出色的主驅(qū)逆變器需要怎樣的功率模塊？

主逆變器是電動汽車的心臟，它決定了駕駛行為和車輛的能源效率，是電動汽車中的一個關(guān)鍵元器件。為了推動新能源汽車的主逆變器繼續(xù)向更大功率、更高能效、更高電壓、更輕重量、更小尺寸方向發(fā)展，安森美(onsemi)推出了 VE-Trac系列的功率集成模塊(PIM)，提供可擴(kuò)展性、增強(qiáng)的熱性能、以及行業(yè)最低電感的封裝結(jié)構(gòu)，能實(shí)現(xiàn)最高能效、最先進(jìn)的功率密度和敏捷的響應(yīng)速度。目前，VE-Trac系列包括VE-Trac SiC、VE-Trac Direct和VE-Trac Dual。

電動汽車主逆變器框圖

用于900 V-1200 V主驅(qū)逆變器的VE-Trac SiC模塊

向SiC轉(zhuǎn)型是汽車主逆變器主流趨勢。安森美VE-Trac SiC系列產(chǎn)品，包括VE-Trac B2 SiC模塊和VE-Trac Direct SiC模塊。采用領(lǐng)先的封裝技術(shù)，通過專有的壓接設(shè)計，實(shí)現(xiàn)了可靠的 PCB互連，提供同類最佳的電氣和熱性能及功率級可擴(kuò)展性。

VE-Trac B2 SiC模塊在一個半橋架構(gòu)中集成了安森美的所有SiC MOSFET技術(shù)。裸片連接采用燒結(jié)技術(shù)，提高了能效、功率密度和可靠性。該模塊符合AQG 324汽車功率模塊標(biāo)準(zhǔn)。B2 SiC模塊結(jié)合燒結(jié)技術(shù)用于裸片連接和銅夾，壓鑄模工藝用于實(shí)現(xiàn)強(qiáng)固的封裝。其SiC芯片組采用安森美的M1 SiC技術(shù)，從而提供高電流密度、強(qiáng)大的短路保護(hù)、高阻斷電壓和高工作溫度，在EV主驅(qū)應(yīng)用中帶來領(lǐng)先同類的性能。

用于750 V-1200 V主驅(qū)逆變器的VE-Trac IGBT模塊

包括VE-Trac Dual和VE-Trac Direct。利用新的窄臺面 IGBT技術(shù)，采用6-pack架構(gòu)，提供高電流密度和穩(wěn)定可靠的短路保護(hù)以及更高的阻斷電壓，提供出色的性能。

用于650 V-1200 V主驅(qū)逆變器的VE-Trac MOSFET模塊

這些SiC MOSFET設(shè)計為快速且堅(jiān)固耐用。它們提供比Si MOSFET高10倍的介電擊穿場強(qiáng)、高2倍的電子飽和速度、高3倍的帶隙和高3倍的熱導(dǎo)率。所有安森美SiC MOSFET均符合車規(guī)AEC-Q101 認(rèn)證和支持PPAP。

說明VE-Trac Direct產(chǎn)品特性和功能的技術(shù)細(xì)節(jié)，提供參考電路和應(yīng)用注釋，以確保產(chǎn)品以最佳方式用于其預(yù)期的最終用途。