新聞大爆炸：全球前十大半導(dǎo)體廠營(yíng)收排行榜

1、HS：全球前十大半導(dǎo)體廠營(yíng)收排行榜

研調(diào)機(jī)構(gòu)IHS最新報(bào)告顯示，除去晶圓代工產(chǎn)業(yè)，今年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在晶片擴(kuò)展到不同應(yīng)用領(lǐng)域，帶動(dòng)產(chǎn)業(yè)營(yíng)收上看3532億美元(約 11.2兆臺(tái)幣)，年增9.4%，是2010年以來(lái)表現(xiàn)最好的1年，其中聯(lián)發(fā)科(2454)排名首度擠入前10大，排名第10，較去年的15名大幅提升。

HS公布的今年?duì)I收前10大的半導(dǎo)體廠依序?yàn)橛⑻貭?、三星?strong>高通、美光、SK海力士、德儀、東芝、博通、意法及聯(lián)發(fā)科，聯(lián)發(fā)科也是國(guó)內(nèi)唯一打入前10大的廠商。

依據(jù)IHS資料顯示，今年聯(lián)發(fā)科和Avago都透過(guò)合并相關(guān)廠商，營(yíng)收年增57.49%、107.9%，帶動(dòng)排名向上;聯(lián)發(fā)科在合并F-晨星后，整體營(yíng)運(yùn)規(guī)模明顯攀升，今年?duì)I收將首度超越2000億元大關(guān)。

小編點(diǎn)評(píng)：今年半導(dǎo)體行業(yè)表現(xiàn)整體來(lái)說(shuō)還算不錯(cuò)，從榜單來(lái)看，高通挺近前三甲，聯(lián)發(fā)科可謂是大躍進(jìn)表現(xiàn)非常搶眼。不過(guò)市場(chǎng)對(duì)于聯(lián)發(fā)科明年4G的表現(xiàn)仍有疑慮。前有高通與華為聯(lián)合提升技術(shù)實(shí)力，后有展訊等廠商價(jià)格廝殺，聯(lián)發(fā)科可能腹背受敵。

2、ZigBee 3.0順應(yīng)技術(shù)發(fā)展?或因應(yīng)Thread而備戰(zhàn)?

2014年11月ZigBee聯(lián)盟宣布將在2015年正式發(fā)表ZigBee 3.0標(biāo)準(zhǔn)，ZigBee 3.0并非是突破性的技術(shù)規(guī)格，僅是過(guò)往標(biāo)準(zhǔn)的重新統(tǒng)整，ZigBee聯(lián)盟聲稱統(tǒng)整是順意電子技術(shù)自然發(fā)展，然DIGITIMES Research研判，新標(biāo)準(zhǔn)依然帶有產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)意味，特別是與新興標(biāo)準(zhǔn)Thread間的競(jìng)爭(zhēng)。

ZigBee 3.0將過(guò)往以ZigBee PRO網(wǎng)路層協(xié)定為基礎(chǔ)的多種應(yīng)用融合為一，一次融合6種應(yīng)用，包含家庭自動(dòng)化、建筑物自動(dòng)化、LED照明、醫(yī)療看護(hù)、零售、智慧能源等。

ZigBee 3.0的推出，主要在改變ZigBee PRO標(biāo)準(zhǔn)的后續(xù)走向，短期內(nèi)與ZigBee PRO相關(guān)的應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)仍會(huì)持續(xù)增訂、修訂，但將逐漸以ZigBee 3.0為主。不過(guò)ZigBee 3.0將不影響ZigBee PRO之外的其他ZigBee標(biāo)準(zhǔn)，如ZigBee RF4CE(Radio Frequency forConsumer Electronics)、ZigBee IP(Internet Protocol)等均會(huì)維持原有發(fā)展步調(diào)。

小編點(diǎn)評(píng)：ZigBee 3.0可視為統(tǒng)整版的ZigBee PRO。它的推出意味著ZigBee聯(lián)盟對(duì)會(huì)員采取討好、懷柔態(tài)度，避免會(huì)員轉(zhuǎn)向Thread陣營(yíng)，也避免轉(zhuǎn)向其他同樣以IEEE 802.15.4為基礎(chǔ)的技術(shù)陣營(yíng)。

