利用運(yùn)算放大器設(shè)計(jì)一種壓控電流源電路
在電壓控制電流源電路中,顧名思義,輸入端的少量電壓將按比例控制輸出負(fù)載的電流。這種類型的電路通常用于電子驅(qū)動(dòng)電流控制器件,如BJT,可控硅等。我們知道,在BJT中,流過晶體管基極的電流控制著晶體管閉合的程度,這種基極電流可以由許多類型的電路提供,一種方法是使用這種電壓控制電流源電路。你也可以檢查恒流電路,它也可以用來驅(qū)動(dòng)電流控制設(shè)備。
在這個(gè)項(xiàng)目中,我們將解釋如何設(shè)計(jì)一個(gè)使用運(yùn)算放大器的電壓控制電流源,并構(gòu)建它來演示其工作原理。這種類型的電壓控制電流源電路也被稱為電流伺服。該電路非常簡(jiǎn)單,可以用最少數(shù)量的元件構(gòu)成。
運(yùn)算放大器基礎(chǔ)
要了解這個(gè)電路的工作原理,就必須知道運(yùn)算放大器是如何工作的。
上圖是一個(gè)運(yùn)算放大器。放大器放大信號(hào),但除了放大信號(hào),它還可以進(jìn)行數(shù)學(xué)運(yùn)算。運(yùn)算放大器或運(yùn)算放大器是模擬電子學(xué)的支柱,用于許多應(yīng)用,如求和放大器,差分放大器,儀表放大器,運(yùn)算放大器積分器等。
如果我們仔細(xì)觀察上面的圖像,就會(huì)發(fā)現(xiàn)有兩個(gè)輸入和一個(gè)輸出。這兩個(gè)輸入有正號(hào)和負(fù)號(hào)。正輸入稱為非反相輸入,負(fù)輸入稱為反相輸入。
放大器工作的第一條規(guī)則是使這兩個(gè)輸入之間的差始終為零。為了更好地理解,讓我們看看下面的圖片
上述放大電路是電壓跟隨器電路。輸出連接在負(fù)端,使其成為一個(gè)1x增益放大器。因此,輸入端給定的電壓在輸出端可用。
如前所述,運(yùn)算放大器使兩個(gè)輸入的微分為0。由于輸出端與輸入端相連,運(yùn)算放大器將產(chǎn)生與另一個(gè)輸入端相同的電壓。因此,如果在輸入端給出5V,由于放大器輸出連接在負(fù)端,它將產(chǎn)生5V,最終證明5V - 5V = 0規(guī)則。這發(fā)生在所有放大器的負(fù)反饋操作中。
電壓控制電流源的設(shè)計(jì)
按照同樣的規(guī)則,讓我們看看下面的電路。
現(xiàn)在,運(yùn)算放大器的輸出不是直接連接到負(fù)輸入,而是通過N溝道MOSFET連接的分流電阻產(chǎn)生負(fù)反饋。運(yùn)算放大器輸出通過Mosfet柵極連接。
我們假設(shè),在運(yùn)放的正輸入端有1V的輸入。運(yùn)算放大器將不惜任何代價(jià)使負(fù)反饋路徑為1V。輸出將打開MOSFET以在負(fù)端獲得1V。并聯(lián)電阻器的規(guī)則是根據(jù)歐姆定律產(chǎn)生降電壓,V= IR。因此,如果1A的電流流過1歐姆電阻,將產(chǎn)生1V的降電壓。
運(yùn)算放大器將使用這個(gè)降電壓并獲得所需的1V反饋?,F(xiàn)在,如果我們連接一個(gè)需要電流控制的負(fù)載,我們可以使用這個(gè)電路并將負(fù)載放置在適當(dāng)?shù)奈恢谩?
