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[導讀]1、概要  在進行PCB SI的設(shè)計時,理解特性阻抗是非常重要的。這次,我們對特性阻抗進行基礎(chǔ)說明之外,還說明Allegro的阻抗計算原理以及各參數(shù)和阻抗的關(guān)系。2、什么是特性阻抗?2.1 傳送線路的電路特性  在高頻

1、概要

  在進行PCB SI的設(shè)計時,理解特性阻抗是非常重要的。這次,我們對特性阻抗進行基礎(chǔ)說明之外,還說明Allegro的阻抗計算原理以及各參數(shù)和阻抗的關(guān)系。

2、什么是特性阻抗?

2.1 傳送線路的電路特性

  在高頻率(MHz)信號中,把傳送回路作為電路。

                   
2.1.1 電阻R

  電阻R是指普通的導線帶有的歐姆電阻。R = ρ・L / S [Ω]  (S:橫截面面積[m2],L:導體長[m],ρ:金屬(銅)的電阻率[Ω*m])。在高頻頻域范圍內(nèi)的話,根據(jù)表面效果和集合效果的影響,集中在導體表面電流流動,會使上面公式中的阻值變得更大。

2.1.2 電容C

  電容C是指積蓄在導體間電荷的量。C = ε(S / d)[F] (ε:介電常數(shù),S:導體的橫截面積,d:導體間的距離)

2.1.3 電感L

  電流流動的導線必定有磁通量發(fā)生,根據(jù)這個產(chǎn)生的自感。L=0.002S[2.3lg(2s/w+t)+0.5][μH] S:導線長度(cm) ,W:導線寬度(cm), t:導線厚度(cm)

2.1.4 電導G

  物體傳導電流的本領(lǐng)叫做電導。對導體間的介電特性的反抗成分,表示容易電流的程度。G = 1 / R

2.2 阻抗和特性阻抗的不同?

  阻抗

  表示電路部分對交變電信號流通產(chǎn)生的阻力,是傳輸線上輸入電壓對輸入電流的比率值Z = V(x)/ I(x)

  特性阻抗

  特征阻抗是指信號沿傳輸線傳播時,信號看到的瞬間阻抗的值。簡單地講,無限長傳輸線上各處的電壓與電流的比值定義為傳輸線的特性阻抗。Z0 = √( (R + jωL) / (G + jωC) ) ≒ √(L / C)(R<<ωL,G<<ωC)

3、Allegro的特性阻抗計算原理

3.1 在Layout Cross Section中阻抗計算

  PCB SI菜單的Setup >Cross-section

  <單線的特性阻抗計算方法>

                                   

  1.設(shè)定層結(jié)構(gòu)和材料物質(zhì)。

  2.Width欄輸入線寬的話,在Impedance欄會計算出特性阻抗。(Impedance輸入目標阻抗的話,則會計算線寬。)

  <差分阻抗>

                                         

  1.勾選Differential Mode

  2.設(shè)定層結(jié)構(gòu)和材料物質(zhì)。

  3.Coupling Type設(shè)定結(jié)合類型。(NONE: 不耦合,EDGE:同層耦合,BROADSIDE:鄰接層耦合)

  4.因為設(shè)定線寬的話,確定差分阻抗或者spacing任何一個,選擇Spacing單擊OK按鈕,差分阻抗被計算。

                             
  (如果想指定差分阻抗的,設(shè)定DiffZ0,調(diào)節(jié)線寬和spacing。)

  ― 參考1 ―

  層結(jié)構(gòu)計算過阻抗之后,可以通過PCB Editor菜單的File >Export >Techfile技術(shù)文件進行保存,再利用。根據(jù)這個,可以通過程序庫管理本公司阻抗設(shè)計的經(jīng)驗技術(shù)。

3.2 在Electrical Constraints中計算阻抗

  PCB Editor菜單的Setup >Constraint單擊Electrical constraint sets按鈕,選擇DiffPair Valuetab,并且單擊Calculator按鈕。

                                         

  能用上述方法計算差動阻抗時,層結(jié)構(gòu)Layout Cross Section是已經(jīng)設(shè)定,不能修改的。

3.3 在View Trace Model Parameters中計算阻抗

  SigXplorer菜單的Edit >Add Part,Model Type Filter選擇Interconnect,選擇想使用的傳送線路模型,界面配置。

                         
  1.以SigXplorer畫面的參數(shù)界面,設(shè)定層構(gòu)成和材料屬性,線寬和線距。

  2.以SigXplorer畫面的參數(shù)界面,在對象模型的地方進行單擊右鍵,選擇View Trace Parameters。

  3.在View Trace Model Parameters界面內(nèi),F(xiàn)ield Solution Results內(nèi)Field solver cutoff frequency設(shè)定10GHz,Matrix設(shè)定Impedance,特性阻抗以矩陣形式被表示。(如果想使之表示差分阻抗的情況, Matrix設(shè)定Diff Impedance。)

                    


  ― 參考2 ―

  如果在范圍內(nèi)設(shè)定了分步或復數(shù)的價值,View Trace Model Parameters的Parameter Values會以列表的方式列出所有的數(shù)據(jù)。

