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[導(dǎo)讀]摘要:海洋儀器在后期數(shù)據(jù)分析處理時數(shù)據(jù)存儲電路是不可或缺的。針對海洋儀器對數(shù)據(jù)存儲大容量非易失的要求,結(jié)合實際工作經(jīng)驗,給出幾種擴展海量存儲器的方案和實際電路。這些方案是以C8051F340為主控制器,充分利用

摘要:海洋儀器在后期數(shù)據(jù)分析處理時數(shù)據(jù)存儲電路是不可或缺的。針對海洋儀器對數(shù)據(jù)存儲大容量非易失的要求,結(jié)合實際工作經(jīng)驗,給出幾種擴展海量存儲器的方案和實際電路。這些方案是以C8051F340為主控制器,充分利用C8051F340片上集成的I2C,SPI和I/O接口資源擴展大容量存儲器,相比于傳統(tǒng)的存儲電路,省去了譯碼和鎖存電路,同時簡化了軟件編程。經(jīng)實際應(yīng)用,這些存儲電路工作穩(wěn)定、功耗低,適用于中低速,需存儲大量數(shù)據(jù)的儀器儀表。
關(guān)鍵詞:C8051F340;I2C;SPI;I/O;非易失;大容量

    在海洋儀器工作過程中,觀測的周期比較長,累積的數(shù)據(jù)量往往比較大,要求使用大容量存儲器。而且由于海洋環(huán)境惡劣,很多時候電池耗盡,儀器尚未回收,為了保證數(shù)據(jù)安全,必須采用掉電非易失存儲器。EEPROM和Flash閃存,既有ROM的特點非易失性,又有比較高的存取速度,而且易于擦除和重寫,功耗很小,集成度高,是比較好的選擇。但早期的存儲電路通常比較復(fù)雜,因為其存儲器容量小,接口單一,為了擴大容量需要外加擴展地址線的譯碼和鎖存電路。隨著電子技術(shù)的發(fā)展,各種大容量存儲器層出不窮。這些存儲器在內(nèi)部結(jié)構(gòu)、實現(xiàn)技術(shù)、物理外觀和工作電壓等方面有較大差異,而在硬件接口上常見為I2C接口、 SPI接口和并行接口。
    以Microehip公司生產(chǎn)的C8051F340為主控器,提出基于多種硬件接口的大容量存儲設(shè)計方案,可方便移植到與51兼容的其他單片機系統(tǒng)。

1 C8051F340特性及硬件接口
    C8051F340是Sihcon公司生產(chǎn)的混合信號片上系統(tǒng)型單片機。它的內(nèi)核具有標(biāo)準(zhǔn)8052所有外設(shè),包括2個全雙工UART、1個增強型SPI端口,1個SMBUS端口,40個I/O引腳,4 352字節(jié)的內(nèi)部RAM,128字節(jié)特殊功能寄存器等。C8051F340片上豐富的硬件資源,使其方便擴展不同的接口存儲器。圖1是基于C8051F340的硬件接口(I2C,SPI,GPIO)實現(xiàn)的3種大容量存儲器擴展方案的示意圖。



2 I2C總線擴展EEPROM存儲器
2.1 I2C總線
    在并行總線系統(tǒng),CPU要完成與外部RAM或ROM的交換數(shù)據(jù),通常需要有3組總線(地址、數(shù)據(jù)、控制總線),采用如此多的并行總線可使控制速度快,與存儲器交換數(shù)據(jù)方法簡單。但是,在繪制電路板時,這些總線將耗費很大空間。而I2C存儲器克服了這個缺點,它僅需要數(shù)據(jù)線SDA和時鐘線SDL 2條總線即可。數(shù)據(jù)交換速率要求在ms級的場合,I2C存儲器可以取代并行存儲器。
2.2 AT24C1024及與C8051F340的軟硬件設(shè)計
    AT24C1024是l Mb支持I2C數(shù)據(jù)傳送協(xié)議的串行CMOS EEPROM,其內(nèi)部結(jié)構(gòu)為512頁,每頁為256字節(jié),可用電擦除;它具有2種寫入方式,一種是字節(jié)寫入方式;另一種是頁寫入方式。允許在一個寫周期內(nèi)同時對1個字節(jié)到l頁的若干字節(jié)的編程寫入,l頁的大小取決于片內(nèi)頁寄存器的大小。AT24C1024具有256字節(jié)數(shù)據(jù)的頁面寫能力。
    C8051F340片上集成SMBus端口。SMBus完全符合系統(tǒng)管理總線規(guī)范1.1版,并與I2C串行總線兼容。連接在I2C總線上的器件,SCL和 SDA應(yīng)該為漏極開路或集電極開路輸出,當(dāng)總線空閑時,這2條線都被拉到高電平。所以,在配置C8051F340端口時,把SDA、SCL配置為漏極開路輸出。為了使開漏極電路輸出“l”時SDA和SCL應(yīng)是高電平而不是高阻態(tài),這就需要加上拉電阻。圖2為AT24C1024與C805lF340的硬件連接圖。對AT24C1024的操作編程,與一般I2C類似,遵循I2C通信協(xié)議。以寫操作為例,其流程圖如圖3所示。讀操作與此類似。


