• 3．7 GHz寬帶CMOS LC VCO的設計

    設計了一款3．7 GHz寬帶CMOS電感電容壓控振蕩器。采用了電容開關的技術以補償工藝、溫度和電源電壓的變化，并對片上電感和射頻開關進行優(yōu)化設計以得到最大的Q值。電路采用和艦0．18 μm CMOS混合信號制造工藝，芯片面積為0．4 mm×1 mm。測試結果顯示，芯片的工作頻率為3．4~4 GHz，根據(jù)輸出頻譜得到的相位噪聲為一100 dBc／Hz@1 MHz，在1．8V工作電壓下的功耗為10 mW。測試結果表明，該VCO有較大的工作頻率范圍和較低的相位噪聲性能，可以用于鎖相環(huán)和頻率合成器。

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    2009-04-20
    CMOS 寬帶 HZ BSP

  • DC～40 GHz反射型GaAs MMIC SPST開關

    介紹了基于GaAs PHEMT工藝設計的一款寬帶反射型MMIC SPST開關的相關技術，基于成熟的微波單片集成電路設計平臺開展了寬帶SPST開關設計。工作頻率范圍為DC~40 GHz，插入損耗≤0．8 dB，隔離度≥25 dB，駐波比≤1．4：l。同時，對電路的通孔特性進行了分析，對電路設計流程進行了闡述。要獲得期望帶寬的開關，如何選擇控制器件的通孔連接方式，以及通孔數(shù)量對插入損耗等性能的影響。最終，具有小尺寸和優(yōu)異微波性能的GaAs微波單片集成單刀單擲開關電路成功開發(fā)。

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    2009-04-20
    開關 反射 ST PS

  • 多功能電力儀表計量芯片

    介紹了SA9904B，ATT7026A及CS5463等三相高精度電能計量芯片的原理，比較了芯片的性能指標。SA9904B提供有功、無功電能，但不提供視在功率和相角等參數(shù)；ATT7026A提供各分相、合相參數(shù)，但不具有中斷功能；CS5463不但提供各種計量參數(shù)，且具有中斷，更有低于12 mW的超低功耗。

  • 基于地磁測量的彈體滾轉角測量系統(tǒng)設計

    利用多個微脈沖發(fā)動機進行彈道修正是提高武器系統(tǒng)射擊精度的有效手段。而脈沖發(fā)動機的點火策略是以彈體的滾轉角測量為基礎。選用MR作為磁測量元件，設計了基于地磁測量的彈體滾轉角測量系統(tǒng)。對系統(tǒng)的精度、實時性進行了分析；給出了初步的實驗數(shù)據(jù)仿真結果。結果表明：利用該系統(tǒng)測量彈體的滾轉角是可行的．但測量精度較低，必須進行必要的誤差補償研究。

  • 集成專用驅動器在開關電源中的應用

    介紹了開關電源中驅動部分的工作情況，集中說明了柵極專用驅動器IR2110的使用方法及其抗干擾措施。由于IR2110本身的缺陷，常規(guī)使用方法只能適合小功率場合，在中大功率場合根本無法使用。

  • 集成專用驅動器在開關電源中的應用

    ADSL接入技術已成為終端用戶最主要的寬帶接入技術。ADSL技術的關鍵是ADSL調制解調器，即ADSLMODEM。ADSL用戶端調制解調器驅動器是一個寬頻帶功率放大器，他能不失真放大和傳輸電話線上已編碼的數(shù)字信號。本文通過對ADSL調制解調器驅動器特點、結構和性能的分析，給出了一種ADSL用戶端MODEM驅動器的實現(xiàn)電路。

  • 微波pin二極管電阻與溫度的關系

    研究了四種pin二極管電阻的溫度特性。結果表明二極管結面積的大小，也就是二極管結電容的大小，影響著二極管的表面復合和二極管的載流子壽命，決定了二極管的溫度性能。器件的鈍化方式和幾何結構對二極管電阻的溫度性能影響不大。結電容為0．1～1．0 pF的微波二極管，具有正的溫度系數(shù)，約為線性關系，結電容越大，電阻隨溫度變化越大。研究結果可以用來預測pin二極管開關和衰減器的溫度性能，進一步可以應用于電路溫度補償設計。

  • LED光源在礦井工作面照明燈中的應用

    對目前我國煤礦用燈作了簡單的介紹，指出了煤礦用燈的發(fā)展方向應為節(jié)能、本質安全型；闡述了采煤工作面本質安全型LED照明燈應該具備的條件，分析了LED的發(fā)光機理。通過光譜分析，得出了LED在實際照明應用中散熱的重要性；介紹了LED燈的一次散熱方法及二次散熱方法；對LED燈隔爆兼本安驅動電路作了設計并對小功率LED燈進行了合理的排列，結果表明隔爆兼本質安全型LED照明燈在采煤工作面是完全可以應用并具備廣泛發(fā)展前景的。

