金字塔尖工藝爭奪！三星取消中間工藝4nm，5nm后直接上馬3nm GAAFET

自GF(格芯)退出7nm研發(fā)后，金字塔尖的先進(jìn)制程工藝爭奪主要在臺積電、Intel、三星中開展。

最新消息稱，三星已經(jīng)重修了工藝路線圖，取消了此前用于過渡的4nm，在5nm為FinFET(鰭式場效應(yīng)晶體管)后，直接上馬3nm GAAFET(環(huán)繞柵極晶體管)。

至于臺積電的3nm，據(jù)說第一代還是FinFET，總投資高達(dá)500億美元，風(fēng)險試產(chǎn)也推遲到了今年10月。

三星的4nm原定于2021年量產(chǎn)，可其真實(shí)身份無非5nm改良。對于三星取消的原因，一方面是3nm推進(jìn)順利，另一方面則是市場競爭需要，如果能搶在臺積電之前搞定技術(shù)難度更高的3nm GAAFET，無疑將為自己爭得可觀的機(jī)會。

此前，三星曾透露，3nm芯片相較于7nm FinFET，可以減少50%的能耗，增加30%的性能。

此外，最重要的是，三星如今的掌門人李在镕非常看重芯片代工業(yè)務(wù)，這一切或也得到了他的授意。