新聞大爆炸:大突破!國(guó)產(chǎn)6英寸碳化硅晶片打破國(guó)外壟斷
掃描二維碼
隨時(shí)隨地手機(jī)看文章
1、大突破!國(guó)產(chǎn)6英寸碳化硅晶片打破國(guó)外壟斷
不久前,中國(guó)科學(xué)院物理研究所研究員陳小龍研究組與北京天科合達(dá)藍(lán)光半導(dǎo)體有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)天科合達(dá))合作,解決了6英寸擴(kuò)徑技術(shù)和晶片加工技術(shù),成功研制出了6英寸碳化硅單晶襯底。
2013年,陳小龍團(tuán)隊(duì)開(kāi)始進(jìn)行6英寸碳化硅晶體的研發(fā)工作,用了近一年的時(shí)間,團(tuán)隊(duì)研發(fā)的國(guó)產(chǎn)6英寸碳化硅單晶襯底問(wèn)世。測(cè)試證明,國(guó)產(chǎn)6英寸碳化硅晶體的結(jié)晶質(zhì)量很好,該成果標(biāo)志著物理所碳化硅單晶生長(zhǎng)研發(fā)工作已達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平,可以為高性能碳化硅基電子器件的國(guó)產(chǎn)化提供材料基礎(chǔ)。
“雖然起步有點(diǎn)晚,但通過(guò)10多年的自主研發(fā),我們與國(guó)外的技術(shù)差距在逐步縮小。”陳小龍說(shuō)。作為國(guó)內(nèi)碳化硅晶片生產(chǎn)制造的先行者,天科合達(dá)打破了國(guó)外壟斷,填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)空白,生產(chǎn)的碳化硅晶片不僅技術(shù)成熟,還低于國(guó)際同類(lèi)產(chǎn)品價(jià)格。
陳小龍指出,當(dāng)前碳化硅主要應(yīng)用于三大領(lǐng)域:高亮度LED、電力電子以及先進(jìn)雷達(dá),以后還可能走進(jìn)家用市場(chǎng),這意味著陳小龍團(tuán)隊(duì)的自主創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)化之路還將延續(xù)。
編輯點(diǎn)評(píng):碳化硅曾長(zhǎng)期被美國(guó)科銳公司壟斷,并且價(jià)格十分昂貴,但仍供不應(yīng)求。高昂的原材料成本占碳化硅半導(dǎo)體器件價(jià)格的10%以上,碳化硅晶片價(jià)格已成為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的瓶頸。陳小龍團(tuán)隊(duì)6英寸碳化硅晶片的成功研制,我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將迎來(lái)新征程。
2、傳高通810芯片過(guò)熱 臺(tái)積電產(chǎn)能遭沖擊
市場(chǎng)傳出,韓國(guó)三星的14納米FinFET制程良率近期已有明顯改善,引發(fā)臺(tái)積電大客戶(hù)手機(jī)芯片龍頭廠(chǎng)高通(Qualcomm)在臺(tái)積電試產(chǎn)16納米FinFET制程喊卡,加上高通高端S810芯片傳聞?dòng)羞^(guò)熱問(wèn)題,3月上市時(shí)間延宕,市場(chǎng)預(yù)期將沖擊臺(tái)積電南科廠(chǎng)先進(jìn)制程產(chǎn)能利用率與整體營(yíng)運(yùn)。
去年7月中旬,臺(tái)積電因先量產(chǎn)20納米制程,16納米FinFET制程量產(chǎn)時(shí)程較競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星晚,導(dǎo)致大客戶(hù)高通轉(zhuǎn)向三星投產(chǎn),臺(tái)積電也坦承今年在此一制程市占率會(huì)較低,預(yù)期隨著今年下半年產(chǎn)能開(kāi)出后,明年將搶回市占率。
不過(guò),市場(chǎng)傳出,韓國(guó)三星的14納米FinFET制程良率近期明顯改善,加上價(jià)格策略搶單搶得兇,吸引高通全面轉(zhuǎn)向三星投產(chǎn),原在臺(tái)積電試產(chǎn)16納米FinFET制程則喊卡;高通高端S810芯片傳聞?dòng)羞^(guò)熱問(wèn)題,3月上市時(shí)間延宕,蘋(píng)果iPhone 6拉貨旺季又已過(guò),臺(tái)積電先進(jìn)制程主力廠(chǎng)南科14廠(chǎng)產(chǎn)能利用率恐受沖擊,傳出決定先行暫時(shí)停產(chǎn)20納米2成產(chǎn)能,這可能影響臺(tái)積電第一季營(yíng)運(yùn)下滑幅度比預(yù)期高。
