ROHM開發(fā)出具有業(yè)界超低導(dǎo)通電阻的Nch MOSFET，有助于提高應(yīng)用設(shè)備工作效率

時間：2023-04-20 16:47:57

關(guān)鍵字：工業(yè)設(shè)備電機(jī)驅(qū)動 MOSFET

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[導(dǎo)讀]新推出40V～150V耐壓的共13款產(chǎn)品，非常適用于工業(yè)設(shè)備電源和各種電機(jī)驅(qū)動

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）新推出“RS6xxxxBx / RH6xxxxBx系列”共13款Nch MOSFET*1產(chǎn)品（40V/60V/80V/100V/150V），這些產(chǎn)品非常適合驅(qū)動以24V、36V、48V級電源供電的應(yīng)用，例如基站和服務(wù)器用的電源、工業(yè)和消費(fèi)電子設(shè)備用的電機(jī)等。

近年來，全球電力需求量持續(xù)增長，如何有效利用電力已成為迫在眉睫的課題，這就要求不斷提高各種電機(jī)和基站、服務(wù)器等工業(yè)設(shè)備的工作效率。在這些應(yīng)用中，中等耐壓的MOSFET被廣泛應(yīng)用于各種電路中，制造商要求進(jìn)一步降低功耗。另一方面，“導(dǎo)通電阻”和“Qgd”是引起MOSFET功率損耗的兩項(xiàng)主要參數(shù)，但對于普通的MOSFET而言，由于導(dǎo)通電阻與芯片尺寸成反比，Qgd會成比例增加，因此很難同時兼顧這兩項(xiàng)參數(shù)。針對這個課題，ROHM通過微細(xì)化工藝、采用銅夾片連接、改進(jìn)柵極結(jié)構(gòu)等措施，改善了兩者之間的權(quán)衡關(guān)系。

新產(chǎn)品不僅利用微細(xì)化工藝提高了器件性能，還通過采用低阻值銅夾片連接的HSOP8封裝和HSMT8封裝，實(shí)現(xiàn)了僅2.1mΩ的業(yè)界超低導(dǎo)通電阻（Ron）*2，相比以往產(chǎn)品，導(dǎo)通電阻降低了50%。另外，通過改進(jìn)柵極結(jié)構(gòu)，Qgd*3（柵-漏電荷，通常與導(dǎo)通電阻之間存在權(quán)衡關(guān)系）也比以往產(chǎn)品減少了約40%（Ron和Qgd均為耐壓60V的HSOP8封裝產(chǎn)品之間的比較）。這可以降低開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗，非常有助于各種應(yīng)用產(chǎn)品的高效率工作。例如，當(dāng)在工業(yè)設(shè)備用電源評估板上比較電源效率時，新產(chǎn)品在穩(wěn)態(tài)工作時的輸出電流范圍內(nèi)，實(shí)現(xiàn)了業(yè)界超高的電源效率（峰值時高達(dá)約95%）。

新產(chǎn)品已于2023年1月開始暫以月產(chǎn)100萬個的規(guī)模投入量產(chǎn)（樣品價格500日元/個，不含稅）。另外，新產(chǎn)品也已開始電商銷售，從Ameya360，Sekorm， Oneyac，RightIC等電商平臺均可購買。

未來，ROHM將繼續(xù)開發(fā)導(dǎo)通電阻更低的MOSFET，通過助力各種設(shè)備降低功耗和更加節(jié)能，為環(huán)境保護(hù)等社會問題貢獻(xiàn)力量。