2.3 應(yīng)用舉例
    此電路用于小型的海洋溫度計,在采樣率為1/6 Hz、采樣精度16位的情況下,可連續(xù)存儲109 h左右。小型溫度計以體積小,重量輕等特點使其方便在海上進行多點多深度布設(shè),用于測試水下溫度場的一天連續(xù)變化。但是AT24C1024存取速率較低,僅適合于低速存取的場合。在某些系統(tǒng)中還用于存儲系統(tǒng)配置參數(shù)和保存系統(tǒng)工作日志。

3 SHI接口擴展M25P64
3.1 SPI總線
    串行外圍接口SPI總線可分為3線和4線工作方式,支持在同一總線上掛接多個主器件和從器件。SPI收發(fā)獨立,可同步進行,通信速率比較高。
3.2 M25P64及與C8051F340的軟硬件設(shè)計
    M25P64是低功耗、大容量串行Flash存儲器其存儲空間為64 MB,由32 768個頁面組成,每個頁面為256字節(jié)。支持頁編程(256字節(jié)),扇區(qū)擦除(512 KB)和塊擦除(64MB)。最高時鐘頻率50 MHz;可循環(huán)使用100 000次;保存數(shù)據(jù)年限超過20年;該存儲器工作于3/4線串行總線方式,可擴展更大容量的存儲空間。
    對M25P32的讀寫可以直接將M25P64與C8051F340的GPIO口連接,采用GPIO口模擬SPI接口時序的方法。使用C8051F340的片上SPI控制接口,將引腳C與單片機輸出時鐘對接,數(shù)據(jù)輸出Q與MISO對接,數(shù)據(jù)輸入D與MOSI對接,片選信號與NSS對接,如圖4所示。


    C805lF340上電后首先對硬件接口進行初始化,把端口設(shè)置為SPI特殊功能。C8051F340通過讀寫SPI數(shù)據(jù)寄存器(SPIDATO)實現(xiàn)在 SPI通信線上的數(shù)據(jù)收發(fā)。因此,對M25P64的讀寫和擦除可歸結(jié)為,按照M25P64數(shù)據(jù)資料上的命令表,往SPIDAT0里寫入命令和數(shù)據(jù),程序流程的控制
通過判斷從SPIDAT0讀出的狀態(tài)寄存器位。
3.3 應(yīng)用實例
    此存儲電路中M25P64占用的I/O口線較少。M25P64相比于AT24C1024附加了片選信號,并且數(shù)據(jù)輸入和輸出線分開,使存儲電路的抗干擾性有所提高,降低了軟件設(shè)計難度。M25P64在硬件實現(xiàn)上基于移位寄存器,所以通信速率較高,達到微秒級。此存儲電路已成功應(yīng)用于開發(fā)的湍流觀測儀器樣機。
4 GPIO口擴展K9WAG08UOA
    C8051F340上未被交叉開關(guān)分配的端口引腳和未被模擬外設(shè)使用的端口引腳都可以作為通用I/O。在設(shè)計C8051F340,若不把選定的引腳配置為特殊功能,它就默認(rèn)為通用I/O,利用這些引腳來擴展K9WAG08UOA。
4.1 K9WAG08UOA的特性
    K9WAG08UOA是NAND-Flash架構(gòu)的Flash,單電源2.70~3.60 V供電,內(nèi)部存儲空間為(1 G+32 M)x8 B,數(shù)據(jù)寄存器為(2 K+64)x8 B,可進行任意字節(jié)單元的讀操作(最長25μs),(128 K+4 K)B的塊擦除和(2 K+64)B的頁編程(200μs典型時間)。容量上可堪比一般的SD卡和U盤,讀寫速度也很快。
4.2 K9WAG08UOA與C8051F340的硬件連接
    C8051F340與K9WAG08UOA的連接方法如圖5所示。K9WAG08UOA的命令、數(shù)據(jù)、地址均通過8根I/O線傳輸,31位地址分5次寫入地址寄存器,其內(nèi)部譯碼確定塊號、塊內(nèi)頁號、頁內(nèi)字節(jié)號后尋址相應(yīng)的單元,比相同容量的并行存儲器節(jié)省了23根地址線。地址線的減少簡化了電路設(shè)計,同時也提高了編程的復(fù)雜程度。指令、地址從I/O寫入時,把拉低,配合CLE和ALE信號線實現(xiàn)I/O口上指令和地址復(fù)用。
4.3 軟件編程
    K9WAG08UOA的編程比通常的串、并行存儲器復(fù)雜。實際應(yīng)用中將頁編程子程序、塊擦除子程序、讀操作字程序編寫成子程序,在需要時進行調(diào)用。由圖5 看出,C8051F340對K9WAG08UOA的讀寫操作均通過通用I/O進行。C805lF340對I/O端口的操作通過訪問對應(yīng)的端口數(shù)據(jù)寄存器。向端口寫入時,數(shù)據(jù)被鎖存到端口數(shù)據(jù)寄存器中,以保持引腳上的輸出數(shù)據(jù)值不變;讀端口數(shù)據(jù)寄存器將返回端口輸入引腳的邏輯狀態(tài)。具體舉例來說,比如P0=0x80,表示Ox80被鎖存到端口數(shù)據(jù)寄存器中,把CE引腳拉低,引腳產(chǎn)生一個上升沿,數(shù)據(jù)就被寫入K9WAG 08UOA中的數(shù)據(jù)/命令寄存器。Ox8O為命令還是數(shù)據(jù)取決于CLE和ALE的狀態(tài),CLE為高,ALE為低,表示Ox80為命令字段;CLE為低,ALE為高,表示Ox80為數(shù)據(jù)。下面對K9WAG08UOA的頁編程、頁讀、塊擦除做詳細(xì)的說明。