編輯點(diǎn)評(píng):臺(tái)積電產(chǎn)能問(wèn)題在業(yè)界一直遭詬病,加上臺(tái)積電有蘋(píng)果大單,此消彼長(zhǎng)其他產(chǎn)能就......另外,業(yè)界14納米日漸成熟,市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)必然日趨激烈。
3、USB 3.1正反隨便插速度很彪悍?其實(shí)好脆弱
USB3.1接口無(wú)疑是本屆CES上的一個(gè)亮點(diǎn)技術(shù),新增加的Type-C型接口更是因?yàn)椴粎^(qū)分正反面而廣為看好。我們通過(guò)微星的兩個(gè)展示平臺(tái),仔細(xì)分析新接口。
首先Type-C只是伴隨著USB3.1標(biāo)準(zhǔn)而來(lái)的一個(gè)可選接口類(lèi)型,并不是說(shuō)USB3.1接口就一定是Type-C,Type-C也不一定都是USB3.1,事實(shí)上接口標(biāo)準(zhǔn)版本、類(lèi)型是可以隨便混搭的:USB3.1Type-C、USB3.1Type-A、USB3.0/2.0Type-C、USB3.0/2.0Type-A這些都是可以的,就看廠(chǎng)商需要什么了。
關(guān)于這個(gè)Type-C,隨便插拔看起來(lái)很美,但大家似乎都忘了還有個(gè)壽命問(wèn)題。理論上,這種接口可以經(jīng)受10萬(wàn)次插拔,工藝控制得當(dāng)還可以更多,但最大的弱點(diǎn)是公口、母口所用的金屬接片的末尾。
Type-C接口體積小巧,不像Type-A那樣周?chē)兄浞值谋Wo(hù),因此在反復(fù)插拔中如果數(shù)據(jù)線(xiàn)彎來(lái)彎去,很容易導(dǎo)致主板或者數(shù)據(jù)線(xiàn)某一端的接口出現(xiàn)變形、損壞。
編輯點(diǎn)評(píng):我們都知道USB3.1是一種新型USB接口,正反兩面均能使用,最高通訊速率可以達(dá)到10Gbps,是目前USB 3.0接口速率的2倍。不過(guò),可能大家都忽略了上面這個(gè)問(wèn)題,這是接口本身的不足,估計(jì)廠(chǎng)商也不會(huì)在意,以后說(shuō)不定是個(gè)麻煩。
4、谷歌對(duì)舊版安卓漏洞甩手不管
據(jù)美國(guó)科技新聞網(wǎng)站ZDNET報(bào)道,最近有安全人士爆料,谷歌曾公開(kāi)表示,對(duì)于安卓4.4之前系統(tǒng)中的一個(gè)組件漏洞,不再負(fù)責(zé),希望民間高手能夠自行開(kāi)發(fā)補(bǔ)丁。據(jù)安全專(zhuān)家TodBeardsley爆料,去年十月份,谷歌官方收到了一個(gè)安全漏洞報(bào)告,有人發(fā)現(xiàn)在安卓4.3版本中,WebView組件中存在漏洞,威脅系統(tǒng)安全。按照統(tǒng)計(jì),這一漏洞將影響到全球9.3億人的安卓用戶(hù)。然而谷歌的反應(yīng)令外界吃驚,谷歌工作人員表示,目前無(wú)暇顧及,請(qǐng)外界自行開(kāi)發(fā)補(bǔ)丁解決問(wèn)題。據(jù)報(bào)道,谷歌方面表示,因?yàn)槭苡绊懙陌沧肯到y(tǒng)早于4.4版本,因此谷歌團(tuán)隊(duì)一般不會(huì)再自行開(kāi)發(fā)補(bǔ)丁,“但是歡迎外界開(kāi)發(fā)的補(bǔ)丁”。
目前還不清楚谷歌這樣置之不理的政策,是針對(duì)WebView這一安卓系統(tǒng)組件,還是涉及整個(gè)安卓4.4之前的系統(tǒng)。按照谷歌的解釋?zhuān)绻踩珮I(yè)界未來(lái)發(fā)現(xiàn)相關(guān)漏洞時(shí),如果提交了補(bǔ)丁程序,谷歌將會(huì)把補(bǔ)丁整合到開(kāi)源的安卓系統(tǒng)代碼中。
眾所周知的是,安卓最大特色是碎片化,全球用戶(hù)運(yùn)行著花樣繁多的安卓版本。根據(jù)谷歌官方統(tǒng)計(jì),46%的安卓用戶(hù)運(yùn)行安卓4.3,該版本排名第一,安卓4.4占到了39.1%,排名第二。其余的用戶(hù),則分布在安卓2.3,安卓4.0,安卓2.2等舊版本。
編輯點(diǎn)評(píng):極度碎片化的安卓生態(tài),不僅讓第三方軟件開(kāi)發(fā)者頭疼,也讓谷歌官方難以駕馭。
5、研究人員開(kāi)發(fā)出一種三維成型技術(shù) 可制備微納米半導(dǎo)體器件
