新聞大爆炸：臺(tái)積電布局芯片封裝領(lǐng)域 計(jì)劃收購(gòu)高通工廠

1、臺(tái)積電布局芯片封裝領(lǐng)域 計(jì)劃收購(gòu)高通工廠

臺(tái)積電已經(jīng)是全世界最大的半導(dǎo)體代工制造廠商，也是蘋(píng)果公司主要的芯片制造商。據(jù)報(bào)道，臺(tái)積電正在擴(kuò)大在半導(dǎo)體上下游領(lǐng)域的布局，目前正在考慮收購(gòu)美國(guó)高通公司在臺(tái)灣的一座芯片封裝測(cè)試廠。高通這座工廠位于臺(tái)灣龍?zhí)?，臺(tái)積電給出的收購(gòu)報(bào)價(jià)是幾十億新臺(tái)幣(相當(dāng)于數(shù)億美元)。

在半導(dǎo)體的制造過(guò)程中，封裝測(cè)試是最后一個(gè)環(huán)節(jié)。過(guò)去，臺(tái)積電的芯片封裝測(cè)試能力較弱，芯片完成制造之后，封裝測(cè)試一般交給臺(tái)灣的其他專業(yè)廠商，比如日月光、矽品等。如果收購(gòu)高通封裝測(cè)試廠成功，臺(tái)積電將在芯片代工業(yè)務(wù)上具備更加完整的制造能力，未來(lái)也將提高和三星電子之間的競(jìng)爭(zhēng)力，獲取蘋(píng)果、高通、聯(lián)發(fā)科等芯片公司的更多訂單。

編輯點(diǎn)評(píng)：解決最后一步，臺(tái)積電的發(fā)展意圖很明顯。

2、華為首提4.5G概念 推進(jìn)智能互聯(lián)生活

4G正在全球遍地開(kāi)花，尤其在中國(guó)這方熱土上如火如荼，而下一代移動(dòng)通信標(biāo)準(zhǔn)的爭(zhēng)奪戰(zhàn)已經(jīng)奏響。繼在5G研發(fā)排兵布陣，華為本周公開(kāi)了4.5G概念，這也是全球首家公司提出4.5G概念。從模擬時(shí)代、2G、3G一直到4G，以華為為首的中國(guó)軍團(tuán)逐步從追隨者到與國(guó)際巨頭們平起平坐。而在未來(lái)的4.5G乃至5G、6G時(shí)代，中國(guó)軍團(tuán)在通信標(biāo)準(zhǔn)制高點(diǎn)上享有越來(lái)越多的話語(yǔ)權(quán)。華為首提4.5G便是引領(lǐng)創(chuàng)新的一個(gè)注腳。

4.5G到底是一個(gè)怎樣的概念?華為無(wú)線網(wǎng)絡(luò)業(yè)務(wù)部LTE產(chǎn)品線總裁王軍表示，“4.5G是4G的演進(jìn)，仍是LTE的一部分，是4G與5G承上啟下的階段，更大容量、更低時(shí)延、更多連接數(shù)是它的三大核心能力。”隨著4K手機(jī)、電視、大屏幕pad等設(shè)備的普及以及4K片源的更加豐富，人們對(duì)于4K超高清視頻提供的沉浸式體驗(yàn)將更加渴求，而4.5G所帶來(lái)的xGbps峰值速率和隨時(shí)隨地100Mbps的用戶體驗(yàn)，將滿足大家對(duì)4K甚至8K的體驗(yàn)訴求。

而在時(shí)延方面，目前4G網(wǎng)絡(luò)端到端的時(shí)延需要50ms甚至更多，而4.5G網(wǎng)絡(luò)端到端的時(shí)延則實(shí)現(xiàn)了10ms，這意味著什么?以車聯(lián)網(wǎng)的應(yīng)用為例，4G網(wǎng)絡(luò)下車輛收到危機(jī)警告并緊急制動(dòng)后的剎車距離為1米，但在4.5G網(wǎng)絡(luò)下汽車的剎車距離僅為16厘米，這極大的保證了人與車的安全。

21ic編輯點(diǎn)評(píng)：概念很新穎，普及需努力。

3、RF射頻CMOS工藝能否取代砷化鎵工藝?

