賽靈思(Xilinx)是FPGA領(lǐng)域中的領(lǐng)軍企業(yè)之一,它的每一次大動作都對整個FPGA行業(yè)產(chǎn)生深遠的影響。近日,賽靈思再度發(fā)力,利用新型存儲器、3D-on-3D 和多處理SoC等創(chuàng)新技術(shù),產(chǎn)品全線向16nm進化。
整體再度進化
賽靈思公司全球高級副總裁亞太區(qū)執(zhí)行總裁湯立人介紹說:“從28nm時代開始,賽靈思就利用技術(shù)優(yōu)勢在業(yè)界實現(xiàn)了多個第一。20nm時代,All Programmable UltraScale更是保持了領(lǐng)先態(tài)勢,在很多競爭對手還在20nm節(jié)點發(fā)力之時。賽靈思又開始新一步進化,在16nm節(jié)點推出了UltraScale+ 產(chǎn)品組合系列,繼續(xù)拉大了和競爭對手的差距。”
賽靈思本次發(fā)布UltraScale+ FPGA 系列包括Kintex UltraScale+ FPGA和Virtex UltraScale+ FPGA以及3D IC系列,其中Zynq UltraScale+系列還包含業(yè)界首款全可編程MPSoC。借助這些全新的產(chǎn)品組合,賽靈思能夠滿足各種下一代應(yīng)用需求,包括LTE Advanced、早期5G無線、Tb級有線通信、汽車駕駛員輔助系統(tǒng),以及工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)(IoT)應(yīng)用等。
湯立人表示:“16nm的UltraScale+ 產(chǎn)品組合系列系統(tǒng)級性能和上代產(chǎn)品相比,整體提升了2—5倍,同時系統(tǒng)集成度也大大提升,在保密性和安全性等層面也有相應(yīng)提高。賽靈思選用了臺積電的 16nm FinFET+ 技術(shù),臺積公司預(yù)計于 2015 年推出 50 多款 16nmFF+ 流片。采用 FinFET,單就平面提升而言,UltraScale+ FPGA 系統(tǒng)的系統(tǒng)級性能功耗比就能提高 2 倍。”
技術(shù)全面提升
賽靈思此次推出的UltraScale+ 產(chǎn)品組合絕不僅僅是生產(chǎn)工藝方面的進步,在存儲器、互連優(yōu)化、3D-on-3D 和多處理SoC等方面都有全面提升。
在過去存儲經(jīng)常成為FPGA和SoC系統(tǒng)性能和功耗的最大瓶頸,這次UltraScale+利用包含UltraRAM存儲器增強型可編程器件,容量高達 432Mb。UltraRAM 可提供最佳系統(tǒng)功耗、靈活性和可預(yù)見的性能,同時能取代外部存儲器,從而降低系統(tǒng)材料清單(BOM)總成本。采用 UltraRAM,不僅能讓典型設(shè)計的系統(tǒng)級性能功耗比提升至少 25%,而且還能大幅提升存儲器密集型設(shè)計的性能、顯著降低功耗及材料清單(BOM)成本。
針對互聯(lián)問題,賽靈思還專門針對 FPGA 開發(fā)了一項基于工具的互聯(lián)優(yōu)化技術(shù) SmartConnect。這項技術(shù)能夠根據(jù)特定設(shè)計的吞吐量、時延和面積要求自動優(yōu)化互聯(lián),同時提供最佳性能功耗比,從而解決系統(tǒng)級 IP互聯(lián)瓶頸。SmartConnect 還能智能連接不同接口類型,根據(jù)特定應(yīng)用要求匹配合適的互聯(lián)方案。僅憑這項技術(shù)就能提升系統(tǒng)級性能功耗比和縮減面積 20% 到 30%。
3D-on-3D技術(shù)則是高端UltraScale+系列集合了3D晶體管和賽靈思第三代3D IC的組合功耗優(yōu)勢。正如FinFET相比平面晶體管實現(xiàn)性能功耗比非線性提升一樣,3D IC相比單個器件實現(xiàn)系統(tǒng)集成度和單位功耗帶寬的非線性提升。
全新Zynq UltraScale MPSoC通過部署上述所有FPGA技術(shù),實現(xiàn)了異構(gòu)多處理能力,從而能夠?qū)崿F(xiàn)“為合適任務(wù)提供合適引擎”。這些新器件相對此前解決方案可將系統(tǒng)級性能功耗比提升約5倍。位于處理子系統(tǒng)中心的是64位四核ARM Cortex®-A53處理器,能實現(xiàn)硬件虛擬化和非對稱處理,并全面支持ARM TrustZone。

湯立人表示:“針對戰(zhàn)略客戶,賽靈思已經(jīng)為他們提供了UltraScale+設(shè)計工具。針對早期進入客戶則在2015年第二季度提供。針對芯片本身,首款流片會在 2015年第二季度,首次發(fā)貨則是2015年第四季度”