  ― 參考3 ―

  Field Solution Results欄,能表示以下的結(jié)果。
· Capacitance
· Die. Conductance
· Inductance
· Linear Resistance
· Modal Velocity
· Admittance
· Impedance
· Diff Impedance
· Near-End Coupling
· Modal Delay
  在Capacitance/ Die. Conductance/ Inductance/ Linear Resistance中,能夠設(shè)定頻率。

4、各參數(shù)和特性阻抗Z0的關(guān)系

  本項,使用「在3.3 View Trace Model Parameters的阻抗計算」介紹的功能,確認各參數(shù)和特性阻抗Z0的關(guān)系。

4.1 計算單線的特性阻抗Z0

  Z0和各參數(shù)的關(guān)系如下圖,研究只變化一個參數(shù)的時候,特性阻抗Z0的變化。

                                 

  
4.1.1 用圖表表示在線寬W和讓特性阻抗Z0的關(guān)系

  線寬W在0.13~0.23mm范圍內(nèi),以0.01mm間隔變化了11點的時候,特性阻抗Z0的變化。
 

                                 
  從這個圖表可以看出,線寬W變大,特性阻抗變小。線寬W變大的話,導體與參考面之間的電容C和導體的電感L也變大,不過,對特性阻抗Z0的影響是因為電容C變大。默認的電容C和電感L的價值。「電容C =110.2pF, 電感L=286nH」

4.1.2 用圖表表示介電質(zhì)的厚度D1和特性阻抗Z0的關(guān)系

  介電質(zhì)厚度D1在0.05~0.15mm范圍內(nèi),以0.01mm間隔使之變化了11點的時候,特性阻抗Z0的變化。

                                   


  從這個圖表可以看出,介電質(zhì)厚度D1變大,特性阻抗Z0變大。因為參考面與導體的距離變大,導體和參考面間的電容C變小。

4.1.3 用圖表表示讓導線的厚度T和跟特性阻抗Z0的關(guān)系

  導線的厚度T在0.03~0.04mm范圍內(nèi),以0.001mm間隔變化了11點的時候,特性阻抗Z0的變化。
                                     


  從這個圖表可以看出,導線的厚度T變大,特性阻抗Z0一點點變小。導線的厚度T變大的話,與導體間的電容C和導體的電感L也變大,不過,對特性阻抗Z0的影響因為是電容C變大。

4.1.4 用圖表表示跟介電常數(shù)ε1和特性阻抗Z0的關(guān)系

  介電常數(shù)ε1在3.5~4.5范圍內(nèi),以0.1間隔變化了11點的時候,特性阻抗Z0的變化。

                                   


  從這個圖表可以看出,介電常數(shù)ε1變大,特性阻抗Z0變小。因為介電常數(shù)ε1變大,導體和參考面間的電容C變大。

4.1.5 用圖表表示介電常數(shù)ε2和特性阻抗Z0的關(guān)系

  介電常數(shù)ε2在1~5范圍內(nèi),以0.5間隔變化了11點的時候,特性阻抗Z0的變化。

                                  

  從這個圖表可以看出,介電常數(shù)ε2變大,特性阻抗Z0變小。因為介電常數(shù)ε2變大,導體和參考面間的電容C變大。

4.2 差分阻抗和各參數(shù)的關(guān)系

  下圖作為標準的層構(gòu)成的時候,計算只做一個參數(shù)變化的時候,差分阻抗的變化。

                                            


4.2.1 線間距S和差動阻抗Zdiff的關(guān)系

  線間距S在0.12~0.22mm范圍內(nèi),以0.01mm間隔變化了11點的時候,差分阻抗Zdiff的變化。

                                    
  從這個圖表可以,線間距S變大,差分阻抗Zdiff變大。因為線間距S變大,差分線路間的電容C變小。

4.2.2、導線的厚度T和跟差分阻抗Zdiff的關(guān)系

  導線的厚度T在0.03~0.04mm范圍內(nèi),以0.001mm間隔變化了11點的時候,差分阻抗Zdiff的變化。

                                  


  從這個圖表可以看出,導線的厚度T變大,差分阻抗Zdiff變小。導線的厚度T變大,導體與參考面間和差分線路間的電容C及導體的電感L也變大,對差分阻抗Zdiff的影響是因為是導體和參考面間和差分線路間的電容C變大。同時,與單線比的話,差分線路間產(chǎn)生的電容,也使差分阻抗Zdiff也變大。

4.2.3 介電常數(shù)ε2和差分阻抗Zdiff的關(guān)系

  介電常數(shù)ε2在1~5范圍內(nèi),以0.5間隔使之變化了11點的時候,差分阻抗Zdiff的變化。

                                         


  從這個圖表可以看出,介電常數(shù)ε2變大,差分阻抗Zdiff變小。因為介電常數(shù)ε2變大,導體與參考面間和差分線路間的電容C變大。同時,與單線比的話,差分線路間上產(chǎn)生的電容,也使差分阻抗Zdiff變大。

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