隨著技術(shù)的不斷發(fā)展,設(shè)備之間的互連使自動(dòng)化家庭的快速發(fā)展成為可能。真空機(jī)器人的發(fā)展源于通過(guò)無(wú)線(xiàn)連接和遠(yuǎn)程訪(fǎng)問(wèn)操作家庭設(shè)備的便利性。
一個(gè)真空機(jī)器人省去了設(shè)定時(shí)間表,以確保始終如一的干凈的家手工地板清潔的需要。除了方便和節(jié)省時(shí)間之外,這些緊湊型真空機(jī)器人與傳統(tǒng)的重型真空吸塵器不同,可輕松到達(dá)與家具、墻壁和角落相關(guān)的堅(jiān)硬角落和縫隙,從而減輕了運(yùn)行真空的壓力。
為了最大限度地清潔地面空間,真空機(jī)器人必須優(yōu)化其運(yùn)行時(shí)間。因此,電池充電解決方案需要在真空機(jī)器人設(shè)計(jì)中仔細(xì)考慮。從充電座獲取大約 19-20V 的輸入電壓,市場(chǎng)上的大多數(shù)真空機(jī)器人都采用可充電的四芯鋰離子 (Li-ion) 電池為其系統(tǒng)供電。延長(zhǎng)這些電池的運(yùn)行時(shí)間并降低電池成本需要有效利用電池組以達(dá)到其最大容量。圖 2 展示了真空機(jī)器人系統(tǒng)并重點(diǎn)介紹了其電池管理解決方案。
圖 1:真空機(jī)器人系統(tǒng)電源圖
我們可以通過(guò)多種方式實(shí)現(xiàn)充電電路。分立式解決方案使用簡(jiǎn)單的 DC/DC 轉(zhuǎn)換器為電池充電。該系統(tǒng)的微控制器 (MCU) 通過(guò)控制 MOSFET 的開(kāi)/關(guān)切換來(lái)模擬 CC-CV 充電曲線(xiàn)。雖然分立式解決方案可能并不昂貴,但其充電電壓不準(zhǔn)確、開(kāi)關(guān)頻率低且缺乏內(nèi)置電池保護(hù),導(dǎo)致成本增加且性能比充電器集成電路 (IC) 更差。
或者,充電器 IC 解決方案提供高充電電壓精度、高開(kāi)關(guān)頻率和增強(qiáng)的電池保護(hù)。雖然一些設(shè)計(jì)人員可能會(huì)選擇成本低于充電器 IC 解決方案的分立式解決方案,但充電器 IC 的優(yōu)勢(shì)令人印象深刻地超過(guò)了價(jià)格差異。
市場(chǎng)上的真空機(jī)器人的運(yùn)行時(shí)間各不相同,從大約60到150分鐘不等。最大化清潔表面積取決于機(jī)器人的運(yùn)行時(shí)間,使最佳運(yùn)行時(shí)間成為消費(fèi)者的關(guān)鍵賣(mài)點(diǎn);只需多花幾分鐘就可以區(qū)分完全干凈和部分骯臟的家。
TI 的充電器 IC(例如 bq24725A 或 bq24610)可提供 ±0.5% 的高精度充電電壓,而低成本 DC/DC 轉(zhuǎn)換器充電電壓精度為 ±5%。由于具有 ±0.5% 的小充電電壓精度,該充電器 IC 可最大限度地提高電池容量,最終延長(zhǎng)機(jī)器人的運(yùn)行時(shí)間。
圖 3 描述了電池電壓與室溫下 4.2 鋰離子電池的放電深度 (DOD) 的關(guān)系?;诔潆娖?IC 和幾個(gè)分立解決方案的充電電壓精度,數(shù)據(jù)將幾個(gè) DOD 點(diǎn)映射到電池電壓,從而轉(zhuǎn)化為運(yùn)行時(shí)間。如圖 3 及其表 1 中的相關(guān)數(shù)據(jù)所示,與分立式充電解決方案相比,TI 充電器 IC 解決方案顯著提高了容量。
圖 2:鋰離子 DOD 與電池電壓
表 1:映射到電池容量的充電電壓精度
