叉指結(jié)構(gòu)在單片晶體濾波器中的應(yīng)用
摘要:剖析了一種復(fù)合型寬帶單片式晶體濾波器。從單片晶體濾波器和又指換能器的原理出發(fā)對(duì)該濾波器進(jìn)行了理論分析,然后使用仿真軟件模擬了叉指結(jié)構(gòu)對(duì)單片式晶體濾波器的影響。最后通過(guò)實(shí)驗(yàn)證明了插指結(jié)構(gòu)對(duì)晶體濾波器具有調(diào)整矩形系數(shù),增加帶外抑制和頻率微調(diào)的作用。
關(guān)鍵詞:單片晶體濾波器;插指換能器;矩形系數(shù);帶外抑制
0 引言
濾波器是頻率選擇系統(tǒng)中的關(guān)鍵元器件,在通信、導(dǎo)航、廣播電視、宇航工程的電子設(shè)備中,占有重要的地位。隨著1963年能陷理論的出現(xiàn),在1966年日本東京大學(xué)工業(yè)科學(xué)學(xué)院和美國(guó)貝爾實(shí)驗(yàn)室分別研制出單片式晶體濾波器(MCF)。單片晶體濾波器通過(guò)在壓電材料的基片上應(yīng)用真空鍍膜的方式,鍍上若干有確定位置和確定尺寸形狀的電極,按照濾波的需求有目的的通過(guò)設(shè)計(jì)來(lái)確定每個(gè)諧振器的幾何尺寸,鍍回頻率以及諧振器之間的距離,來(lái)控制機(jī)械振動(dòng)波在基片上的傳播,從而達(dá)到將電信號(hào)濾波的目的。
1 單片式寬帶晶體濾波器簡(jiǎn)介
石英晶體濾波器具有插入損耗小,穩(wěn)定度高,品質(zhì)因數(shù)高等特點(diǎn),但是石英晶體也有機(jī)電耦合系數(shù)小,串并聯(lián)諧振頻率間隔小的固有局限性,通常用于實(shí)現(xiàn)相對(duì)帶寬在0.35%以下的濾波器,對(duì)于相對(duì)帶寬超過(guò)1%的濾波器就必須在晶體濾波器中加入展寬線圈,通過(guò)串聯(lián)或者并聯(lián)電感來(lái)調(diào)節(jié)晶體諧振器的串聯(lián)或并聯(lián)諧振頻率,從而達(dá)到展寬頻帶的作用;鈮酸鋰、鉭酸鋰等材料制作寬帶晶體濾波器因?yàn)槠錂C(jī)電耦合系數(shù)大,是石英晶體的5~6倍,制作的晶體濾波器相對(duì)帶寬能夠達(dá)到0.2%~5%,但鈮酸鋰、鉭酸鋰材料溫度穩(wěn)定性不如石英晶體;近些年來(lái)發(fā)展的硅酸鎵鑭等新型晶體濾波器,能夠制作出相對(duì)帶寬在0.3%~0.8%之間相對(duì)比較寬的性能優(yōu)良的寬帶晶體濾波器。
在某型設(shè)備中,應(yīng)用了大量的晶體濾波器,通過(guò)對(duì)種類繁多的晶體濾波器研究后發(fā)現(xiàn):與普通4極點(diǎn)晶體濾波器不同的是,在這些晶體濾波器內(nèi)部存在由叉指結(jié)構(gòu)組成的區(qū)域,這里稱為微調(diào)區(qū),其中以這款中心頻率為12.1 MHz,3 dB帶寬,240 kHz的寬帶晶體濾波器最具有典型代表意義。
通過(guò)圖1可以看出該單片式晶體濾波器是典型的4極點(diǎn)單片晶體濾波器,并且在輸入和輸出端加入了輔助放大電路,這樣設(shè)計(jì)的好處是濾波器的頻率特性內(nèi)部已調(diào)試好,使用者無(wú)需任何外部補(bǔ)償,便于濾波器在各種產(chǎn)品中應(yīng)用。
微調(diào)區(qū)由左右對(duì)稱的指間距均勻等指長(zhǎng)的叉指結(jié)構(gòu)組成,如圖2所示。
2 叉指結(jié)構(gòu)對(duì)單片晶體濾波器性能改善的理論分析和模擬
叉指換能器的脈沖響應(yīng)模型表明均勻叉指結(jié)構(gòu)的幅頻特性:
