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導 讀
中國苦“芯”久矣！中國慕“光刻機”亦久矣！如果我們真的在核心技術領域取得了重大進展，那確實值得大書特書，大力報道；但如果夸大其實，自我高潮，那只能是誤導群眾，貽笑大方。
面對美帝的接連制裁和打壓，許多科技圈從業(yè)者現實中還沒被魚刺卡過喉嚨，卻已在精神上飽嘗如鯁在喉的痛苦。
在眾多“魚刺”中，芯片無疑是扎得最深的那一根，而光刻機則是阻隔這根刺頭被拔出的主要障礙之一。
在媒體的狂轟亂炸之下，即使從事的是和芯片八竿子打不著邊兒的行業(yè)，恐怕也會對光刻機略知一二。簡單來說，半導體芯片制造分為 IC 設計、 IC 制造、 IC 封測三大環(huán)節(jié)， 光刻作為 IC 制造的核心環(huán)節(jié)，其工作原理可以被理解為“蘿卜雕花”，只不過是在硅片上雕，主要作用是將掩模版上的芯片電路圖轉移到硅片上。 由于光刻的工藝水平直接決定芯片的制程水平和性能水平，光刻成為 IC 制造中最復雜、最關鍵的工藝步驟， 光刻的核心設備——光刻機更是被譽為半導體工業(yè)皇冠上的明珠。
“得不到的永遠在騷動”，因為太過渴望，和光刻機有關的任何風吹草動往往都會成為大新聞。就在前幾天，有2則和光刻相關的消息呈現刷屏之勢：其一是“中科院發(fā)布5nm激光光刻技術”，被部分媒體解讀為“中國芯取得歷史性突破”、“荷蘭ASML將被我們取代（ASML笑笑表示不說話）”；其二是“95后本科生低成本DIY納米級光刻機”，該名學生則被冠以“真正的后浪”、“中國芯片行業(yè)未來的希望”等稱號。
誠然，中國苦“芯”久矣！中國慕“光刻機”亦久矣！
如果我們真的在核心技術領域取得了重大進展，那確實值得大書特書，大力報道；但如果夸大其實，自我高潮，那只能是誤導群眾，貽笑大方。
近日，中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所研究員張子旸與國家納米中心研究員劉前合作，在Nano Letters上發(fā)表了題為5 nm Nanogap Electrodes and Arrays by a Super-resolution Laser Lithography（DOI: 10.1021/acs.nanolett.0c00978）的研究論文，報道了一種新型5nm超高精度激光光刻加工方法。
為什么說是新型呢？因為荷蘭ASML公司是全球唯一能生產EUV光刻機的公司，他們之前表態(tài)7nm以下工藝都需要EUV光刻機才行。現在中科院蘇州納米所的團隊開發(fā)了一種不需要使用EUV技術就可以制備出5nm特征線寬的激光光刻技術。
據悉，半導體光刻最重要的指標是光刻分辨率，它跟波長及數值孔徑NA有關，波長越短、NA越大，光刻精度就越高，EUV光刻機就是從之前193nm波長變成了13.5nm波長的EUV極紫外光，而NA指標要看物鏡系統(tǒng)，ASML在這方面靠的是德國蔡司的NA=0.33的物鏡，下一代才回到NA=0.55的水平。
中科院蘇州所聯(lián)合國家納米中心開展的這項研究有所不同，在無機鈦膜光刻膠上，采用雙激光束（波長為405 nm）交疊技術，通過精確控制能量密度及步長，實現了1/55衍射極限的突破（NA=0.9），達到了最小5nm的特征線寬。
此外，該研究使用了研究團隊開發(fā)的具有完全知識產權的激光直寫設備，利用激光與物質的非線性相互作用來提高加工分辨率，有別于傳統(tǒng)的縮短激光波長或增大數值孔徑的技術路徑，打破了傳統(tǒng)激光直寫技術中受體材料為有機光刻膠的限制，可使用多種受體材料，擴展了激光直寫的應用場景。
首先需要明確的是，中科院5nm光刻技術的成功，確實是值得肯定、鼓舞人心的好事情。但如果就此得出“中國已經彎道超車ASML”、“我們將取代荷蘭的ASML光刻機”、“ASML的EUV光刻機將變成白菜價”之類的結論，那就是偷換概念、歪曲事實了。