3、美研發(fā)原子厚度新材料 或助研發(fā)超薄器件

近日消息，美國(guó)萊斯大學(xué)研發(fā)的一個(gè)原子級(jí)薄的材料，這或可能導(dǎo)致研發(fā)目前最薄的成像平臺(tái)?；诮饘倭蜃寤衔锏暮铣啥S材料可能是超薄設(shè)備的基礎(chǔ)，萊斯大學(xué)研究人員這樣表示。其中一個(gè)這樣的材料二硫化鉬，因其檢測(cè)光的特性而被廣泛研究，但是銅銦硒化物(CIS)也表現(xiàn)出同樣非凡的潛力。這一銅銦硒化物單層厚度大約為2納米，包含9個(gè)原子厚的晶格。

傳統(tǒng)的電荷耦合器件厚重且堅(jiān)硬，將它們與二維元素相結(jié)合是沒(méi)有意義的。而基于銅銦硒化物的電荷耦合器件非常薄、透明和靈活，這正是二維成像器件所缺失的。感知光的二維材料有很多，但沒(méi)有一種能夠如此高效。這種新材料比目前最好的材料高效10倍。

另外，這種材料是透明的，基于銅銦硒化物的掃描儀可以從一面利用光照亮圖片，而另一邊用于捕捉圖片。在醫(yī)療方面的應(yīng)用，銅銦硒化物可以用于小型生物成像器件，通過(guò)與其它二維電子元件相結(jié)合，從而進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)。

小編點(diǎn)評(píng)：現(xiàn)在許多數(shù)碼相機(jī)使用的圖像傳感器為CCD(電耦合元件)。這個(gè)和指甲蓋差不多大小的硅晶片里包含了數(shù)以百萬(wàn)的光敏二極管，用它來(lái)捕捉相片的像素。新材料制造的CCD元件將更薄、更透明且更具有柔韌性，這樣我們的數(shù)碼相機(jī)就能做的更小了。

4、手機(jī)4GB內(nèi)存真要普及了!

三星電子宣布，已經(jīng)成功量產(chǎn)了全球第一個(gè)8Gb(1GB)容量的新一代LPDDR4移動(dòng)內(nèi)存顆粒，并采用了該公司領(lǐng)先的20nm工藝。LPDDR內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)今年8月底才剛剛敲定，而早在去年底，三星就迫不及待地宣布了全球第一顆LPDDR4內(nèi)存顆粒，容量就是8Gb(1GB)，不過(guò)當(dāng)時(shí)說(shuō)的工藝還只是2xnm(三星通常稱之為20nm級(jí)別)，這次是真正的20nm了。

三星這種新型顆粒的頻率也達(dá)到了3200MHz，相比于2xnm 4Gb LPDDR3不僅容量翻了一番，性能也提高了一倍，甚至是典型DDR3桌面內(nèi)存的整整兩倍。同時(shí)由于電壓降至1.1V，它還更省電。同樣是2GB容量的芯片，8Gb LPDDR4封裝而來(lái)的就要比4Gb LPDDR3封裝而來(lái)的節(jié)能最多40%(當(dāng)然其中也有封裝顆粒少一半的緣故)。

能做到如此高性能低功耗，低電壓擺幅中斷邏輯(LVSTL) I/O界面的貢獻(xiàn)不容忽視。這是三星提交并被納入LPDDR4標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范的一項(xiàng)技術(shù)，三星已經(jīng)開(kāi)始出貨分別基于8Gb、4Gb顆粒的2GB、3GB LPDDR4內(nèi)存芯片，4GB LPDDR4則會(huì)在2015年初交付。

編輯點(diǎn)評(píng)：這樣的顆粒只需要4顆，就能組成4GB內(nèi)存芯片，用于智能手機(jī)，而隨著64位ARM架構(gòu)、安卓5.0的相繼投入使用，4GB內(nèi)存也將逐漸成為安卓旗艦機(jī)的標(biāo)配。‍

5、小米在印度獲高通庇護(hù)暫解禁

12月22日，愛(ài)立信再次就與小米之間的專利問(wèn)題向媒體發(fā)出聲明。在這份媒體聲明中，愛(ài)立信指出，首先選擇印度市場(chǎng)提起訴訟，是公司的訴訟戰(zhàn)略，而“小米在哪里侵犯愛(ài)立信專利，我們將保留日后在哪里起訴的權(quán)利”。