運(yùn)放電壓控制電流源的詳細(xì)電路圖見下圖
構(gòu)建
為了構(gòu)造這個(gè)電路,我們需要一個(gè)運(yùn)算放大器。LM358是一個(gè)非常便宜,容易找到的運(yùn)算放大器,它是這個(gè)項(xiàng)目的完美選擇,但是,它在一個(gè)封裝中有兩個(gè)運(yùn)算放大器通道,但我們只需要一個(gè)。我們以前已經(jīng)構(gòu)建了許多基于LM358的電路,您也可以查看它們。下圖是LM358引腳圖的概述。
接下來,我們需要一個(gè)N溝道MOSFET,對(duì)于使用IRF540N,其他MOSFET也可以工作,但請(qǐng)確保MOSFET封裝在需要時(shí)可以選擇連接額外的散熱器,并且需要仔細(xì)考慮根據(jù)需要選擇適當(dāng)?shù)腗OSFET規(guī)格。IRF540N引腳如下圖所示
第三個(gè)要求是并聯(lián)電阻。我們用10歐姆2瓦的電阻。另外需要兩個(gè)電阻,一個(gè)用于MOSFET柵極電阻,另一個(gè)是反饋電阻。這兩個(gè)是減少載荷效應(yīng)所必需的。然而,這兩個(gè)電阻之間的下降是可以忽略不計(jì)的。
現(xiàn)在,我們需要一個(gè)電源,它是一個(gè)工作臺(tái)電源。臺(tái)架電源有兩個(gè)通道。其中一個(gè),第一通道用于為電路提供電源,另一個(gè)是第二通道,用于提供可變電壓來控制電路的源電流。由于控制電壓是從外部源施加的,兩個(gè)通道需要處于相同的電位,因此第二個(gè)通道的接地端子穿過第一通道的接地端子連接。
然而,這個(gè)控制電壓可以從使用任何類型的電位器的可變分壓器給出。在這種情況下,一個(gè)電源就足夠了。因此,需要下列元件來制造電壓控制的可變電流源
?運(yùn)算放大器LM358)
?MOSFET (IRF540N)
?分流電阻(1歐姆)
?1 k電阻
?10 k電阻
?電源(12V)
?電源單元
?面包板和額外的連接線
電壓控制電流源工作
電路是在面包板中構(gòu)造的,用于測(cè)試,如下圖所示。負(fù)載不連接在電路中,使其接近理想的0歐姆(短路),用于測(cè)試電流控制操作。
輸入電壓從0.1V變?yōu)?.5V,電流的變化反映在另一個(gè)通道上。如下圖所示,0.4V輸入,0電流輸出,有效地使第二通道在9V輸出下吸取400mA電流。電路使用9V電源供電。
您還可以查看本頁(yè)底部的視頻以了解詳細(xì)工作。它的響應(yīng)取決于輸入電壓。例如,當(dāng)輸入電壓為0.4 v時(shí),運(yùn)算放大器將響應(yīng)其反饋引腳具有相同的0.4 v電壓。運(yùn)算放大器的輸出導(dǎo)通并控制MOSFET,直到通過分流電阻的電壓降變?yōu)?.4 v。
歐姆定律適用于這種情況。如果通過電阻的電流為400mA (. 4a),則電阻僅產(chǎn)生0.4 v降。這是因?yàn)殡妷?電流x電阻。因此,0.4 v = . 4a × 1歐姆。
在這種情況下,如果我們像原理圖中所描述的那樣串聯(lián)一個(gè)負(fù)載(電阻負(fù)載),在電源的正極和MOSFET的漏極引腳之間,運(yùn)算放大器將打開MOSFET,并且通過產(chǎn)生與以前相同的壓降,相同數(shù)量的電流將流過負(fù)載和電阻。
因此,我們可以說通過負(fù)載的電流(電流是源的)等于通過MOSFET的電流,也等于通過分流電阻的電流。把它化成數(shù)學(xué)形式,我們得到,
如前所述,電壓降將與運(yùn)放兩端的輸入電壓相同。因此,如果輸入電壓發(fā)生變化,通過負(fù)載的電流源也會(huì)發(fā)生變化。因此,
改進(jìn)設(shè)計(jì)
1.電阻瓦數(shù)的增加可以改善并聯(lián)電阻間的散熱。選擇分流電阻的瓦數(shù)可以用Rw = I2R,其中Rw為電阻瓦數(shù),I為最大源電流,R為分流電阻的值。
2.與LM358一樣,許多運(yùn)放ic在單個(gè)封裝中具有兩個(gè)運(yùn)放。如果輸入電壓過低,第二個(gè)未使用的運(yùn)算放大器可以根據(jù)需要放大輸入電壓。
3.為了改善熱和效率問題,低導(dǎo)通電阻mosfet可以與適當(dāng)?shù)纳崞饕黄鹗褂谩?
本文編譯自circuitdigest