2023年9月27日，中國，蘇州——全球半導體存儲解決方案領導廠商華邦電子今日宣布推出一項強大的內存賦能技術，可助力客戶在主流應用場景中實現(xiàn)經(jīng)濟實惠的邊緣 AI 計算。華邦的CUBE (半定制化超高帶寬元件) 可大幅優(yōu)化內存技術，可實現(xiàn)在混合云與邊緣云應用中運行生成式AI的性能。
CUBE增強了前端3D結構的性能，例如chip-on-wafer（CoW）和wafer-on-wafer（WoW），以及后端2.5D/3D chip-on-Si-interposer的基板和扇出（Fan out）解決方案。CUBE專為滿足邊緣AI運算裝置不斷增長的需求而設計，能利用 3D 堆棧技術并結合異質鍵合技術而提供高帶寬低功耗的單顆256Mb 至 8Gb內存。除此之外，CUBE還能利用3D 堆棧技術加強帶寬降低數(shù)據(jù)傳輸時所需的電力。
CUBE的推出是華邦實現(xiàn)跨平臺與接口無縫部署的重要一步。CUBE適用于可穿戴設備、邊緣服務器設備、監(jiān)控設備、ADAS 及協(xié)作機器人等高級應用。
華邦表示：“CUBE架構讓AI部署實現(xiàn)了轉變，并且我們相信，云AI和邊緣AI的集成將會帶領AI發(fā)展至下一階段。我們正在通過CUBE解鎖無限全新可能，并且正在為強大的邊緣AI設備提高內存性能及優(yōu)化成本?！?/p>
CUBE的主要特性包括：
節(jié)省電耗：CUBE 提供卓越的電源效率，功耗低于 1pJ/bit，能夠確保延長運行時間并優(yōu)化能源使用。
卓越的性能：憑借32GB/s 至 256GB/s 的帶寬，CUBE 可提供遠高于行業(yè)標準的性能提升。
較小尺寸：CUBE擁有更小的外形尺寸。目前基于20nm標準，可以提供每顆芯片256Mb-8Gb容量，2025年將有16nm標準。引入硅通孔 （TSV） 可進一步增強性能，改善信號完整性、電源完整性、以9um pitch 縮小IO的面積和較佳的散熱（CUBE置下、SoC置上時）。
高經(jīng)濟效益、高帶寬：CUBE 的IO速度于1K IO可高達2Gbps，當與28nm和22nm等成熟工藝的SoC集成， CUBE 則可到達32GB/s至256GB/s帶寬，相當于HBM2帶寬, 也相當于4至32個LP-DDR4x 4266Mbps x16 IO。
SoC 芯片尺寸減?。篠oC（不帶TSV，置上）堆疊在 CUBE（帶 TSV，置下）上。如果去除 TSV 區(qū)域損失，其芯片尺寸可能會更小。能夠為邊緣AI設備帶來更明顯的成本優(yōu)勢。
華邦表示：“CUBE可以釋放混合邊緣/云AI的全部潛力，以提升系統(tǒng)功能、響應時間以及能源效率?！比A邦對創(chuàng)新與合作的承諾將會助力開發(fā)人員和企業(yè)共同推動各個行業(yè)的進步。
此外華邦還正在積極與合作伙伴公司合作建立3DCaaS平臺，該平臺將進一步發(fā)揮CUBE的能力。通過將CUBE與現(xiàn)有技術相結合，華邦能為業(yè)界提供尖端解決方案，使企業(yè)在AI驅動轉型的關鍵時代蓬勃發(fā)展。
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