今天，小編將在這篇文章中為大家?guī)?a href="/tags/MOSFET" target="_blank">MOSFET漏極導通特性的有關(guān)報道，通過閱讀這篇文章，大家可以對MOSFET具備清晰的認識，主要內(nèi)容如下。
MOSFET的漏極導通特性如下圖所示，根據(jù)功率MOSFET輸出特征，工作區(qū)也可以分為三個區(qū)：關(guān)斷區(qū)、線性區(qū)和可變電阻區(qū)。
圖 MOSFET典型的漏極導通特性
當驅(qū)動開通脈沖加到MOSFET的G和S極時，Vgs的電壓逐漸升高時，MOSFET的開通軌跡A-B-C-D見下圖的路線所示。
圖：功率MOSFET的開通軌跡
(1) 截止區(qū)
開通前MOSFET起始工作點位于上圖的右下角A點以下，Vgs的電壓逐漸升高，Id電流為0，Vgs的電壓從0上升到Vth，Id電流從0開始逐漸增大。
(2) 恒流區(qū)
動態(tài)恒流區(qū)就是圖中的A-B，也就是Vgs電壓從Vth增加到米勒平臺電壓Vgs(pl)的區(qū)間，從這個過程可以非常直觀的發(fā)現(xiàn)：MOSFET工作在恒流區(qū)，因為Vgs的電壓在變化，這個過程是一個動態(tài)恒流的過程，也就是Vgs電壓和Id電流自動找平衡的動態(tài)過程。Vgs電壓的變化伴隨著Id電流相應(yīng)的變化，其變化關(guān)系就是MOSFET的跨導gfs：
在這個過程中，Vgs電壓保持不變，Vgd的電壓為Vgs-Vds，為負壓，就是D的電壓高于G。當Id電流達到負載的最大允許電流ID(max)時，MOSFET進入下一個工作區(qū)：米勒平臺區(qū)。
(3) 米勒平臺區(qū)
從B點開始，Vds開始下降，Vgd負電壓絕對值也開始下降，只要D極電壓開始變化，就會產(chǎn)生非常大的dv/dt，通過電容Crss，產(chǎn)生的電流為：
這個電流足夠大，可以將驅(qū)動電路能夠提供的電流都抽取過去，驅(qū)動電路的電流幾乎全部流過Crss，以掃除Crss電容存儲的電荷，這樣Cgs電容幾乎沒有電流流過，柵極電壓也就基本維持不變，可以看到Vgs在一段時間B-C內(nèi)維持一個平臺電壓，這就是米勒平臺區(qū)。
對于增強型MOSFET（Enhancement-Mode MOSFET），在沒有施加足夠的正向電壓（稱為閾值電壓）到柵極上時，它處于截止狀態(tài)，漏極電流極小。只有當柵極施加了大于閾值電壓的正向電壓時，才會形成一個導電通道，允許電流從漏極到源極流過。因此，增強型MOSFET的漏極導通特性是需要外部輸入適當?shù)男盘栆源蜷_導電通道的。
對于耗盡型MOSFET（Depletion-Mode MOSFET），在沒有施加負向電壓到柵極上時，它處于導通狀態(tài)，漏極電流存在。當柵極施加負向電壓時，負向電壓會排斥導電通道中的載流子，使得通道變窄或關(guān)閉，減小或截止漏極電流。
不同類型的MOSFET具有不同的工作特性和開啟條件，因此在設(shè)計電路時需要根據(jù)具體型號和應(yīng)用要求選擇合適的MOSFET類型，以確保所需的漏極導通特性得到滿足。
功率MOSFET工作在線性區(qū)時，器件承受高的電壓和耗盡層高壓偏置會產(chǎn)生什么影響？
功率MOSFET工作在線性區(qū)時，器件承受高的電壓，耗盡層高壓偏置導致有效的體電荷減小;工作電壓越高，內(nèi)部的電場越高，電離加強產(chǎn)生更多電子-空穴對，形成較大的空穴電流。 特別是如果工藝不一致，局部區(qū)域達到臨界電場，會產(chǎn)生非常強的電離和更大的空穴電流，增加寄生三極管導通的風險。
以上便是小編此次帶來的有關(guān)MOSFET漏極導通特性的全部內(nèi)容，十分感謝大家的耐心閱讀，想要了解更多相關(guān)內(nèi)容，或者更多精彩內(nèi)容，請一定關(guān)注我們網(wǎng)站哦。
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