英特爾院士魯斯·布萊恩（Ruth Brain）稱SuperFin將重構(gòu)FinFET工藝，并表示10納米SuperFin將是英特爾有史以來最大的單節(jié)點內(nèi)性能提升。
在2020英特爾架構(gòu)日上，該公司首席架構(gòu)師拉加·庫德里（Raja Koduri）領(lǐng)銜講解了英特爾過去兩年的技術(shù)進(jìn)展及未來產(chǎn)品規(guī)劃。英特爾在工藝、封裝和架構(gòu)等方面推出多項重要更新，推出10納米SuperFin技術(shù)，英特爾院士魯斯·布萊恩（Ruth Brain）稱SuperFin將重構(gòu)FinFET工藝，并表示10納米SuperFin將是英特爾有史以來最大的單節(jié)點內(nèi)性能提升。
此外，英特爾還公布了立體封裝新進(jìn)展，架構(gòu)方面公布Willow Cove微架構(gòu)和用于移動客戶端的Tiger Lake SoC技術(shù)細(xì)節(jié)，并首次公布可實現(xiàn)全擴(kuò)展的Xe圖形架構(gòu)。
英特爾近來頗多麻煩，7納米工藝受阻和蘋果宣布將采用自研PC處理器等消息打擊了英特爾股價，以至于英特爾行不行的問題再度成為熱點。從英特爾技術(shù)日上公布的技術(shù)進(jìn)展來看，通過對晶體管工藝、封裝及設(shè)計的共同優(yōu)化，英特爾沿摩爾定律推高集成度的進(jìn)度還在掌控中，只要英特爾對數(shù)據(jù)時代的需求判斷正確，英特爾仍然將是半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)引領(lǐng)者。
以10納米SuperFin技術(shù)為例，通過英特爾增強(qiáng)型FinFET晶體管與Super MIM（Metal-Insulator-Metal）電容的結(jié)合，該技術(shù)能夠提供增強(qiáng)的外延源極/漏極、改進(jìn)的柵極工藝和額外的柵極間距，并通過以下方式實現(xiàn)更高的性能：
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通過增強(qiáng)源極和漏極上晶體結(jié)構(gòu)的外延長度，從而增加應(yīng)變并減小電阻，以允許更多電流通過通道
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改進(jìn)了柵極工藝以實現(xiàn)更高的通道遷移率，從而使電荷載流子更快地移動
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附加的柵極間距選項，從而可提供更高的驅(qū)動電流
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使用新型薄壁阻隔將過孔電阻降低了30％，從而提升了互連性能
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與之前的技術(shù)相比，在同樣面積內(nèi)，電容是之前的5倍，從而減少了電壓下降，可顯著提高產(chǎn)品性
包含10納米SuperFin在內(nèi)，英特爾架構(gòu)日上公布的技術(shù)點十分密集，又比較前沿，翻譯過來難免會有失真。因此編輯部將工藝、封裝及處理器架構(gòu)部分的演講資料截圖出來，供大家參考，后續(xù)有機(jī)會，將全面解讀英特爾架構(gòu)日釋放出來的技術(shù)資料。
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