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[導(dǎo)讀]一、ARM Cortex-A50支持大小核架構(gòu) 64位處理器加速到來移動設(shè)備視覺應(yīng)用不斷翻新,使得制造商對于處理器運(yùn)算效能的要求愈來愈高,同時(shí)還須兼具低耗電量特性,因此ARM公司開發(fā)出新一代Cortex-A50系列處理器核心,支持

一、ARM Cortex-A50支持大小核架構(gòu) 64位處理器加速到來

移動設(shè)備視覺應(yīng)用不斷翻新,使得制造商對于處理器運(yùn)算效能的要求愈來愈高,同時(shí)還須兼具低耗電量特性,因此ARM公司開發(fā)出新一代Cortex-A50系列處理器核心,支持大小核(big.LITTLE)設(shè)計(jì)架構(gòu),可讓晶片商開發(fā)出兼顧高運(yùn)算效能與低耗電量的64位元應(yīng)用處理器,達(dá)到效能與功耗兼顧的目的。2014年采用Cortex-A50系列核心的處理器將會陸續(xù)登場。

另一方面,在未來64位元架構(gòu)處理器競相出籠后,雙核心處理器市場是否會逐步受到擠壓與沖擊也已引發(fā)市場關(guān)注。ARM認(rèn)為,市場需要差異化的處理器方案,以迎合低階至高階市場對于處理效能的要求,因此未來64位元架構(gòu)處理器與雙核心處理器將會在不同市場并存。

21ic新聞大爆炸:ARM Cortex-A50支持大小核架構(gòu) 64位處理器加速到來

21ic編輯視點(diǎn):早在2012年ARM就發(fā)布了64位的Cortex-A50系列,包括Cortex-A57和Cortex-A53核心,運(yùn)算速度和安全功能都有了。新的大小核(big.LITTLE)架構(gòu),讓Cortex-A50兼顧性能與功能的同時(shí)能耗更低,進(jìn)而吸引更多移動設(shè)備廠商采用。明年將是64位Cortex-A50處理器騰飛的一年。

二、我國急需中國特色SoC或SiP產(chǎn)品路線圖

迄今為止,我國集成電路產(chǎn)業(yè)定位不明確,粗放的跟蹤式發(fā)展模式,造成我國IT和IC兩大產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新乏力,技術(shù)遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后。為了解決這一局面,我國集成電路產(chǎn)業(yè)應(yīng)將數(shù)字模擬混合電路(SoC或SiP)技術(shù)、新市場應(yīng)用的完整解決方案平臺工具技術(shù)及其產(chǎn)業(yè)化作為基本定位,以此作為產(chǎn)業(yè)跨越式發(fā)展的根本切入點(diǎn)。

基于此,如果在新興市場,憑借國家的01、02和03等“核高基”重大專項(xiàng)和各級政府設(shè)立的重點(diǎn)工程,集聚國內(nèi)兩大產(chǎn)業(yè)“產(chǎn)學(xué)研用”的專家智慧,共同規(guī)劃、制定和部署具有中國特色、世界最先進(jìn)的數(shù)字模擬混合工藝技術(shù)及其SoC或SiP產(chǎn)品開發(fā)路線圖,必將創(chuàng)造出新的“殺手級”的數(shù)字模擬混合電路,也必將在世界集成電路產(chǎn)業(yè)占有一席之地。

21ic新聞大爆炸:ARM Cortex-A50支持大小核架構(gòu) 64位處理器加速到來

21ic編輯視點(diǎn):我國雖在整體集成電路技術(shù)方面落后于世界先進(jìn)水平,但是在數(shù)字模擬混合工藝技術(shù)上已踏入了世界先進(jìn)水平。隨著移動設(shè)備,物聯(lián)網(wǎng),大數(shù)據(jù)的興起,我國坐擁世界最大的集成電路消費(fèi)市場,如果能抓住這次機(jī)會,積極布局?jǐn)?shù)?;旌瞎に嚰夹g(shù)及其SoC或SiP產(chǎn)品開發(fā)路線,或許我國將在世界集成電路市場掌握更多話語權(quán)。

三、IC Insights預(yù)測2013年半導(dǎo)體銷售額排名

美國市場調(diào)查公司IC Insights發(fā)布了2013年半導(dǎo)體銷售額前20強(qiáng)的預(yù)測,此次預(yù)測中,前4位企業(yè)仍為英特爾、三星電子、臺積電和高通。由于DRAM市場形勢大好,2012年排在第8的海力士此次躍居第5,各大DRAM廠商的排名估計(jì)也都會上升。而日本廠商的情況則不容樂觀。按國家和地區(qū)來看,20家企業(yè)中有9家是美國企業(yè),歐洲日本和中國臺灣各有3家,韓國有2家。

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21ic編輯視點(diǎn):中國經(jīng)濟(jì)放緩、歐元區(qū)債務(wù)危機(jī)與日本經(jīng)濟(jì)衰退、給全球宏觀經(jīng)濟(jì)帶來持續(xù)不確定性,導(dǎo)致半導(dǎo)體市場疲弱的情況延續(xù)至2013年第一季。然而,半導(dǎo)體設(shè)備季營收已開始好轉(zhuǎn)。2013年及以后,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將一掃經(jīng)濟(jì)陰霾,所有地區(qū)半導(dǎo)體行業(yè)的增長率都將提高,但日本將是增長最疲弱的區(qū)域。

