絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)作為電力電子領(lǐng)域的核心元件,其損耗與結(jié)溫的計算對于電路的設(shè)計與優(yōu)化至關(guān)重要。本文將從IGBT的損耗類型出發(fā),詳細闡述其計算方法,并進一步探討結(jié)溫的計算公式與步驟,以期為工程師們提供有益的參考。
一、IGBT損耗的類型與計算
IGBT的損耗主要分為導(dǎo)通損耗(Pcond)和開關(guān)損耗(Psw)兩部分。
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導(dǎo)通損耗(Pcond)
導(dǎo)通損耗是指IGBT在導(dǎo)通狀態(tài)下,由于電流通過器件內(nèi)部的正向電壓降(Vceon)所產(chǎn)生的損耗。其計算公式為:
Pcond=Vceon×Icav其中,Vceon為IGBT的導(dǎo)通電壓降,Icav為平均導(dǎo)通電流。值得注意的是,IGBT的導(dǎo)通電壓降并非固定值,它隨著電流和結(jié)溫的變化而變化。為了簡化計算,通常將導(dǎo)通電壓降近似為電流的線性函數(shù),并考慮溫度的影響。
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開關(guān)損耗(Psw)
開關(guān)損耗是指IGBT在開關(guān)過程中,由于電流和電壓的快速變化所產(chǎn)生的損耗。開關(guān)損耗可以分為開關(guān)過渡損耗(Pswg)和開關(guān)導(dǎo)通損耗(Pswc)兩部分。
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開關(guān)過渡損耗(Pswg):由開關(guān)過程中外部負載電流和電壓變化引起。其計算公式為:
Pswg=(TonEon×(Ic+IL)×TTon)+(ToffEoff×(Ic+IL)×TToff)其中,Eon和Eoff分別為開關(guān)過程中的功耗,Ton和Toff分別為開斬波時間和關(guān)斬波時間,Ic為平均導(dǎo)通電流,IL為負載電流,T為一個周期時間。
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開關(guān)導(dǎo)通損耗(Pswc):由IGBT從關(guān)態(tài)切換到導(dǎo)通態(tài)時,電導(dǎo)下降導(dǎo)致。其計算公式為:
Pswc=(TconEcon×(Ic+IL)×TTcon)其中,Econ為開關(guān)導(dǎo)通過程中的功耗,Tcon為開關(guān)導(dǎo)通時間。
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二、IGBT結(jié)溫的計算
IGBT的結(jié)溫計算是評估其熱性能和可靠性的關(guān)鍵。結(jié)溫的計算通?;跓犭婑詈夏P?,該模型將IGBT的功率損耗轉(zhuǎn)換為熱應(yīng)力,并通過熱網(wǎng)絡(luò)模型來求解結(jié)溫。
基本的結(jié)溫計算公式為:
其中,Tj為IGBT的結(jié)溫,Ta為環(huán)境溫度,Rth(j?a)為熱阻,Ploss為IGBT的總損耗(包括導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗)。
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熱阻的計算
熱阻是反映熱量傳遞難易程度的重要參數(shù)。它可以通過實驗測量或仿真分析得到。在實際應(yīng)用中,IGBT模塊的數(shù)據(jù)手冊通常會提供不同條件下的熱阻數(shù)據(jù)。
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總損耗的計算
總損耗是導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗的疊加。如前所述,導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗的計算需要考慮多種因素,如電流、電壓、開關(guān)頻率、結(jié)溫等。在得到這些損耗值后,將其相加即可得到總損耗。
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迭代計算
由于IGBT的導(dǎo)通電壓降和開關(guān)損耗均隨結(jié)溫的變化而變化,因此結(jié)溫的計算需要經(jīng)過多次迭代。在迭代過程中,首先根據(jù)初始條件計算損耗和結(jié)溫,然后將計算得到的結(jié)溫作為新的輸入條件重新計算損耗和結(jié)溫,直到滿足收斂條件為止。
三、結(jié)論
IGBT的損耗與結(jié)溫計算是電力電子領(lǐng)域的重要課題。通過合理的計算方法和步驟,可以準確評估IGBT的熱性能和可靠性,為電路的設(shè)計與優(yōu)化提供有力支持。本文詳細介紹了IGBT損耗的類型與計算方法,以及結(jié)溫的計算公式與步驟,希望能夠為工程師們提供有益的參考。