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[導(dǎo)讀]設(shè)計電路時,不記得單片機復(fù)位電路原理了,所以今天特別寫了這篇文章,可以以前對電路理解不深和忘記的原因,所以特寫這篇文章,希望以后不再忘記。

設(shè)計電路時,不記得單片機復(fù)位電路原理了,所以今天特別寫了這篇文章,可以以前對電路理解不深和忘記的原因,所以特寫這篇文章,希望以后不再忘記。

1、單片機復(fù)位:分為上電復(fù)位和按鍵復(fù)位,即是連續(xù)兩個時鐘周期的高電平,單片機進(jìn)行復(fù)位

2、單片復(fù)位,其實就是工作原理就是對電容的充放電過程

3、以前理解單片機低電平復(fù)位是錯的,低電平,單片機正常工作,高電平,單片機復(fù)位。

上電/按鍵復(fù)位電路圖

解答:

開機時,電容器是空的,上電后就對電容充電。

充電電流,在電阻上形成正電壓,使得RST為高電平,單片機處于復(fù)位狀態(tài)。

充電電流逐漸減弱,電阻上電壓逐漸接近于0,RST降為低電平,單片機即開始正常工作。

手動按下SW,對電容放電,電容器里面又空了。

手松開后,電源又對電容充電,再次出現(xiàn)開機時的現(xiàn)象。 追問:嗯,是的。我又仔細(xì)琢磨琢磨,終于想通了,就是您所說的這樣。但是在這個理解的基礎(chǔ)上我又有了新的問題:(1)RST端電位從0V上升到幾伏時才算達(dá)到高電平使RST=1?(2)我們知道,晶振周期為12MHZ時,其機器周期為1μs,而RST端保持兩個機器周期的高電平時就算完成復(fù)位,也就是說保持時間要≥2μs。我的困惑是電容充電或放電時間是如何算的,按所給數(shù)據(jù)就正好能夠≥2μs嗎?

復(fù)位電路是一種能夠使芯片或微控制器在發(fā)生錯誤時重新啟動的電路。它通過將系統(tǒng)復(fù)位到特定的初始狀態(tài),以保證后續(xù)操作的正確性和可靠性。而復(fù)位電路的電容則是決定該電路復(fù)位時間長短的重要參數(shù)。

1.復(fù)位電路的電容是什么電容

復(fù)位電路的電容通常指的是集成電路(IC)上的復(fù)位電容,它常見于微控制器(MCU)等數(shù)字電路中。這個電容通常被稱為電源電容或Vcc電容,它被連接到微控制器的電源引腳和地引腳之間,以提供微控制器需要的穩(wěn)定電壓。此外,由于電容具有高斯反應(yīng)的特性,在電源波動或噪聲干擾時可以起到濾波作用,進(jìn)一步穩(wěn)定系統(tǒng)的電源。


2.復(fù)位電路的電容有什么用

復(fù)位電路的電容主要在以下兩個方面發(fā)揮作用:

提供穩(wěn)定電源:當(dāng)MCU啟動時,它需要一個干凈、穩(wěn)定的電源來確保正常操作。復(fù)位電路的電容能夠緩解電源波動和干擾對系統(tǒng)帶來的影響。

控制復(fù)位時間:復(fù)位電路的電容還可以通過其充電和放電過程來控制系統(tǒng)的復(fù)位時間。具體而言,當(dāng)MCU從電源開始運行時,電容會通過內(nèi)部充放電電路逐漸充電至一定電壓,然后觸發(fā)復(fù)位信號,從而使系統(tǒng)開始重新啟動。因此,不同大小的電容值可以控制復(fù)位電路的復(fù)位時間,以滿足不同應(yīng)用場景對于系統(tǒng)啟動時間的需求。

復(fù)位電路是一種用來使電路恢復(fù)到起始狀態(tài)的電路設(shè)備,它的操作原理與計算器有著異曲同工之妙,只是啟動原理和手段有所不同。復(fù)位電路,就是利用它把電路恢復(fù)到起始狀態(tài)。就像計算器的清零按鈕的作用一樣,以便回到原始狀態(tài),重新進(jìn)行計算。首先需要注意RST引腳上邊是否畫了一條橫線,如果畫了一條橫線,則是RST引腳接收到低電平復(fù)位,如果無橫線,則RST引腳接收到高電平復(fù)位。

復(fù)位電路的工作原理

在書本上有介紹,51單片機要復(fù)位只需要在第9引腳接個高電平持續(xù)2us就可以實現(xiàn),那這個過程是如何實現(xiàn)的呢?在單片機系統(tǒng)中,系統(tǒng)上電啟動的時候復(fù)位一次,當(dāng)按鍵按下的時候系統(tǒng)再次復(fù)位,如果釋放后再按下,系統(tǒng)還會復(fù)位。所以可以通過按鍵的斷開和閉合在運行的系統(tǒng)中控制其復(fù)位。

開機的時候為什么為復(fù)位?