四、2014全球4G起飛元年 聯(lián)發(fā)科高通爭霸市場

臺灣4G標(biāo)案落幕,對于4G效益,到目前為止都還陸續(xù)有大老板放炮質(zhì)疑,不過全球發(fā)展4G已是可預(yù)見事實(shí),隨基地臺基礎(chǔ)建設(shè)陸續(xù)展開,明年可以說是全球 4G起飛元年,且隨終端裝置搭載4G規(guī)格將逐漸成為主流,各家芯片廠商無不摩拳擦掌,準(zhǔn)備透過4G大翻身。研調(diào)機(jī)構(gòu)Gartner研究副總裁洪岑維分析,明年4G LTE芯片戰(zhàn)局應(yīng)仍是“一大四小”局面,高通將穩(wěn)作龍頭地位,但聯(lián)發(fā)科等“四小”廠商緊追在后。

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21ic編輯視點(diǎn):如果說3G網(wǎng)絡(luò)提供的是一條空中的數(shù)據(jù)公路的話,4G網(wǎng)絡(luò)就是空中的數(shù)據(jù)高速公路。隨著移動設(shè)備的發(fā)展,人們對高速文件的下載和實(shí)時(shí)高清交互等應(yīng)用的需求日益凸顯,全球發(fā)展4G已經(jīng)是大勢所趨。不過,4G的發(fā)展也將面臨挑戰(zhàn),比如電信運(yùn)營商與通訊服務(wù)業(yè)者(CSP)投資與回收不成正比,資費(fèi)較高以及難以取締較成熟的3G市場等問題。隨著技術(shù)的發(fā)展,未來4G將漸成主流。

五、新3D全息技術(shù)讓醫(yī)生模擬操刀練習(xí)

一名外科醫(yī)生輕輕轉(zhuǎn)動著眼前漂浮著的一個(gè)心臟的3D全息圖,他的目光聚焦在一個(gè)瓣膜上,隨后他切開一個(gè)口子,就像在他的病人身上做的一樣。這好像是科幻電影中的場景,但虛擬影像的運(yùn)用如今確實(shí)成為了心臟專家挽救生命的現(xiàn)實(shí)幫手。這項(xiàng)技術(shù)到目前為止應(yīng)用了8次,由科技巨頭Philips 和RealView Imaging設(shè)計(jì)開發(fā)。直到現(xiàn)在,大多數(shù)計(jì)算機(jī)都只能給外科醫(yī)生提供二維圖像。這項(xiàng)技術(shù)在微創(chuàng)手術(shù)中非常有用,它正逐漸被用來修復(fù)或替換心臟瓣膜。

21ic新聞大爆炸:ARM Cortex-A50支持大小核架構(gòu) 64位處理器加速到來

21ic編輯視點(diǎn):全新的3D全息技術(shù),是醫(yī)療電子史上的一次驚人突破。只要有了這種3D全息技術(shù),醫(yī)生就不需要在腦子中想象結(jié)構(gòu),能實(shí)時(shí)看到心臟,它將漂浮在眼前。醫(yī)生們可以跟圖像無限制地接觸,可以用刀劃開它,做標(biāo)記,切割,放大,移動,四處查看,這極大的方便了醫(yī)生深入了解器官空間大小和解剖學(xué)構(gòu)造。未來醫(yī)生模擬手術(shù)研究將成為現(xiàn)實(shí)。

六、研究人員開發(fā)出整合III-V族與硅材料的3DFinFET半導(dǎo)體

英特爾(Intel)與其他公司已在嘗試結(jié)合III-V族材料(如砷化銦鎵與磷化銦)與傳統(tǒng)硅晶基板的化合物半導(dǎo)體了,但一直無法克服材料之間原子晶格難以匹配的挑戰(zhàn)?,F(xiàn)在,比利時(shí)微電子研究中心(IMEC)宣稱開發(fā)出全球首款在300mm晶圓上整合III-V族與硅晶材料的3D FinFET化合物半導(dǎo)體,透過擷取晶體缺陷的長寬比、溝槽結(jié)構(gòu)與外延制程等創(chuàng)新,能夠以砷化銦鎵與磷化銦等材料在3D FinFET上取代硅鰭,同時(shí)還能適應(yīng)8%的晶格不匹配。

IMEC的新制程目標(biāo)是希望能持續(xù)微縮CMOS 至7nm 及其以下,以及實(shí)現(xiàn)混合CMOS-RF與CMOS光電元件的化合物。其CMOS開發(fā)合作伙伴將有機(jī)會取得該制程,包括英特爾、三星、臺積電、Globalfoundries等廠商。

21ic新聞大爆炸:ARM Cortex-A50支持大小核架構(gòu) 64位處理器加速到來

21ic編輯視點(diǎn):隨著晶片微縮即將接近原子級的限制,業(yè)界致力于提高晶片性能與降低功耗的各種方法逐漸面臨瓶頸。透過為硅晶整合更高性能的材料,例如可提供更高載子速度與更高驅(qū)動電流的III-V族電晶體通道,這種新的化合物半導(dǎo)體可望超越硅晶本身性能,持續(xù)微縮至更小制程。

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