1、HS：全球前十大半導體廠營收排行榜
研調(diào)機構IHS最新報告顯示，除去晶圓代工產(chǎn)業(yè)，今年半導體產(chǎn)業(yè)在晶片擴展到不同應用領域，帶動產(chǎn)業(yè)營收上看3532億美元(約 11.2兆臺幣)，年增9.4%，是2010年以來表現(xiàn)最好的1年，其中聯(lián)發(fā)科(2454)排名首度擠入前10大，排名第10，較去年的15名大幅提升。
HS公布的今年營收前10大的半導體廠依序為英特爾、三星、高通、美光、SK海力士、德儀、東芝、博通、意法及聯(lián)發(fā)科，聯(lián)發(fā)科也是國內(nèi)唯一打入前10大的廠商。
依據(jù)IHS資料顯示，今年聯(lián)發(fā)科和Avago都透過合并相關廠商，營收年增57.49%、107.9%，帶動排名向上;聯(lián)發(fā)科在合并F-晨星后，整體營運規(guī)模明顯攀升，今年營收將首度超越2000億元大關。
小編點評：今年半導體行業(yè)表現(xiàn)整體來說還算不錯，從榜單來看，高通挺近前三甲，聯(lián)發(fā)科可謂是大躍進表現(xiàn)非常搶眼。不過市場對于聯(lián)發(fā)科明年4G的表現(xiàn)仍有疑慮。前有高通與華為聯(lián)合提升技術實力，后有展訊等廠商價格廝殺，聯(lián)發(fā)科可能腹背受敵。
2、ZigBee 3.0順應技術發(fā)展?或因應Thread而備戰(zhàn)?
2014年11月ZigBee聯(lián)盟宣布將在2015年正式發(fā)表ZigBee 3.0標準，ZigBee 3.0并非是突破性的技術規(guī)格，僅是過往標準的重新統(tǒng)整，ZigBee聯(lián)盟聲稱統(tǒng)整是順意電子技術自然發(fā)展，然DIGITIMES Research研判，新標準依然帶有產(chǎn)業(yè)競爭意味，特別是與新興標準Thread間的競爭。
ZigBee 3.0將過往以ZigBee PRO網(wǎng)路層協(xié)定為基礎的多種應用融合為一，一次融合6種應用，包含家庭自動化、建筑物自動化、LED照明、醫(yī)療看護、零售、智慧能源等。
ZigBee 3.0的推出，主要在改變ZigBee PRO標準的后續(xù)走向，短期內(nèi)與ZigBee PRO相關的應用標準仍會持續(xù)增訂、修訂，但將逐漸以ZigBee 3.0為主。不過ZigBee 3.0將不影響ZigBee PRO之外的其他ZigBee標準，如ZigBee RF4CE(Radio Frequency forConsumer Electronics)、ZigBee IP(Internet Protocol)等均會維持原有發(fā)展步調(diào)。
小編點評：ZigBee 3.0可視為統(tǒng)整版的ZigBee PRO。它的推出意味著ZigBee聯(lián)盟對會員采取討好、懷柔態(tài)度，避免會員轉向Thread陣營，也避免轉向其他同樣以IEEE 802.15.4為基礎的技術陣營。
3、美研發(fā)原子厚度新材料 或助研發(fā)超薄器件
近日消息，美國萊斯大學研發(fā)的一個原子級薄的材料，這或可能導致研發(fā)目前最薄的成像平臺?；诮饘倭蜃寤衔锏暮铣啥S材料可能是超薄設備的基礎，萊斯大學研究人員這樣表示。其中一個這樣的材料二硫化鉬，因其檢測光的特性而被廣泛研究，但是銅銦硒化物(CIS)也表現(xiàn)出同樣非凡的潛力。這一銅銦硒化物單層厚度大約為2納米，包含9個原子厚的晶格。
傳統(tǒng)的電荷耦合器件厚重且堅硬，將它們與二維元素相結合是沒有意義的。而基于銅銦硒化物的電荷耦合器件非常薄、透明和靈活，這正是二維成像器件所缺失的。感知光的二維材料有很多，但沒有一種能夠如此高效。這種新材料比目前最好的材料高效10倍。
另外，這種材料是透明的，基于銅銦硒化物的掃描儀可以從一面利用光照亮圖片，而另一邊用于捕捉圖片。在醫(yī)療方面的應用，銅銦硒化物可以用于小型生物成像器件，通過與其它二維電子元件相結合，從而進行實時監(jiān)測。
小編點評：現(xiàn)在許多數(shù)碼相機使用的圖像傳感器為CCD(電耦合元件)。這個和指甲蓋差不多大小的硅晶片里包含了數(shù)以百萬的光敏二極管，用它來捕捉相片的像素。新材料制造的CCD元件將更薄、更透明且更具有柔韌性，這樣我們的數(shù)碼相機就能做的更小了。
4、手機4GB內(nèi)存真要普及了!
