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序言
  
電子設計自動化EDA技術的發(fā)展和應用對電子設計的發(fā)展起了巨大的推動作用。EDA技術的深入發(fā)展和廣泛應用,帶給電子設計師更完善的設計方法,更短的設計周期,使其產(chǎn)品更具競爭力。
  
ORCAD/PSPICE是ORCAD公司與MICROSIM公司將兩公司在電子設計領域得到廣泛應用的ORCAD軟件包和PSPICE軟件集成在一起而構(gòu)成的EDA軟件系統(tǒng),其功能相當完整和強大。前段處理程序為ORCAD CAPTURE,負責電路圖的繪制、仿真參數(shù)的設置以及產(chǎn)生網(wǎng)表等報告文件。在電路圖通過驗證后,可以進入后續(xù)的LAYOUT PLUS程序進行印刷電路板的設計,或是進入EXPRESS程序進行可編程邏輯元件PLD或FPGA的設計。后段ORCAD PSPICE負責軟件的仿真驗證。
  
本文著重介紹元件符號庫的建立、參數(shù)的修改、新元件的模型建立。

符號庫的修改和建立
  
EDA軟件的元件模型包括符號庫和相應的參數(shù)。如果僅僅是電路原理圖或圖的需要,則只需要符號庫的內(nèi)容。如果對該符號還必須作仿真,則該符號所代表的器件必須有參數(shù)的支持,即必須對符號賦予參數(shù)。所以一個元件模型是由符號和參數(shù)兩部分組成的。
  
ORCAD/PSPICE已經(jīng)內(nèi)建了約2萬個常見的電子元件模型,但是隨著半導體技術的發(fā)展和新元件的不斷問世,或出于個性化設計需要,又或者內(nèi)建元件庫內(nèi)沒有合適的元件,這時就需要通過修改原有元件或創(chuàng)建新的元件等方法來建立符合要求的新元件。

1.修改原有元件的符號
  
修改原有元件的符號一般有復制、修改和保存三個步驟。
  
下面以NMOS管為例子,將原有如圖1所示的元件修改為圖2表示的新元件。如果不對新建符號的參數(shù)做修改,則新建模型的參數(shù)屬性將保持不變,所以無論使用哪個元件,對仿真結(jié)果都沒有影響。


  
(1)復制。在原有的元件庫BREAKOUT.OLB中,選取MbreakN,將其復制,粘貼到新建的庫如LIBRARY2.OLB內(nèi),選中復制后的元件,并點擊右鍵,出現(xiàn)如圖3的菜單。


  
(2)修改。點擊圖3菜單中的Edit Part,即出現(xiàn)元件編輯圖窗口,利用窗口右邊的畫圖工具欄或PLACE菜單中的繪圖指令將原MOS管(圖1)修改為新MOS管(圖2)。
  
(3)保存。將修改后的符號存盤(可按存盤快捷鍵)。

在完成以上三個步驟后,已經(jīng)建立起一個名為MbreakN"的新元件。因為未修改其模型參數(shù),所以新元件的特性與原有的晶體管MbreakN完全一樣。

2.創(chuàng)建新的元件符號
  
其一般步驟:開啟所要新增元件的元件庫,或全新的元件庫;編輯新元件圖,元件圖可由其他已有的元件復制過來;建立新元件管腳;編輯新元件屬性;存盤。
  
下面以一復合包裝LED為例,按照上述過程介紹創(chuàng)建新元件的步驟。
  
(1)打開一新元件庫,并選取EDIT菜單里的NEW PART,則出現(xiàn)新元件屬性對話框,定義新元件的名稱為LED-BAR, 元件序號前綴為U,元件封裝名稱DIP10,定義每一封裝里的單元件的數(shù)目為5,設定封裝內(nèi)單元件的類型為相同。所有設置完成后按確定。
  
(2)在出現(xiàn)的新元件編輯圖窗口中,利用右邊的畫圖工具欄或PLACE菜單中的指令畫出一個LED,同時也可復制已有的LED。例如我們選取Discrete.lib里的LED, 按EDIT開啟元件編輯,而編輯區(qū)中正是這個元件,選取整個元件圖粘貼到新元件編輯圖上即可,如圖4。



(3)對各個單元件的引腳進行定義。點擊某個引腳后會出現(xiàn)一引腳屬性對話框,將各引腳進行定義,此處定義為(A,1)和 (K,10),如圖5。

(4)選取VIEW菜單中的NEXT PART,出現(xiàn)一同圖4相同的LED,重復步驟3定義其管腳。
  
(5)重復步驟4,將剩余的三個LED管腳分別定義完畢。
  
(6)編輯新元件屬性。選取OPTION菜單中的PART PROPERTIES,出現(xiàn)元件屬性對話框,如圖6,在其中修改各個LED管的基本屬性,如管腳名,管腳數(shù)的顯示與否等。