在電路圖中,電容的的大小是10uf,電阻的大小是10k。所以根據(jù)公式,可以算出電容充電到電源電壓的0.7倍(單片機的電源是5V,所以充電到0.7倍即為3.5V),需要的時間是10K*10UF=0.1S。也就是說在電腦啟動的0.1S內(nèi),電容兩端的電壓時在0~3.5V增加。這個時候10K電阻兩端的電壓為從5~1.5V減少(串聯(lián)電路各處電壓之和為總電壓)。所以在0.1S內(nèi),RST引腳所接收到的電壓是5V~1.5V。在5V正常工作的51單片機中小于1.5V的電壓信號為低電平信號,而大于1.5V的電壓信號為高電平信號。所以在開機0.1S內(nèi),單片機系統(tǒng)自動復(fù)位(RST引腳接收到的高電平信號時間為0.1S左右)。

按鍵按下的時候為什么會復(fù)位?

在單片機啟動0.1S后,電容C兩端的電壓持續(xù)充電為5V,這是時候10K電阻兩端的電壓接近于0V,RST處于低電平所以系統(tǒng)正常工作。當(dāng)按鍵按下的時候,開關(guān)導(dǎo)通,這個時候電容兩端形成了一個回路,電容被短路,所以在按鍵按下的這個過程中,電容開始釋放之前充的電量。隨著時間的推移,電容的電壓在0.1S內(nèi),從5V釋放到變?yōu)榱?.5V,甚至更小。根據(jù)串聯(lián)電路電壓為各處之和,這個時候10K電阻兩端的電壓為3.5V,甚至更大,所以RST引腳又接收到高電平。單片機系統(tǒng)自動復(fù)位。

復(fù)位電路中電容的作用

電阻的作用不是限制電流的大小,而是控制復(fù)位時間。電容充電時間與R C的值成正比。復(fù)位電路中的電容只是在上電那一會兒起作用,充電瞬間電容有電流流過,所以RST端得到高電平,充電結(jié)束后沒有電流了,則RST端變?yōu)榈碗娖健? 晶振電路在單片機內(nèi)部有相應(yīng)的電路,電路里一定會有電源的。讓復(fù)位端電平與電源電平變化不同步讓復(fù)位端電平的上升落后于電源電平的上升,在一小段時間內(nèi)造成這樣的局面:

1、電源達(dá)到正常工作電源;

2、復(fù)位電平低于低電平閾值(被當(dāng)作邏輯0);

這種狀態(tài)就是復(fù)位狀態(tài)。僅用一個電阻是不可能同時實現(xiàn)這兩條的。復(fù)位,就是提供一個芯片要求的復(fù)位條件,一般是N個機器周期的固定電平。低電平復(fù)位就是芯片可正常工作后保持N個以上周期的低然后變高即可。高電平復(fù)位就是芯片可正常工作侯保持N個周期以上的高然后變低即可。

另一種解釋:

上電瞬間,由于電容兩端電壓不能突變,RST引腳電壓端為VR為VCC,隨著對電容的充電,RST引腳的電壓呈指數(shù)規(guī)律下降,到t1時刻,VR降為3.6V,隨著對電容充電的進(jìn)行,VR最后將接近0V。為了確保單片機復(fù)位,t1必須大于兩個機器周期的時間,機器周期取決于單片機系統(tǒng)采用的晶振頻率,R不能取得太小,典型值 8.2kΩ;t1與RC 電路的時間常數(shù)有關(guān),由晶振頻率和R可以算出C的取值。

假設(shè)高電平復(fù)位有效,一充一放周期是1.386*RC,舍去充放過程中較低的電平,一般的單片機復(fù)位脈沖寬度取值:(0.7~1)RC 反正都是大概的,電平保持時間越長越好,電容大點好。單位是:(R)*(C)=(歐姆)*(法拉)=秒

例如:R=470K,C=0.15UF 則延時時間是(470*1000)*(0.15/1000000)=0.0705秒。

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