晶圓設(shè)備商爆料 AMD45nm2009年上馬
雖然說AMD已經(jīng)按部就班推進(jìn)自己的45nm制程事業(yè)，但是眼看11月11日，Intel投資的三個(gè)45nm制造廠的第一批產(chǎn)品已經(jīng)準(zhǔn)備就緒要上市了，加上財(cái)報(bào)發(fā)布的巨大落差，AMD的好消息似乎沒幾個(gè)呢。
不過今天ASML公司的季度電話會(huì)議上一些有趣的信息看來是AMD的好消息——包括通不同的芯片生產(chǎn)商采用的沉浸光刻技術(shù)制程更迭周期，間接透露了AMD將在2009年開始使用更好的沉浸濕法光刻設(shè)備來制造45nm的芯片。
ASML是一家為全球半導(dǎo)體廠商提供晶圓工廠制造設(shè)備的廠商，ASML首席分析師EricMeurice表示沉浸光刻技術(shù)設(shè)備的初步批量產(chǎn)訂單，來自于NAND快閃記憶體制造商，因?yàn)樗麄冊(cè)谕苿?dòng)技術(shù)進(jìn)步上，比任何人都努力，以在這個(gè)快速增長(zhǎng)的市場(chǎng)當(dāng)中維持成本競(jìng)爭(zhēng)力，另外NAND產(chǎn)品部署新的沉浸光刻技術(shù)，比任何其他產(chǎn)品都要簡(jiǎn)單。
AMD的45nm仍然要晚于Intel將近一到兩年時(shí)間
EricMeurice指出，推動(dòng)沉浸光刻技術(shù)設(shè)備需求的第二次浪潮，來自更積極的內(nèi)存廠商，他們正在推進(jìn)5xnm制程，但是他們采用沉浸光刻技術(shù)設(shè)備的時(shí)間要落后于NAND廠商大約1年。DRAM內(nèi)存廠商將在2008年采用沉浸光刻技術(shù)設(shè)備的更新版本
最令人感興趣的方面是，第三波沉浸光刻技術(shù)設(shè)備更新版的需求來自于邏輯芯片制造商，他們落后于內(nèi)存廠商大約12至18個(gè)月，45nm制程產(chǎn)品將在2009年啟動(dòng)?？紤]到英特爾公司正在利用雙干193nmArF工藝來生產(chǎn)45nm處理器，因此AMD有可能在2009年開始采用沉浸光刻技術(shù)設(shè)備來生產(chǎn)45nm處理器。
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