  
(7)選取VIEW 菜單中的PACKAGE來觀看整個包裝的元件情況,如圖7。如果必要還可選取OPTION菜單中的PACKAGE PROPERTIES修改包裝屬性。也可通過雙擊任一單元件,切換到單個元件圖中。


  
(8)存盤完成新元件創(chuàng)建。

模型參數(shù)的修改

當我們需要一些特定性能的元件而庫中沒有該元件時,可以通過元件編輯程序新建其仿真模型參數(shù)或修改現(xiàn)有元件的仿真模型參數(shù)以做出合乎要求的新元件。
  
一般而言,比較快捷的模型建立方法是直接由元件廠商提供。而用戶較常用的情況就是在已有元件的仿真模型參數(shù)基礎上將其修改為合乎要求的元件。上面兩種建立符號庫的方法得到的新元件也可在調(diào)用后通過修改其原有的參數(shù)得到符合要求的新參數(shù)模型元件。
  
參數(shù)修改的一般步驟是:調(diào)用庫中的原有元件;打開原有元件的模型參數(shù)窗口;修改參數(shù);保存參數(shù)修改后的元件,即得新元件;仿真驗證。
  
下面以硅整流二極管D1N4002為例,通過如上步驟來修改參數(shù),以降低其門檻電壓Vb。
  
(1)調(diào)用原有的元件。從原有的元件庫Diod.odb中調(diào)用硅整流二極管D1N4002。為了驗證的方便,繪制如圖8所示電路。


  
(2)打開原有元件模型參數(shù)窗口。選中電路圖中的D1N4002,點擊右鍵,后選取菜單中EDIT PSPICE MODEL,則出現(xiàn)如圖9所示的model EDITOR窗口。
  
圖9中左邊是元件模型名稱D1N4002,右邊用PSPICE模型語句定義了它的所有模型參數(shù)。

.MODEL D1N4002 D(IS=14.11E-9 N=1.984 RS=33.89E-3 +EG=1.110 CJO=51.17E-12 M=.2762 VJ=.3905 FC=.5 +NR=2 BV=100.1 IBV=10 TT=4.761E-6)

二極管模型語句的一般格式如下:

.MODEL <model name> D [model parameters]
  
其中model name是模型名,D是二極管的類型代號,model parameters是模型參數(shù)及其值,在本例中IS是飽和電流,N是注入系數(shù),RS是歐姆電阻,EG是禁帶寬度,CJO是零偏PN結(jié)電容,M是梯度因子,VJ是結(jié)電勢,F(xiàn)C是正偏耗盡電容系數(shù),NR是ISR的發(fā)射系數(shù),BV是反向擊穿電壓,IBV是反向擊穿電流,TI是渡越時間。
  
(3)修改參數(shù)。將飽和電流參數(shù)IS由原來的14.11E-9改為14.11E-8
  
(4)存盤。將參數(shù)修改后的元件保存,則得到符合要求的新元件。
  
(5)仿真驗證。如圖8所示,對新、老兩個元件設置相同的直流掃描分析參數(shù),掃描電壓為Vi,由-100V到20V,步長為0.01V,分別對原有元件和新元件進行仿真。運行后將其各自的特性曲線集合到同一窗口下,得到圖10。對比兩二極管V-I特性曲線,左邊是修改后的,右邊是未修改的,可以看到整個正向偏壓部分的曲線向左移動,門檻電壓Vb變小了??梢娦薷暮蟮亩O管即是符合要求的新元件。
  
此外也可以從廠家的網(wǎng)站上查找和下載所需的元件。對于入網(wǎng)的ORCAD用戶可以利用其元件信息系統(tǒng)(CIS COMPENT INFORMATION SYSTEM)從50多萬個遠程數(shù)據(jù)庫查找或下載120萬個元件,雙擊感興趣的元件就可以把它們擺到原理圖上,同時圖上的元件的參數(shù)及信息和數(shù)據(jù)庫的紀錄保持著一致,可以從原理圖上直接查看有關該元件的信息,或者把這些信息打印出來。選擇和搜尋的功能被集成在ORCAD Capture的界面上,非常直觀,只要輸入元件號、封裝形式等其他數(shù)據(jù),就能自動查找到和下載所需元件。

結(jié)束語
  
通過以上幾種途徑,工程師就可以得到任何所需的元件,可以將更多的精力集中在設計和仿真環(huán)節(jié),從而使整體的設計周期大幅縮短。

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