物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用需要哪幾種存儲(chǔ)技術(shù)來支持

目前的內(nèi)存技術(shù)以DRAM與NAND閃存為主流，但DRAM的讀寫速度快無法長(zhǎng)時(shí)間儲(chǔ)存數(shù)據(jù)；NAND Flash能保存數(shù)據(jù)， 但讀寫速度不佳。同時(shí)兼具運(yùn)算、儲(chǔ)存能力的下世代內(nèi)存，如磁阻式內(nèi)存（MRAM）、電阻式內(nèi)存（RRAM）、3D XPoint技術(shù)與高潛力的自旋電子磁性內(nèi)存（STT-MRAM）等，就成為下世代內(nèi)存技術(shù)的新寵兒。arm嵌入式定制

2017年是MRAM技術(shù)爆發(fā)的一年，當(dāng)年在日本舉辦的大規(guī)模集成電路技術(shù)日本舉辦的大規(guī)模集成電路技術(shù)、系統(tǒng)和應(yīng)用國際研討會(huì)，格羅方德與 Everspin公司共同發(fā)布有抗熱消磁eMRAN技術(shù)，具能夠讓數(shù)據(jù)在攝氏150度下保存數(shù)據(jù)， 可長(zhǎng)達(dá)十?dāng)?shù)年的22奈米制程的制程技術(shù)，預(yù)計(jì)2017年底、2018年投產(chǎn)。

而曾經(jīng)投入內(nèi)存研發(fā)生產(chǎn)，但卻不敵成本高昂而退出內(nèi)存市場(chǎng)的臺(tái)積電，在2017年臺(tái)積電技術(shù)論壇中，揭露已具備22奈米制程嵌入式磁阻式內(nèi)存（eMRAM）的生產(chǎn)技術(shù)， 預(yù)定2018年試產(chǎn)。

RRAM其優(yōu)點(diǎn)是消耗電力較NAND低，且寫入信息速度比NAND閃存快1萬倍，主要投入研究的廠商有美光、Sony、三星。

臺(tái)積電也已宣布具備生產(chǎn)22奈米eRRAM技術(shù)。 3D XPoint技術(shù)的主要廠商為英特爾與美光，采用多層線路構(gòu)成的三維結(jié)構(gòu)，并采用柵狀電線電阻來表示0和1，原理類似RRAM。

為儲(chǔ)存裝置的良好的替代品，具有比NAND閃存快了近1，000倍，也可用于指令周期要求低的計(jì)算應(yīng)用。

STT-MRAM是運(yùn)用量子力學(xué)的電子自旋角動(dòng)量的技術(shù)應(yīng)用，具有DRAM和SRAM的高性能且低功耗，并兼容現(xiàn)有的CMOS制造技術(shù)與制程。

盡管下世代內(nèi)存未來有望取代部分DRAM與NAND閃存的市場(chǎng)，甚至取代舊有技術(shù)。 但是筆者認(rèn)為，隨著人工智能、物聯(lián)網(wǎng)裝置與更多的數(shù)據(jù)收集與感測(cè)需求，下世代的內(nèi)存技術(shù)首先將著眼于以新應(yīng)用的需求為主，如臺(tái)積電鎖定的嵌入式內(nèi)存，并充分發(fā)揮運(yùn)算與儲(chǔ)存二合一的優(yōu)勢(shì)，進(jìn)一步微縮大小，達(dá)到組件更高的市場(chǎng)滲透率。

來源：朗銳智科