據(jù)新華社華盛頓1月11日電 見(jiàn)過(guò)一打開(kāi)便有小房子或城堡立起來(lái)的那種立體書(shū)吧。受這種兒童玩具書(shū)的啟發(fā),中國(guó)、美國(guó)、韓國(guó)研究人員開(kāi)發(fā)出一種特別簡(jiǎn)單的“彈出式”三維成型技術(shù),可制備現(xiàn)有3D打印技術(shù)無(wú)法實(shí)現(xiàn)的微納米半導(dǎo)體器件。這項(xiàng)成果發(fā)表在新一期美國(guó)《科學(xué)》雜志上。研究負(fù)責(zé)人之一、美國(guó)西北大學(xué)研究助理教授張一慧對(duì)新華社記者說(shuō),這種技術(shù)被稱(chēng)為“屈曲引導(dǎo)的三維成型技術(shù)”,相比現(xiàn)有3D打印技術(shù)有多種優(yōu)勢(shì),“它不能完全取代現(xiàn)有3D打印技術(shù),但可作為一個(gè)非常重要的補(bǔ)充”。
這種技術(shù)的基本步驟是:先形成具有一定構(gòu)型的平面結(jié)構(gòu),將其轉(zhuǎn)移至一張已經(jīng)拉伸的彈性基底上,通過(guò)表面化學(xué)處理把平面結(jié)構(gòu)選擇性地粘接于彈性基底,之后釋放彈性基底的預(yù)拉伸,即可將未粘接于基底的平面結(jié)構(gòu)彈出,形成三維結(jié)構(gòu)。
張一慧說(shuō),這種技術(shù)的優(yōu)勢(shì)一是快速成型;二是適用于各種類(lèi)型的材料,包括半導(dǎo)體、金屬、聚合物等;三是與現(xiàn)代化半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的二維制備技術(shù)兼容,可成型非常復(fù)雜的三維結(jié)構(gòu),他們已實(shí)現(xiàn)40多種三維結(jié)構(gòu),包括孔雀、花朵、桌子、籃子、帳篷和海星等;四是尺寸上沒(méi)有明顯的限制,目前已實(shí)現(xiàn)的最小厚度約為100納米,最大厚度約1毫米。這種技術(shù)的主要不足在于所能成型的三維結(jié)構(gòu)仍具有一定的局限性,并不能形成所有給定的三維結(jié)構(gòu)。
編輯點(diǎn)評(píng):傳統(tǒng)3D打印技術(shù)一層層疊加打印,不僅速度慢,適用的材料類(lèi)型有限,如無(wú)法適用于高性能半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),適用的三維結(jié)構(gòu)也有限。而這種快速成型、材料及尺寸不受限制的新型技術(shù)正能彌補(bǔ)3D打印的不足,相信對(duì)半導(dǎo)體器件制造來(lái)說(shuō)更有益處。
6、存儲(chǔ)信息時(shí)間可達(dá)6小時(shí)的量子硬盤(pán)正式研制成功
澳大利亞和新西蘭物理學(xué)家合作研制出一個(gè)量子硬盤(pán)原型,將信息存儲(chǔ)時(shí)間延長(zhǎng)了100多倍,達(dá)到了創(chuàng)紀(jì)錄的6個(gè)小時(shí)。這樣的網(wǎng)絡(luò)可用于銀行交易和個(gè)人電子郵件。“我們相信,在全球任意兩點(diǎn)之間分發(fā)量子信息很快就將成為可能。”論文主要作者、澳大利亞國(guó)立大學(xué)物理與工程研究院的鐘曼錦說(shuō),“量子態(tài)非常脆弱,通常只能保持幾毫秒,然后就會(huì)崩潰。我們的長(zhǎng)時(shí)存儲(chǔ)能力有望給量子信息領(lǐng)域帶來(lái)革新。”
該研究團(tuán)隊(duì)采用了嵌入晶體中的稀有稀土元素銪原子來(lái)存儲(chǔ)信息。這種固態(tài)存儲(chǔ)技術(shù)非常有前景,有望替代在光纖中使用激光的技術(shù),目前利用后者創(chuàng)建的量子網(wǎng)絡(luò)長(zhǎng)度大約為100公里。“現(xiàn)在我們的存儲(chǔ)時(shí)長(zhǎng)可以達(dá)到這么久,這意味著人們需要重新思考哪種才是分發(fā)量子數(shù)據(jù)的最佳方式。”鐘曼錦說(shuō),“如果給定一段距離,即使以步行的速度傳送我們的晶體,信息丟失也會(huì)比激光系統(tǒng)少。”她說(shuō):“我們現(xiàn)在可以想像將糾纏光存儲(chǔ)在不同的晶體中,然后將它們傳送數(shù)千公里之外不同的網(wǎng)絡(luò)接收點(diǎn)的情景。因此,我們正在考慮將我們的晶體作為便攜式量子光學(xué)硬盤(pán)。”
研究團(tuán)隊(duì)利用激光將一個(gè)量子態(tài)寫(xiě)入銪原子核自旋上,然后將晶體置于固定磁場(chǎng)和振蕩磁場(chǎng)的組合中,以保護(hù)脆弱的量子信息。“這兩個(gè)磁場(chǎng)將銪原子自旋隔絕起來(lái),防止量子信息的泄露。”奧塔哥大學(xué)的杰文·朗德?tīng)栒f(shuō)。
編輯點(diǎn)評(píng):硬盤(pán)市場(chǎng)在最近幾年的發(fā)展速度非常迅速,這項(xiàng)突破是朝著基于量子信息構(gòu)建一個(gè)安全的全球數(shù)據(jù)加密網(wǎng)絡(luò)邁出的重要一步。