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[導(dǎo)讀]電子設(shè)備要求高性能化、高速化和輕薄短小化,而作為多學(xué)科行業(yè)--是高端電子設(shè)備最關(guān)鍵技術(shù)。產(chǎn)品中無論剛性、撓性、剛-撓結(jié)合多層板,以及用于IC封裝基板的模組基板,為高端電子設(shè)備做出巨大貢獻(xiàn)。行業(yè)在電子互連技術(shù)中

電子設(shè)備要求高性能化、高速化和輕薄短小化,而作為多學(xué)科行業(yè)--是高端電子設(shè)備最關(guān)鍵技術(shù)。產(chǎn)品中無論剛性、撓性、剛-撓結(jié)合多層板,以及用于IC封裝基板的模組基板,為高端電子設(shè)備做出巨大貢獻(xiàn)。行業(yè)在電子互連技術(shù)中占有重要地位。

中國走過五十年的艱難歷程,今天它已在世界發(fā)展史上寫下光輝一頁。2006年中國產(chǎn)值近130億美元,稱為全球第一生產(chǎn)大國。

就當(dāng)前技術(shù)發(fā)展趨勢,我有以下幾點(diǎn)看法:

一、沿著高密度互連技術(shù)(HDI)道路發(fā)展下去

由于HDI集中體現(xiàn)當(dāng)代最先進(jìn)技術(shù),它給帶來精細(xì)導(dǎo)線化、微小孔徑化。HDI多層板應(yīng)用終端電子產(chǎn)品中--移動(dòng)電話(手機(jī))是HDI前沿發(fā) 展技術(shù)典范。在手機(jī)中主板微細(xì)導(dǎo)線(50μm~75μm/50μm~75μm,導(dǎo)線寬度/間距)已成為主流,此外導(dǎo)電層、板厚薄型化;導(dǎo)電圖形微細(xì) 化,帶來電子設(shè)備高密度化、高性能化。

二十多年HDI促使移動(dòng)電話發(fā)展,帶動(dòng)信息處理和控制基本頻率功能的LSI和CSP芯片(封裝)、封裝用模板基板的發(fā)展,同樣也促進(jìn)的發(fā)展,因此要沿著HDI道路發(fā)展下去。

二、組件埋嵌技術(shù)具有強(qiáng)大的生命力

在的內(nèi)層形成半導(dǎo)體器件(稱有源組件)、電子組件(稱無源組件)或無源組件功能"組件埋嵌"已開始量產(chǎn)化,組件埋嵌技術(shù)是功能集成電路的巨大變革,但要發(fā)展必須解決模擬設(shè)計(jì)方法,生產(chǎn)技術(shù)以及檢查品質(zhì)、可靠性保證乃是當(dāng)務(wù)之急。

我們要在包括設(shè)計(jì)、設(shè)備、檢測、模擬在內(nèi)的系統(tǒng)方面加大資源投入才能保持強(qiáng)大生命力。

三、中材料開發(fā)要更上一層樓

無論是剛性或是撓性材料,隨著全球電子產(chǎn)品無鉛化,要求必須使這些材料耐熱性更高,因此新型高Tg、熱膨脹系數(shù)小、介質(zhì)常數(shù)小,介質(zhì)損耗角正切優(yōu)良材料不斷涌現(xiàn)。

四、光電前景廣闊

它利用光路層和電路層傳輸信號,這種新技術(shù)關(guān)鍵是制造光路層(光波導(dǎo)層)。它是一種有機(jī)聚合物,利用平版影印、激光燒蝕、反應(yīng)離子蝕刻等方法來形成。目前該技術(shù)在日本、美國等已產(chǎn)業(yè)化。

五、制造工藝要更新、先進(jìn)設(shè)備要引入

1.制造工藝

HDI制造已成熟并趨于完善,隨著技術(shù)發(fā)展,雖然過去常用的減成法制造方法仍占主導(dǎo)地位,但加成法和半加成法等低成本工藝開始興起。

利用納米技術(shù)使孔金屬化同時(shí)形成導(dǎo)電圖形新型制造撓性板工藝方法。

高可靠性、高品質(zhì)的印刷方法、噴墨工藝。

2.先進(jìn)設(shè)備

生產(chǎn)精細(xì)導(dǎo)線、新高分辨率光致掩模和曝光裝置以及激光直接曝光裝置。

均勻一致鍍覆設(shè)備。

生產(chǎn)組件埋嵌(無源有源組件)制造和安裝設(shè)備以及設(shè)施。



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