磁場屏蔽有低頻和高頻之分。低頻磁場屏蔽是利用高導(dǎo)磁率的材料構(gòu)成低磁阻通路，使大部分磁場被集中在屏蔽體內(nèi)。因此屏蔽體的導(dǎo)磁率越高，厚度越大，磁阻越小，磁場屏蔽的效果越好。當(dāng)磁場頻率較高時，高導(dǎo)磁材料的導(dǎo)磁率下降，磁損增加，而應(yīng)采用高導(dǎo)電率材料產(chǎn)生的渦流的反向磁場來抵消騷擾磁場來實現(xiàn)屏蔽。用來屏蔽磁場的屏蔽體均不需接地。
電磁場屏蔽一般采用高導(dǎo)電率的材料作屏蔽體，并將屏蔽體接地。它是利用高導(dǎo)電率材料產(chǎn)生的渦流的反向磁場來抵消騷擾磁場，又因屏蔽體接地而實現(xiàn)電場屏蔽。由于隨著頻率的增高，波長變得和屏蔽體上的孔縫尺寸接近，因而電磁場屏蔽的關(guān)鍵除了要采用高導(dǎo)電率材料，還要控制屏蔽體的孔縫泄漏。
屏蔽材料的導(dǎo)電性能和導(dǎo)磁性能分別用相對電導(dǎo)率σr和相對磁導(dǎo)率μr來衡量，表1中列出了常用屏蔽材料的σr及μr值[1]。
由此可見，為了提高屏蔽效能，高導(dǎo)電率材料可采用鋁、銅，或者鋁鍍銅，要求更高時，還可再鍍層銀。高導(dǎo)磁率材料可采用不銹鋼或者鐵，同時可適當(dāng)增加材料的厚度。
2.3 屏蔽設(shè)計
有兩個因素會影響屏蔽體的屏蔽效能：第一，屏蔽體必須是完整的，表面可連續(xù)導(dǎo)電;第二，不能有直接穿透屏蔽體的導(dǎo)體，防止造成天線效應(yīng)。但是在實際應(yīng)用中屏蔽體上往往有散熱孔，或者屏蔽體本身由若干個零件組成，存在裝配間隙。
縫隙或孔洞是否會泄漏電磁波，取決于縫隙或孔洞相對于電磁波波長的尺寸。當(dāng)波長遠(yuǎn)大于孔縫尺寸時，并不會產(chǎn)生明顯的泄漏;當(dāng)孔縫尺寸等于半波長的整數(shù)倍時，電磁泄漏最大。一般要求孔縫尺寸小于最短波長的1/10～1/2。因此，當(dāng)騷擾的頻率較高時，波長較短，須關(guān)注這個問題。
對于裝配而成的屏蔽體，有以下幾種改善屏蔽效能的方式：
① 應(yīng)使接觸面盡量平整，以減小接觸阻抗。
② 在接觸面上增加彈性導(dǎo)電材料防止電磁波的縫隙泄漏。如導(dǎo)電泡棉或者金屬簧片襯墊。
③ 由螺釘聯(lián)接的組裝件，可減小安裝螺釘?shù)拈g距，以減小縫隙長度。
④ 將接觸面做成單止口或者雙止口的裝配方式，以增加屏蔽體密閉性，如圖1所示。
圖1 止口結(jié)構(gòu)示意圖
對于通風(fēng)孔的設(shè)計，可以使用幾個小圓孔代替一個大孔，并且保證通風(fēng)孔之間的間距大于1/2波長。如圖2所示。
圖2 通風(fēng)孔示意圖
3 測試結(jié)果及分析
以公司產(chǎn)品為試驗平臺，在XFP模塊管殼結(jié)構(gòu)設(shè)計中綜合運用上述方法進(jìn)行優(yōu)化，制作出模塊樣品，并針對該樣品進(jìn)行了實際的測試。樣品結(jié)構(gòu)如圖3所示。
圖3 XFP模塊外形圖
根據(jù)FCC 47 CFR Part 15 Subpart B section 15.109(a)，電磁騷擾場強的峰值限值為74 dBμV/m，平均值限值為54 dBμV/m。
改善前的XFP模塊電磁騷擾場強在水平方向的測試結(jié)果如圖4和表2所示：
圖4 改善前水平方向測試圖
表2 改善前水平方向測試數(shù)據(jù)
改善前的XFP模塊電磁騷擾場強在垂直方向的測試結(jié)果如圖5和表3所示：
圖5 改善前垂直方向測試圖
表3 改善前垂直方向測試數(shù)據(jù)
改善后的XFP模塊電磁騷擾場強在水平方向的測試結(jié)果如圖6和表4所示：
圖6 改善后水平方向測試圖
表4 改善后水平方向測試數(shù)據(jù)
改善后的XFP模塊電磁騷擾場強在垂直方向的測試結(jié)果如圖7和表5所示：
圖7 改善后垂直方向測試圖
表5 改善后垂直方向測試數(shù)據(jù)
由以上測試數(shù)據(jù)可見，改善后的電磁騷擾場強最大峰值下降了近2dBμV/m，平均值下降了近6dBμV/m。
4 結(jié)束語
在光收發(fā)合一模塊的結(jié)構(gòu)設(shè)計中，必須要將電磁屏蔽設(shè)計作為重點考慮的內(nèi)容。具體展開屏蔽設(shè)計時，應(yīng)先確定騷擾源的特征，再選擇合適的屏蔽材料，然后結(jié)合適當(dāng)?shù)钠帘畏绞揭郧筮_(dá)到最佳的屏蔽效果。通過樣品的測試結(jié)果表明，模塊的電磁兼容性能得到了很大的改善，且模塊各項工作性能指標(biāo)沒有受到任何影響。
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