4.3.1 頁編程
    K9WAG08UOA的頁編程是以頁為單位的,它允許在一個頁編程周期里寫入1~2 112字節(jié)的數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)被加載到數(shù)據(jù)寄存器,然后調(diào)用內(nèi)部寫入過程寫入正確的單元。在寫入之前必須擦除,否則出錯。頁編程的步驟為:1)寫入串行輸入指令0x80;2)分5次寫入編程首地址;3)寫人數(shù)據(jù),一次最多2 112字節(jié);4)最后寫入頁編程指令0x1O。啟動內(nèi)部編程操作。為了反饋寫入操作是否成功,K9WAG08UOA的內(nèi)部狀態(tài)寄存器記錄了寫入狀態(tài),通過查詢寄存器狀態(tài)位O,判斷寫入是否成功。
4.3.2 頁讀操作
    K9WAG08UOA讀頁面的操作過程為寫入0x00到命令寄存器,然后輸入5個字節(jié)的地址,再寫入命令Ox30啟動頁讀操作。選中頁面的2 112個字節(jié)的數(shù)據(jù)不是立即輸出到I/0口,而先被復(fù)制到K9WAG08UOA的數(shù)據(jù)寄存器。通過檢測R/B引腳狀態(tài)來判斷復(fù)制操作是否完成。一旦R/B 為高電平后,表示復(fù)制完成。微處理器器控制RE不斷的高低變化,數(shù)據(jù)寄存器中的數(shù)據(jù)將按照在芯片中的地址排列依次鎖存輸出到I/O口,此時讀取I/O口電平即可。
4.3.3 塊擦除
    K9WACO8UOA的擦除操作以塊為單位進行。首先寫入擦除指令Ox60,然后分3次寫入行地址。載入行地址后執(zhí)行擦除確認(rèn)指令0xd0來初始化內(nèi)部擦除操作。通過狀態(tài)引腳R/B了解擦除的進度,R/B為高電平表示內(nèi)部擦除完成。通過檢測狀態(tài)位(I/O0)來檢查擦除操作是否發(fā)生錯誤。
4.4 應(yīng)用舉例
    本設(shè)計的單片機P1口與K9WAGO8UOA直接連接,其他控制引腳與PO口的引腳連接。為防止存儲器誤操作,在單片機復(fù)位后要進行初始化設(shè)置。 K9WAGO8UOA最大的優(yōu)點是容量大,低功耗。海洋潛標(biāo)在水下工作的時間通常為3個月以上,累計的數(shù)據(jù)量通常上百兆,K9WAG08UOA能夠勝
任這樣的容量要求。在實驗室水池進行多次長時間測試,K9WAG08UOA記錄的數(shù)據(jù)可靠。

5 結(jié)束語
    利用C805lF340豐富的接口資源,可以方便地擴展大容量的存儲器。本文介紹的3種存儲器擴展方案采用不同的硬件連接方式,但都具有非易失、低功耗的特點,又各有特點,可以根據(jù)系統(tǒng)開發(fā)的具體需求,進行選擇使用。通過實踐,總結(jié)以下經(jīng)驗:1)提高系統(tǒng)存取效率,加入FIFO緩存。數(shù)據(jù)按時間順序?qū)懭?FIFO,大到一定容量后再由處理器以塊形式讀出。這樣可以避免MCU頻繁進入中斷,提高處理器的工作效率。2)在控制印刷電路板面積及布線復(fù)雜度上,使用I2C接口最為簡潔,SPI接口次之。3)讀寫速度上,并口Flash最快,適應(yīng)于微秒級存??;SPI接口次之,提高時鐘頻率也可達到微秒級;I2C接口最慢,適合毫秒級的訪問。4)容量上,NAND架構(gòu)閃存(K9WAG08UOA)的存儲單元采用串行結(jié)構(gòu),一頁包含若干字節(jié),若干頁組成儲存塊,這種結(jié)構(gòu)最大的優(yōu)點是使得容量可以做得很大。因此,在容量和存儲密度上,NAND閃存比其他結(jié)構(gòu)的存儲器大。僅從容量考慮時,優(yōu)先選擇NAND架構(gòu)的閃存。
 

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