三星電子宣布，已經(jīng)成功量產(chǎn)了全球第一個8Gb(1GB)容量的新一代LPDDR4移動內(nèi)存顆粒，并采用了該公司領先的20nm工藝。LPDDR內(nèi)存標準今年8月底才剛剛敲定，而早在去年底，三星就迫不及待地宣布了全球第一顆LPDDR4內(nèi)存顆粒，容量就是8Gb(1GB)，不過當時說的工藝還只是2xnm(三星通常稱之為20nm級別)，這次是真正的20nm了。
三星這種新型顆粒的頻率也達到了3200MHz，相比于2xnm 4Gb LPDDR3不僅容量翻了一番，性能也提高了一倍，甚至是典型DDR3桌面內(nèi)存的整整兩倍。同時由于電壓降至1.1V，它還更省電。同樣是2GB容量的芯片，8Gb LPDDR4封裝而來的就要比4Gb LPDDR3封裝而來的節(jié)能最多40%(當然其中也有封裝顆粒少一半的緣故)。
能做到如此高性能低功耗，低電壓擺幅中斷邏輯(LVSTL) I/O界面的貢獻不容忽視。這是三星提交并被納入LPDDR4標準規(guī)范的一項技術，三星已經(jīng)開始出貨分別基于8Gb、4Gb顆粒的2GB、3GB LPDDR4內(nèi)存芯片，4GB LPDDR4則會在2015年初交付。
編輯點評：這樣的顆粒只需要4顆，就能組成4GB內(nèi)存芯片，用于智能手機，而隨著64位ARM架構、安卓5.0的相繼投入使用，4GB內(nèi)存也將逐漸成為安卓旗艦機的標配。
5、小米在印度獲高通庇護暫解禁
12月22日，愛立信再次就與小米之間的專利問題向媒體發(fā)出聲明。在這份媒體聲明中，愛立信指出，首先選擇印度市場提起訴訟，是公司的訴訟戰(zhàn)略，而“小米在哪里侵犯愛立信專利，我們將保留日后在哪里起訴的權利”。
早些時候，愛立信在印度對小米提起專利訴訟后，小米手機在印度一度停止銷售，并關停官網(wǎng)網(wǎng)頁。經(jīng)過短暫斡旋，12月17日印度德里法院授予小米手機 “臨時許可”，被允許銷售使用高通處理器的紅米1S，而本月初剛剛在印度上市的紅米Note仍不得銷售，后者搭載的是與愛立信有專利糾紛的處理器。
編輯點評：國產(chǎn)手機雄心勃勃的出海戰(zhàn)略遭遇專利堵截，根本原因在于，其在世界手機專利池中缺少核心專利，在反專利堵截時面臨一個無法回避的問題：“傍”住高通還是擺脫高通?這在高通反壟斷案將出結果的背景下更趨糾結。此外，高速行進中的互聯(lián)網(wǎng)手機企業(yè)，也該坐下來反思下自己的手機屬性，畢竟互聯(lián)網(wǎng)手機的本質(zhì)還是手機，互聯(lián)網(wǎng)只是“定語”。
6、研究人員以碳納米管實現(xiàn)真正的3D芯片
美國史丹佛大學(Stanford University)的研究人員們在日前舉辦的2014年國際電子元件會議(IEDM)上展示了真正的 3D 晶片。大部分的 3D 晶片采用硅穿孔(TSV)的方式推疊不同的制造晶片。史丹佛大學所展示的是任何晶圓廠都能在標準的互補式金屬氧化物半導體(CMOS)上堆疊任何層數(shù)的邏輯與記憶體。在IEDM上，史丹佛大學在 CMOS 晶片上堆疊了2層的金屬氧化物電阻型隨機存取記憶體(PRAM)，以及1層利用碳納米管(CNT)作為電晶體通道的邏輯電路。史丹佛大學展示的3D晶片以標準過孔方式連接4層電路，最底層是標準CMOS，最上層是碳納米管邏輯電晶體，中間夾著2層RRAM。
“對于使用傳統(tǒng)的跨層過孔而言， TSV 技術至關重要，但關鍵在于如果你想達到無法以 TSV 實現(xiàn)的極高能源密度效率之時，”史丹佛大學電子工程系教授Subhasish Mitra表示，“然而，我們能夠利用傳統(tǒng)過孔分別在各層之上順利地打造這些電路層，顯示我們的方法是可行的。”
“我們可以利用這種技術制造出任意層數(shù)，”史丹佛大學教授H.S. Philip Wong說：“我們使用相當寬松的設計規(guī)則在學校的晶圓廠中制造這些電路層，但在其他的展示中則已證明我們的制程能一直微縮到現(xiàn)有采用過孔技術的20nm商用級。”
編輯點評：對于芯片來說，除了向二維方向縮減制程尺寸之外，業(yè)界也在積極考慮向三維TSV芯片堆疊方向發(fā)展的方案。多年以來，芯片制造商一直在談論基于TSV的3D芯片堆疊技術，不過除了在CMOS圖像傳感器領域有推出過采用類似技術的產(chǎn)品之外，這項技術還遠遠沒有進入主流范疇，不過相信通過這些積極的技術研究，3D芯片堆疊技術的進步會加快腳步。
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