早些時(shí)候，愛(ài)立信在印度對(duì)小米提起專利訴訟后，小米手機(jī)在印度一度停止銷售，并關(guān)停官網(wǎng)網(wǎng)頁(yè)。經(jīng)過(guò)短暫斡旋，12月17日印度德里法院授予小米手機(jī) “臨時(shí)許可”，被允許銷售使用高通處理器的紅米1S，而本月初剛剛在印度上市的紅米Note仍不得銷售，后者搭載的是與愛(ài)立信有專利糾紛的處理器。

編輯點(diǎn)評(píng)：國(guó)產(chǎn)手機(jī)雄心勃勃的出海戰(zhàn)略遭遇專利堵截，根本原因在于，其在世界手機(jī)專利池中缺少核心專利，在反專利堵截時(shí)面臨一個(gè)無(wú)法回避的問(wèn)題：“傍”住高通還是擺脫高通?這在高通反壟斷案將出結(jié)果的背景下更趨糾結(jié)。此外，高速行進(jìn)中的互聯(lián)網(wǎng)手機(jī)企業(yè)，也該坐下來(lái)反思下自己的手機(jī)屬性，畢竟互聯(lián)網(wǎng)手機(jī)的本質(zhì)還是手機(jī)，互聯(lián)網(wǎng)只是“定語(yǔ)”。

6、研究人員以碳納米管實(shí)現(xiàn)真正的3D芯片

美國(guó)史丹佛大學(xué)(Stanford University)的研究人員們?cè)谌涨芭e辦的2014年國(guó)際電子元件會(huì)議(IEDM)上展示了真正的 3D 晶片。大部分的 3D 晶片采用硅穿孔(TSV)的方式推疊不同的制造晶片。史丹佛大學(xué)所展示的是任何晶圓廠都能在標(biāo)準(zhǔn)的互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)上堆疊任何層數(shù)的邏輯與記憶體。在IEDM上，史丹佛大學(xué)在 CMOS 晶片上堆疊了2層的金屬氧化物電阻型隨機(jī)存取記憶體(PRAM)，以及1層利用碳納米管(CNT)作為電晶體通道的邏輯電路。史丹佛大學(xué)展示的3D晶片以標(biāo)準(zhǔn)過(guò)孔方式連接4層電路，最底層是標(biāo)準(zhǔn)CMOS，最上層是碳納米管邏輯電晶體，中間夾著2層RRAM。

“對(duì)于使用傳統(tǒng)的跨層過(guò)孔而言， TSV 技術(shù)至關(guān)重要，但關(guān)鍵在于如果你想達(dá)到無(wú)法以 TSV 實(shí)現(xiàn)的極高能源密度效率之時(shí)，”史丹佛大學(xué)電子工程系教授Subhasish Mitra表示，“然而，我們能夠利用傳統(tǒng)過(guò)孔分別在各層之上順利地打造這些電路層，顯示我們的方法是可行的。”

“我們可以利用這種技術(shù)制造出任意層數(shù)，”史丹佛大學(xué)教授H.S. Philip Wong說(shuō)：“我們使用相當(dāng)寬松的設(shè)計(jì)規(guī)則在學(xué)校的晶圓廠中制造這些電路層，但在其他的展示中則已證明我們的制程能一直微縮到現(xiàn)有采用過(guò)孔技術(shù)的20nm商用級(jí)。”

編輯點(diǎn)評(píng)：對(duì)于芯片來(lái)說(shuō)，除了向二維方向縮減制程尺寸之外，業(yè)界也在積極考慮向三維TSV芯片堆疊方向發(fā)展的方案。多年以來(lái)，芯片制造商一直在談?wù)摶赥SV的3D芯片堆疊技術(shù)，不過(guò)除了在CMOS圖像傳感器領(lǐng)域有推出過(guò)采用類似技術(shù)的產(chǎn)品之外，這項(xiàng)技術(shù)還遠(yuǎn)遠(yuǎn)沒(méi)有進(jìn)入主流范疇，不過(guò)相信通過(guò)這些積極的技術(shù)研究，3D芯片堆疊技術(shù)的進(jìn)步會(huì)加快腳步。