式中:K2是機(jī)電耦合系數(shù);Cr是總靜態(tài)電容;N是叉指換能器的周期數(shù);f0是中心頻率。
單片晶體濾波器在設(shè)計(jì)時(shí)通常采用巴特沃茲或者切比雪夫?yàn)V波器形式進(jìn)行設(shè)計(jì),理想情況下4極點(diǎn)巴特沃茲帶通濾波器的系統(tǒng)函數(shù)的幅頻特性為:
式中B3是3 dB帶寬。
叉指等長(zhǎng)的情況下,當(dāng)叉指的間隔取特定值時(shí),在特定頻率上衰減很小,波形類似sa函數(shù),針對(duì)微調(diào)區(qū)這種結(jié)構(gòu)排列的叉指系統(tǒng)函數(shù)幅頻特性描述如下:
4極點(diǎn)晶體濾波器,中間加入叉指結(jié)構(gòu)后的系統(tǒng)函數(shù)的幅頻特性為:
用Matlab對(duì)上述情況進(jìn)行模擬(在此為了方便分析忽略叉指結(jié)構(gòu)的部分)并且針對(duì)真實(shí)晶體濾波器的系統(tǒng)函數(shù),對(duì)上式調(diào)整如下:
通過(guò)圖3可以看出,叉指結(jié)構(gòu)對(duì)晶體濾波器有改善矩形系數(shù)的作用。
用Matlab對(duì)改變叉指連接數(shù)目進(jìn)行模擬,結(jié)果如圖4(上邊帶)所示。
通過(guò)仿真可以看出,通過(guò)控制左右連接叉指結(jié)構(gòu)的數(shù)目可以比較精確的在一定范圍內(nèi)調(diào)整濾波器上、下邊帶頻率。
3 驗(yàn)證實(shí)驗(yàn)
通過(guò)實(shí)驗(yàn)來(lái)檢驗(yàn)叉指結(jié)構(gòu)對(duì)晶體濾波器性能的影響,實(shí)驗(yàn)方法是將叉指連接逐個(gè)拆除,對(duì)比每次拆除叉指后的濾波器頻率響應(yīng),從圖5(用外加電容補(bǔ)償叉指靜態(tài)電容后,相同帶寬情況下)可以看出叉指結(jié)構(gòu)對(duì)晶體濾波器具有改善矩形系數(shù),增加帶外抑制的作用。而從圖6中可以看出逐個(gè)拆除叉指連接的漸變過(guò)程,從這個(gè)過(guò)程可以看出,通過(guò)調(diào)整連接叉指的數(shù)目可以比較準(zhǔn)確的微調(diào)濾波器的帶寬。
單片式晶體濾波器有以下兩個(gè)缺點(diǎn):
(1)上通帶波紋度較大,受到相對(duì)鍍回頻率△的影響大。
(2)截止特性不對(duì)稱:上測(cè)阻帶衰減緩慢,上測(cè)通帶較寬。
在實(shí)際實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證過(guò)程中發(fā)現(xiàn),叉指結(jié)構(gòu)對(duì)上邊帶的影響較大,這是由于叉指的頻率略低于中心頻率造成的,可以改善上面提到單片晶體濾波器的兩個(gè)缺點(diǎn)。
4 結(jié)語(yǔ)
本文通過(guò)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了叉指結(jié)構(gòu)對(duì)單片晶體濾波器能夠起到調(diào)整矩形系數(shù),增加帶外抑制和頻率微調(diào)的作用。寬帶單片晶體濾波器具有頻帶寬,體積小,易于調(diào)整等特點(diǎn),能夠在單片晶體濾波器內(nèi)部預(yù)先設(shè)置叉指結(jié)構(gòu)對(duì)產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)微調(diào),這種方法對(duì)改善單片濾波器性能和減小產(chǎn)品體積是大有益處的。