電池容量最終轉(zhuǎn)化為設(shè)備運(yùn)行時(shí)間和具有特定運(yùn)行時(shí)間目標(biāo)的電池的成本差異。以使用TI充電器IC解決方案的真空機(jī)器人為例,充電電壓精度為±0.5%,運(yùn)行120分鐘。使用 DC/DC 轉(zhuǎn)換器作為充電電壓精度為 ±5% 的離散解決方案的同一真空機(jī)器人只能運(yùn)行 55 分鐘。因此,如表 1 所示,由于充電電壓精度較低而導(dǎo)致的容量損失會(huì)顯著縮短機(jī)器人的運(yùn)行時(shí)間。
從貨幣角度來(lái)看,此應(yīng)用的電池組成本約為 20 美元。本示例中 56% 的容量損失需要我們多購(gòu)買(mǎi) 11 美元的容量。這額外的 65 分鐘運(yùn)行時(shí)間將使機(jī)器人可以清潔幾個(gè)額外的房間,并且由于容量最大化而節(jié)省的成本量化了使用充電器 IC 解決方案的價(jià)值。
充電器 IC 解決方案產(chǎn)生高開(kāi)關(guān)頻率,進(jìn)而需要小型、低成本的電感器。例如,TI 的 bq24725A 開(kāi)關(guān)頻率為 750kHz,通常使用尺寸為 28mm 2的 4.7μH 電感器。或者,開(kāi)關(guān)頻率僅為 50kHz 的分立解決方案需要更大的 75μH 或更大的電感器,覆蓋大約 113mm 2的電路板空間。除了節(jié)省解決方案尺寸外,充電器 IC 的電感比分立解決方案的電感便宜大約兩倍,具體取決于電感的選擇。
從設(shè)計(jì)的角度來(lái)看,充電器 IC 有利地提供了一套完整、復(fù)雜的電池安全功能,包括輸入過(guò)流、充電過(guò)流、電池過(guò)壓、熱關(guān)斷、電池接地短路、電感器短路和場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 短路保護(hù). 另一方面,分立解決方案必須使用其 MCU 來(lái)實(shí)現(xiàn)電池保護(hù),并且由于其響應(yīng)時(shí)間緩慢,當(dāng) MCU 檢測(cè)到故障時(shí),電池可能會(huì)損壞。因此,充電器 IC 可在任何最壞情況下保護(hù)電池,同時(shí)無(wú)需我們創(chuàng)建自己的電池保護(hù)裝置。
為了提高設(shè)計(jì)靈活性,TI 多節(jié)電池開(kāi)關(guān)充電器產(chǎn)品組合提供了獨(dú)立和主機(jī)控制拓?fù)涞倪x項(xiàng)。諸如 bq24610 之類(lèi)的獨(dú)立充電器通過(guò)外部電路元件控制電壓和電流限制,從而簡(jiǎn)化了實(shí)施。主機(jī)控制的充電器(例如 bq24725A 或 bq24773)使用 I 2 C 或 SMBus 對(duì)限值進(jìn)行編程,通過(guò)利用系統(tǒng)現(xiàn)有 MCU 的計(jì)算能力來(lái)節(jié)省物料清單成本。
與真空機(jī)器人的常見(jiàn)分立式充電解決方案相比,充電器 IC 具有無(wú)數(shù)優(yōu)勢(shì)。雖然分立解決方案最初可能更經(jīng)濟(jì),但充電器 IC 解決方案提供了比分立替代方案更長(zhǎng)的運(yùn)行時(shí)間、系統(tǒng)成本節(jié)約和更簡(jiǎn)單的設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)。最終,完整充電器 IC 解決方案的好處超過(guò)了分立充電解決方案的初始成本節(jié)約。
為物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用選擇電子元件的兩個(gè)關(guān)鍵標(biāo)準(zhǔn)是功率預(yù)算和性能。自從電子產(chǎn)品問(wèn)世以來(lái),就一直在這兩者之間進(jìn)行權(quán)衡——要么獲得最佳功耗,要么獲得最高性能。根據(jù)應(yīng)用程序,系統(tǒng)架構(gòu)師對(duì)系統(tǒng)中的不同組件有不同的要求。例如,系統(tǒng)可能需要高...