  • 8 bit 800 Msps高速采樣保持電路的設計

    為適應目前無線通信領域對高速A／D轉換器的要求，采用在Cadence Spectre環(huán)境下進行仿真驗證的方法，對高速A／D前端采樣保持電路進行了研究。提出的高速采樣保持電路(SH)采用SiGe BiCMOS工藝設計，該工藝提供了0．35μm的CMOS和46 GHz fT的SiGe HBT?；贐iCMOS開關射極跟隨器(SEF)的SH，旨在比二極管橋SH消耗更少的電流和面積。在SH核心，電源電壓3．3 V，功耗44 mW。在相干采樣模式下，時鐘頻率為800 MHz時，其無雜波動態(tài)范圍(SFDR)為一52．8 dB，總諧波失真(THD)為一50．4 dB，滿足8 bit精度要求。結果顯示設計的電路可以用于中精度、高速A／D轉換器。

  • 集成電路Cu互連線的XRD研究

    對硫酸鹽體系中電鍍得到的Cu鍍層，使用XRD研究不同電沉積條件、不同襯底和不同厚度鍍層的織構情況和擇優(yōu)取向。對比了直流電鍍和脈沖電鍍在有添加劑和無添加劑條件下的織構情況。實驗結果表明，對于在各種條件下獲得的lμm Cu鍍層，均呈現(xiàn)(111)晶面擇優(yōu)，這樣的鍍層在集成電路Cu互連線中有較好的抗電遷移性能。

  • 新型部分耗盡SOI器件體接觸結構

    提出了一種部分耗盡SOI MOSFET體接觸結構，該方法利用局部SIMOX技術在晶體管的源、漏下方形成薄氧化層，采用源漏淺結擴散，形成體接觸的側面引出，適當加大了Si膜厚度來減小體引出電阻。利用ISE一TCAD三維器件模擬結果表明，該結構具有較小的體引出電阻和體寄生電容、體引出電阻隨器件寬度的增加而減小、沒有背柵效應。而且，該結構可以在不增加寄生電容為代價的前提下，通過適當?shù)脑黾觭i膜厚度的方法減小體引出電阻，從而更有效地抑制了浮體效應。

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    2009-04-16
    器件 電容 BOX BSP

  • ∑-△ADC的降采樣濾波器的設計與實現(xiàn)

    介紹了一種帶寬150 kHz、16 bit的∑-△模數(shù)轉換器中的降采樣低通濾波器的設計和實 現(xiàn)。系統(tǒng)采用Sharpened CIC(cascaded integrator-comb)和ISOP(interpolated second-order polynomials)頻率補償技術對通帶的下降進行補償，最后級聯(lián)三個半帶濾波器輸出。芯片采用SMIC O．18μmCMOS工藝實現(xiàn)，系統(tǒng)仿真和芯片測試結果表明，性能滿足設計指標要求。與傳統(tǒng)音頻領域的∑-△ADC應用相比，該設計在很大程度上拓展了處理帶寬，提高了處理精度，并且便于集成在SOC芯片中，主要應用于醫(yī)療儀器、移動通信、過程控制和PDA(personal digital assistants)等領域。

  • SiC襯底X波段GaN MMIC的研究

    使用國產(chǎn)6H—SiC襯底的GaN HEMT外延材料研制出高工作電壓、高輸出功率的A1GaN／GaN HEMT。利用ICCAP軟件建立器件大信號模型，利用ADS軟件仿真優(yōu)化了雙級GaNMMIC，研制出具有通孔結構的GaN MMIC芯片，連續(xù)波測試顯示，頻率為9．1～10．1 GHz時連續(xù)波輸出功率大于10W，帶內增益大于12 dB，增益平坦度為±0．2 dB。該功率單片為第一個采用國產(chǎn)SiC襯底的GaN MMIC。

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    2009-04-16
    波段 GAN SIC BSP

  • 一種應用于SoC的高速數(shù)模轉換器的設計

    本文提出了一種應用于SoC的高速高精度DAC的設計，并在深亞微米CMOS工藝下實現(xiàn)了IP硬核形式的設計。該設計在高速條件下具有良好的性能，且功耗與面積都較小，能夠有效滿足通信、測量、自動控制、多媒體等領域的SoC系統(tǒng)設計的應用需求。

  • 電控柜的兼容設計

    文章介紹了電磁干擾的基本概念和造成電磁干擾的因素，從這些因素入手實現(xiàn)電控柜電磁兼容的主要方法。

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