30 V p溝道TrenchFET^?第四代功率MOSFET---SiSS05DN，器件采用熱增強(qiáng)型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK^? 1212-8S封裝，10 V條件下導(dǎo)通電阻達(dá)到業(yè)內(nèi)最低的3.5 mW。于此同時(shí)，導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積，即MOSFET在開關(guān)應(yīng)用的重要優(yōu)值系數(shù)（FOM）為172 mW*nC，達(dá)到同類產(chǎn)品最佳水平。節(jié)省空間的Vishay Siliconix SiSS05DN專門用來提高功率密度，占位面積比采用6mm x 5mm封裝的相似導(dǎo)通電阻器件減小65 %。

日前發(fā)布的MOSFET導(dǎo)通電阻比上一代解決方案低26 %，比市場(chǎng)上排名第二的產(chǎn)品低35 %，而FOM比緊隨其后的競(jìng)爭(zhēng)器件低15 %。這些業(yè)內(nèi)最佳值降低了導(dǎo)通和開關(guān)損耗，從而節(jié)省能源并延長(zhǎng)便攜式電子設(shè)備的電池使用壽命，同時(shí)最大限度降低整個(gè)電源路徑的壓降，以防誤觸發(fā)。器件緊湊的外形便于安裝在PCB面積有限的設(shè)計(jì)中。

行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)面積尺寸的SiSS05DN可直接替代升級(jí)5 V至20 V輸入電源應(yīng)用中的現(xiàn)有器件。該MOSFET適用于適配器和負(fù)載開關(guān)、反向極性保護(hù)、電池供電設(shè)備電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制、電池充電器、消費(fèi)類電子、計(jì)算機(jī)、電信設(shè)備等。

器件經(jīng)過100 % R_G和UIS測(cè)試，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，無鹵素。

SiSS05DN現(xiàn)可提供樣品并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，供貨周期為12周，視市場(chǎng)情況而定。