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[導(dǎo)讀]5.1技術(shù)介紹半導(dǎo)體激光器封裝技術(shù)大都是在分立器件封裝技術(shù)基礎(chǔ)上發(fā)展與演變而來的,但卻有很大的特殊性。一般情況下,分立器件的管芯被密封在封裝體內(nèi),封裝的作用主要是保護管芯和完成電氣互連。而半導(dǎo)體激光器封裝則是完成輸出電信號,保護管芯正常工作,輸出:可見光的功能,既有電參數(shù),又有光參數(shù)的設(shè)計及技術(shù)要求,無法簡單地將分立器件的封裝用于半導(dǎo)體激光器。

5.1技術(shù)介紹半導(dǎo)體激光器封裝技術(shù)大都是在分立器件封裝技術(shù)基礎(chǔ)上發(fā)展與演變而來的,但卻有很大的特殊性。一般情況下,分立器件的管芯被密封在封裝體內(nèi),封裝的作用主要是保護管芯和完成電氣互連。而半導(dǎo)體激光器封裝則是完成輸出電信號,保護管芯正常工作,輸出:可見光的功能,既有電參數(shù),又有光參數(shù)的設(shè)計及技術(shù)要求,無法簡單地將分立器件的封裝用于半導(dǎo)體激光器。

半導(dǎo)體激光器的封裝技術(shù)

5.2發(fā)光部分半導(dǎo)體激光器的核心發(fā)光部分是由p型和n型半導(dǎo)體構(gòu)成的pn結(jié)管芯,當(dāng)注入pn結(jié)的少數(shù)載流子與多數(shù)載流子復(fù)合時,就會發(fā)出可見光,紫外光或近紅外光。但pn結(jié)區(qū)發(fā)出的光子是非定向的,即向各個方向發(fā)射有相同的幾率,因此,并不是管芯產(chǎn)生的所有光都可以釋放出來,這主要取決于半導(dǎo)體材料質(zhì)量、管芯結(jié)構(gòu)及幾何形狀、封裝內(nèi)部結(jié)構(gòu)與包封材料,應(yīng)用要求提高半導(dǎo)體激光器的內(nèi)、外部量子效率。常規(guī)Φ5mm型半導(dǎo)體激光器封裝是將邊長0.25mm的正方形管芯粘結(jié)或燒結(jié)在引線架上,管芯的正極通過球形接觸點與金絲,鍵合為內(nèi)引線與一條管腳相連,負(fù)極通過反射杯和引線架的另一管腳相連,然后其頂部用環(huán)氧樹脂包封。反射杯的作用是收集管芯側(cè)面、界面發(fā)出的光,向期望的方向角內(nèi)發(fā)射。頂部包封的環(huán)氧樹脂做成一定形狀,有這樣幾種作用:保護管芯等不受外界侵蝕;采用不同的形狀和材料性質(zhì)(摻或不摻散色劑),起透鏡或漫射透鏡功能,控制光的發(fā)散角;管芯折射率與空氣折射率相關(guān)太大,致使管芯內(nèi)部的全反射臨界角很小,其有源層產(chǎn)生的光只有小部分被取出,大部分易在管芯內(nèi)部經(jīng)多次反射而被吸收,易發(fā)生全反射導(dǎo)致過多光損失,選用相應(yīng)折射率的環(huán)氧樹脂作過渡,提高管芯的光出射效率。用作構(gòu)成管殼的環(huán)氧樹脂須具有耐濕性,絕緣性,機械強度,對管芯發(fā)出光的折射率和透射率高。選擇不同折射率的封裝材料,封裝幾何形狀對光子逸出效率的影響是不同的,發(fā)光強度的角分布也與管芯結(jié)構(gòu)、光輸出方式、封裝透鏡所用材質(zhì)和形狀有關(guān)。若采用尖形樹脂透鏡,可使光集中到半導(dǎo)體激光器的軸線方向,相應(yīng)的視角較小;如果頂部的樹脂透鏡為圓形或平面型,其相應(yīng)視角將增大。

5.3驅(qū)動電流

一般情況下,半導(dǎo)體激光器的發(fā)光波長隨溫度變化為0.2-0.3nm/℃,光譜寬度隨之增加,影響顏色鮮艷度。另外,當(dāng)正向電流流經(jīng)pn結(jié),發(fā)熱性損耗使結(jié)區(qū)產(chǎn)生溫升,在室溫附近,溫度每升高1℃,半導(dǎo)體激光器的發(fā)光強度會相應(yīng)地減少1%左右,封裝散熱;時保持色純度與發(fā)光強度非常重要,以往多采用減少其驅(qū)動電流的辦法,降低結(jié)溫,多數(shù)半導(dǎo)體激光器的驅(qū)動電流限制在20mA左右。但是,半導(dǎo)體激光器的光輸出會隨電流的增大而增加,很多功率型半導(dǎo)體激光器的驅(qū)動電流可以達(dá)到70mA、100mA甚至1A級,需要改進封裝結(jié)構(gòu),全新的半導(dǎo)體激光器封裝設(shè)計理念和低熱阻封裝結(jié)構(gòu)及技術(shù),改善熱特性。例如,采用大面積芯片倒裝結(jié)構(gòu),選用導(dǎo)熱性能好的銀膠,增大金屬支架的表面積,焊料凸點的硅載體直接裝在熱沉上等方法。此外,在應(yīng)用設(shè)計中,PCB線路板等的熱設(shè)計、導(dǎo)熱性能也十分重要。

進入21世紀(jì)后,半導(dǎo)體激光器的高效化、超高亮度化、全色化不斷發(fā)展創(chuàng)新,紅、橙半導(dǎo)體激光器光效已達(dá)到100Im/W,綠半導(dǎo)體激光器為50lm/W,單只半導(dǎo)體激光器的光通量也達(dá)到數(shù)十Im。半導(dǎo)體激光器芯片和封裝不再沿龔傳統(tǒng)的設(shè)計理念與制造生產(chǎn)模式,在增加芯片的光輸出方面,研發(fā)不僅僅限于改變材料內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量,晶格缺陷和位錯來提高內(nèi)部效率,同時,如何改善管芯及封裝內(nèi)部結(jié)構(gòu),增強半導(dǎo)體激光器內(nèi)部產(chǎn)生光子出射的幾率,提高光效,解決散熱,取光和熱沉優(yōu)化設(shè)計,改進光學(xué)性能,加速表面貼裝化SMD進程更是產(chǎn)業(yè)界研發(fā)的主流方向。

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