關(guān)鍵字: 物聯(lián)網(wǎng)功耗 SRAM盡管輸出電壓隨負(fù)載的變化在美學(xué)上令人不快,但該模型相對(duì)于前一個(gè)模型的優(yōu)勢(shì)是巨大的。它包含相同限制之間的輸出電壓,具有幾乎兩倍的 ESR,并且當(dāng)我們將它們與允許的偏差進(jìn)行比較時(shí),誤差源和紋波電壓會(huì)變小,這通常是這種情況。將...
關(guān)鍵字: 開(kāi)關(guān)電源 瞬態(tài)響應(yīng)開(kāi)關(guān)電源通常具有嚴(yán)格的靜態(tài)調(diào)節(jié)規(guī)范。使用廣泛可用的精密基準(zhǔn),我們無(wú)需任何初始調(diào)整即可在工作溫度范圍內(nèi)輕松實(shí)現(xiàn) ±1% 的精度。我們還必須處理電源的動(dòng)態(tài)調(diào)節(jié)規(guī)范,制造商通常將其指定為瞬態(tài)負(fù)載的最大允許偏差,該瞬態(tài)負(fù)載具有規(guī)...
關(guān)鍵字: 開(kāi)關(guān)電源 瞬態(tài)響應(yīng)在閾值電壓或低于閾值電壓時(shí),EPAD MOSFET 在稱(chēng)為亞閾值區(qū)域的工作區(qū)域中表現(xiàn)出關(guān)斷特性。這是 EPAD MOSFET 傳導(dǎo)通道根據(jù)施加的柵極電壓快速關(guān)閉的區(qū)域。由柵電極上的柵電壓引起的溝道呈指數(shù)下降,因此導(dǎo)致漏極...
關(guān)鍵字: 超低壓 MOSFET 低功耗設(shè)計(jì)ALD1148xx/ALD1149xx 產(chǎn)品是耗盡型 EPAD MOSFET,當(dāng)柵極偏置電壓為 0.0V 時(shí),它們是常開(kāi)器件。耗盡模式閾值電壓處于 MOSFET 器件關(guān)斷的負(fù)電壓。提供負(fù)閾值,例如 –0.40V、-1.3...
關(guān)鍵字: 超低壓 MOSFET 低功耗設(shè)計(jì)尋求在電路設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)更低的工作電壓和更低的功耗水平是一種趨勢(shì),這給電氣工程師帶來(lái)了艱巨的挑戰(zhàn),因?yàn)樗麄冇龅搅嘶景雽?dǎo)體器件特性對(duì)他們施加的限制。長(zhǎng)期以來(lái),工程師們一直將這些特性視為基本特性,并可能阻止他們最大限度地?cái)U(kuò)大可...
關(guān)鍵字: 超低壓 MOSFET 低功耗設(shè)計(jì)如今,無(wú)論生活亦或是工作環(huán)境中都充斥著大量不同頻率的電磁場(chǎng),各個(gè)電子、電氣設(shè)備在同一空間中同時(shí)工作時(shí),總會(huì)在它周?chē)a(chǎn)生一定強(qiáng)度的電磁場(chǎng),比如電視發(fā)射臺(tái)、固定或移動(dòng)式無(wú)線(xiàn)電發(fā)射臺(tái)以及各種工業(yè)輻射源產(chǎn)生的電磁場(chǎng)。
關(guān)鍵字: 射頻抗擾度測(cè)試 功率放大器羅德與施瓦茨宣布進(jìn)入源測(cè)量單元 (SMU) 市場(chǎng),推出兩款新儀器,用于分析和優(yōu)化物聯(lián)網(wǎng) (IoT) 應(yīng)用和半導(dǎo)體元件測(cè)試的電池壽命測(cè)試。
關(guān)鍵字: 電池壽命測(cè)試 物聯(lián)網(wǎng)汽車(chē)電氣化正在興起,隨著世界各國(guó)政府試圖實(shí)現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展目標(biāo),它可能會(huì)繼續(xù)增長(zhǎng)。本文摘錄了與恩智浦半導(dǎo)體執(zhí)行副總裁兼高級(jí)模擬業(yè)務(wù)線(xiàn)總經(jīng)理 Jens Hinrichsen 就汽車(chē)電氣化的各個(gè)方面的對(duì)話(huà)——從技術(shù)方面,包括電池...
關(guān)鍵字: 汽車(chē)電氣化 恩智浦