隨著移動(dòng)終端的迅速發(fā)展，類似于WIFI、LTE對(duì)射頻前端的技術(shù)要求也越來(lái)越高，越來(lái)越多的射頻元件廠商在尋找更高性價(jià)比的方案。目前，PCBA上大部分的器件都可以使用硅來(lái)制造，只有射頻部分沒(méi)有辦法使用，主流都是采用砷化鎵(GaAs)的工藝來(lái)制造。然而由于砷化鎵工藝所需要的材料比較稀缺，不管是材料成本和制造成本都比較高。

在這種情況下，業(yè)界很早就將目光投向硅，不僅因?yàn)楣璨牧先≈槐M，而且CMOS工藝也是最為成熟。如若射頻前端虛體部分也能導(dǎo)入CMOS工藝，將大幅提高LTE平臺(tái)控制界面的整合度。

然而實(shí)現(xiàn)CMOS工藝的技術(shù)難度非常大。一個(gè)是CMOS工藝對(duì)功率有要求，如果電壓功率太大會(huì)燒掉;第二個(gè)是截止頻率低的時(shí)候惰性強(qiáng)，為了提高功率需要選擇更厚的材料;第三是轉(zhuǎn)換效率不高。要滿足這三點(diǎn)需求是非常困難的。

目前包括高通、RFaxis、英飛凌等廠商都在大力推動(dòng)CMOS工藝的射頻元件。不過(guò)高通的RF360平臺(tái)目前采用的是SOI-CMOS，而RFaxis和英飛凌則采用成本更具優(yōu)勢(shì)且整合度更成熟的Bulk CMOS技術(shù)(純CMOS)。

編輯點(diǎn)評(píng)：CMOS射頻元件趨勢(shì)已成，在LTE等應(yīng)用下或?qū)⒋笠?guī)模普及。

4、英特爾CEO：展訊等中國(guó)合作伙伴將放棄ARM技術(shù)

11月12日消息，英特爾CEO科再奇(Brian Krzanich)表示，該公司在中國(guó)新的半導(dǎo)體行業(yè)合作伙伴將在幾年內(nèi)轉(zhuǎn)向英特爾架構(gòu)，不再使用當(dāng)前智能手機(jī)和平板電腦廣泛使用的ARM架構(gòu)。

市場(chǎng)領(lǐng)先的芯片廠商高通目前主要開(kāi)發(fā)基于ARM架構(gòu)的芯片，而專注于廉價(jià)市場(chǎng)的聯(lián)發(fā)科同樣使用ARM的技術(shù)?？圃倨嬷赋?，使用英特爾的架構(gòu)和制造工藝將帶來(lái)更好的性能和功能，從而幫助其他芯片廠商實(shí)現(xiàn)差異化。

英特爾今年與瑞芯微電子和展訊通信簽訂了合作協(xié)議，這些公司將使用英特爾技術(shù)，為面向中國(guó)消費(fèi)類市場(chǎng)的低成本智能手機(jī)和平板電腦開(kāi)發(fā)芯片。盡管與英特爾的協(xié)議不會(huì)影響這些中國(guó)芯片廠商繼續(xù)開(kāi)發(fā)基于ARM技術(shù)的芯片，不過(guò)，由于這兩家廠商的規(guī)模相對(duì)較小，因此從長(zhǎng)期來(lái)看可能沒(méi)有足夠資源去開(kāi)發(fā)分別基于英特爾和ARM架構(gòu)的芯片。

編輯點(diǎn)評(píng)：英特爾要想打開(kāi)移動(dòng)芯片市場(chǎng)，中國(guó)市場(chǎng)是關(guān)鍵。

5、美新型納米電池誕生：10分鐘內(nèi)充滿電

要說(shuō)當(dāng)前電子設(shè)備的最大短板是什么，估計(jì)很多人會(huì)給電池投一票，確實(shí)，在最近十幾年里，電池的性能一直沒(méi)有什么質(zhì)的提升。

現(xiàn)在，美國(guó)馬里蘭大學(xué)帶來(lái)了好消息，他們成功研發(fā)了一種全新結(jié)構(gòu)的電池，體積只有郵票大小，采用陶瓷材質(zhì)，內(nèi)部縱向排列了數(shù)以百萬(wàn)記的納米孔。每一個(gè)納米孔均內(nèi)含電解質(zhì)，兩端作為陰陽(yáng)極，也就是說(shuō)，每一個(gè)納米孔都是一個(gè)微型電池，它們組成納米陣列進(jìn)行充放電。

據(jù)該校稱，現(xiàn)在的原型可以在10分鐘內(nèi)充滿，能夠循環(huán)使用上千次。他們并沒(méi)有提及電池的容量，不過(guò)他們也提到，會(huì)在下一版本中將能量密度提升10倍。

21ic編輯點(diǎn)評(píng)：如果該技術(shù)真成熟了，可穿戴設(shè)備的續(xù)航就不用發(fā)愁了。