中芯國(guó)際7nm工藝Q4季度問(wèn)世：性能提升20% 功耗降低57%

臺(tái)積電、三星今年就要量產(chǎn)5nm工藝了，國(guó)內(nèi)的先進(jìn)工藝還在追趕，最大的晶圓代工廠中芯國(guó)際去年底量產(chǎn)了14nm工藝，帶來(lái)了1%的營(yíng)收，收入769萬(wàn)美元，不過(guò)該工藝技術(shù)已經(jīng)可以滿足國(guó)內(nèi)95%的需求了。

14nm及改進(jìn)型的12nm工藝是中芯國(guó)際第一代FinFET工藝，他們還在研發(fā)更先進(jìn)的N+1括N+2 FinFET工藝，分別相當(dāng)于7nm工藝的低功耗、高性能版本。

根據(jù)中芯國(guó)際聯(lián)席CEO梁孟松博士所示，N+1工藝和14nm相比，性能提升了20%，功耗降低了57%，邏輯面積縮小了63%，SoC面積減少了55%。

N+1之后還會(huì)有N+2，這兩種工藝在功耗上表現(xiàn)差不多，區(qū)別在于 性能及成本，N+2顯然是面向高性能的，成本也會(huì)增加。

至于備受關(guān)注的EUV光刻機(jī)，梁孟松表示在當(dāng)前的環(huán)境下，N+1、N+2代工藝都不會(huì)使用EUV工藝，等到設(shè)備就緒之后，N+2工藝可能會(huì)有幾層光罩使用EUV，之后的工藝才會(huì)大規(guī)模轉(zhuǎn)向EUV光刻工藝。

現(xiàn)在最關(guān)鍵的是中芯國(guó)際的7nm何時(shí)量產(chǎn)，最新消息稱中芯國(guó)際的N+1 FinFET工藝已經(jīng)有客戶導(dǎo)入了（不過(guò)沒(méi)公布客戶名單），今年Q4季度小規(guī)模生產(chǎn)—;—;這個(gè)消息比之前的爆料要好一些，進(jìn)度更快。

為了加快先進(jìn)工藝產(chǎn)能，中芯國(guó)際今年的資本開(kāi)支將達(dá)到31億美元（該公司一年?duì)I收也不過(guò)30億美元上下），其中20億美元用于中芯國(guó)際的上海12英寸晶圓廠，5億美元用于北京12英寸晶圓廠。