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[導(dǎo)讀]獎(jiǎng)項(xiàng)認(rèn)可安森美的創(chuàng)新技術(shù)和行業(yè)領(lǐng)先地位

2021年12月2日—領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi,美國(guó)納斯達(dá)克股票代號(hào):ON)宣布其N(xiāo)CP51561隔離SiC MOSFET門(mén)極驅(qū)動(dòng)器獲ASPENCORE全球電子成就獎(jiǎng)(WEAA)的功率半導(dǎo)體/驅(qū)動(dòng)器類(lèi)獎(jiǎng)項(xiàng)。WEAA項(xiàng)目表彰對(duì)全球電子行業(yè)的創(chuàng)新和發(fā)展做出杰出貢獻(xiàn)的企業(yè)和個(gè)人,由ASPENCORE全球分析師及其用戶(hù)社群選出獲獎(jiǎng)?wù)摺?

安森美同時(shí)宣布其壓鑄模功率集成模塊(TM-PIM)獲EE Awards Asia的功率IC產(chǎn)品類(lèi)獎(jiǎng)項(xiàng),同時(shí)公司以其先進(jìn)的汽車(chē)方案和智能電源產(chǎn)品獲得最孚眾望的電動(dòng)車(chē)(EV)功率半導(dǎo)體供應(yīng)商獎(jiǎng)。EE Awards Asia表彰在亞洲電子行業(yè)中每天都在發(fā)揮重要作用的一些最佳產(chǎn)品、公司和行業(yè)管理人員。

獲WEAA獎(jiǎng)的NCP51561 是隔離型雙通道門(mén)極驅(qū)動(dòng)器,具有 4.5 A 源電流和 9 A 灌電流峰值能力。該新器件適用于硅功率 MOSFET 和基于 SiC 的 MOSFET 器件的快速開(kāi)關(guān),提供短且匹配的傳播延遲。兩個(gè)獨(dú)立的 5 kVRMS (UL1577 級(jí)) 電隔離門(mén)極驅(qū)動(dòng)器通道可用作兩個(gè)下橋、兩個(gè)上橋開(kāi)關(guān)或一個(gè)半橋驅(qū)動(dòng)器,具有可編程的死區(qū)時(shí)間。一個(gè)使能引腳將同時(shí)關(guān)斷兩個(gè)輸出,且 NCP51561 提供其他重要的保護(hù)功能,如用于兩個(gè)門(mén)極驅(qū)動(dòng)器的獨(dú)立欠壓鎖定 (UVLO) 和使能功能。

EE Awards Asia EV功率半導(dǎo)體供應(yīng)商獎(jiǎng)?wù)J可安森美在提供創(chuàng)新的汽車(chē)功能電子化方案的領(lǐng)先地位,這建基于其50年的技術(shù)知識(shí)和豐富的客戶(hù)經(jīng)驗(yàn)。公司致力于提供技術(shù)上更靈活和完整的硬件平臺(tái),以為客戶(hù)的設(shè)計(jì)和驗(yàn)證工作添增價(jià)值,這也是個(gè)獲獎(jiǎng)的重要因素。

電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)在工業(yè)自動(dòng)化和機(jī)器人等應(yīng)用中變得至關(guān)重要,要求在惡劣的工業(yè)環(huán)境中實(shí)現(xiàn)高能效、精準(zhǔn)測(cè)量、準(zhǔn)確控制及高可靠性。獲EE Awards Asia的NXH25C120L2C2、NXH35C120L2C2/2C2E和NXH50C120L2C2E壓鑄模功率集成模塊(TM-PIM)集成了轉(zhuǎn)換器-逆變器-制動(dòng)/功率因數(shù)校正電路,專(zhuān)為 650 V/1200 V 25 A~50 A 單相和三相電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。 相比傳統(tǒng)的凝膠填充功率集成模塊,采用顛覆性的壓鑄模工藝和厚銅襯底,可以在更小的尺寸下提供高功率,提高熱循環(huán)使用壽命10倍,其密封性適合在某些潮濕或腐蝕氣體環(huán)境下工作。

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