一位業(yè)內人士強調：“該文章中并沒有提到5nm是用于芯片制造，而是研究團隊利用激光直寫技術，實現了納米狹縫電極陣列結構的規(guī)模生產。狹縫電極是光電子器件的基礎元件，并非是集成電路。能生產零件和能把復雜的電路功能融合，兩者之間存在著很大的差距。這個類似中科院去年發(fā)表文章稱，實現了2nm晶體管的設計，但被部分媒體說成了2nm芯片。雖然都是2nm，可是完全不是一個概念?！?br style="max-width: 100%;box-sizing: border-box !important;overflow-wrap: break-word !important;">
另外，即使該技術未來可被用于芯片制造，但實驗室技術和工業(yè)量產之間也隔著十萬八千里的距離。另一位業(yè)內人士表示：“中科院的5nm激光光刻技術目前僅僅局限于實驗室小規(guī)模小批量的進行實驗，不論是光刻的面積還是光刻的速度，都要比目前工業(yè)應用的光刻機弱很多，想要實現大規(guī)模批量的生產，要等到這項技術必須完全成熟了才有可能實現。至于這種5nm激光光刻技術什么時候能夠實現量產，我們不得而知，但從光刻機研發(fā)的歷史以及技術的晉級難度來看，這種光刻技術想要實現量產，我認為至少需要5年時間以上甚至更長?！?/span>
我國的光刻機為何難以突破，因為不僅僅是局限于激光光刻加工方法，還包括各種零部件的桎梏。荷蘭ASML公司CEO曾經表示，不擔心把高端光刻機賣給中國，中國會因此復制出高端光刻機。因為ASML制造的高端光刻機涉及到很多精密零部件，其中90%都是對外采購的，這也使得光刻機很難被復制出來。像德國蔡司的光學鏡頭、美國的激光發(fā)生器等，就讓ASML制造的光刻機，在光學技術上獲得了世界領先。
和中科院5nm激光光刻技術被大肆報道的差不多同一時期，一個95后本科生也在圈內火了~
援引媒體“大數據文摘”的報道：一位大連理工大學化工學院的Up主彭譯鋒，竟然憑著一張圖紙給成功在家里搭建了納米級光刻機，還成功光刻出~75微米（75000納米）的孔徑。
令人感到吃驚的是，這位同學還在讀本科，整個制造過程都是在一間超簡陋的小書桌上完成的，全部數學演算全靠一張白板，所有的材料都堆放在桌上地上，簡直就是“家居實驗室模范”。
彭同學在視頻中表示，他制造光刻機的圖紙來自自己西安電子科技大學的同學，圖紙大概長下圖這個樣子。彭同學也正是憑借著這張圖紙，完整復刻了整臺納米級光刻機。
他目前的研究成果花了大概半年自己琢磨出來的，最早的興趣來自高中的時候，那個時候還沒有視頻和資料，但是他就是想自研芯片。
其實，這個事兒本來挺好，本科生自己DIY，對動手能力和工程能力都是極好的鍛煉，學校也應該積極倡導。但壞就壞在這事兒被鼓吹過頭，非得拿光刻機做新聞，就引起許多真正半導體行業(yè)從業(yè)者的不滿了。
知乎網友Hellc
質疑：“明明是個類光刻機的DIY設計，媒體為什么要重點突出光刻機？明明是微米為什么要強行說成納米？”
知乎網友一倍速
同樣表示：“這個東西根本不是光刻機，而是一個激光雕刻工作臺。光刻是不會直接在材料上腐蝕的。所謂光刻，正如字面意思所述，是去刻蝕，但是賓語不是硅片，而是光刻膠膜，是將光刻膠膜中的一部分變化，用特殊的化學試劑清洗時，被光照的部分和不被光照的部分。一個被溶解，一個不被溶解。這個步驟叫做顯影,之后會用刻蝕液進行圖案的刻蝕。也就是說在半導體工藝流程中，要想在一個片子上做圖案，應該是光刻+顯影+刻蝕。而報道中是光刻+顯影，真的就拿光去刻了......”
一個有意思的現象是，所有在這2篇相關報道下面提出質疑的人都無一例外的被或多或少的人噴了。大意是說“這個時候你還潑冷水，是不是中國人”；“鍵盤俠，你行你上啊”！
需要強調的是，很多人的質疑并不是針對中科院的技術和彭同學的行為本身，而是針對媒體為了博取噱頭而故意“捧殺”的做法。
希望自己的國家強大是人之常情，但過度的鼓吹只會讓中國本就普及不好的微電子基本知識雪上加霜，也會造成輿論的混亂......
1.《95后up主低成本DIY納米級光刻機！一圖紙一書桌研究半年，挑戰(zhàn)芯片制造最難環(huán)節(jié)》，大數據文摘，笪潔瓊
2.《中科院研發(fā)新型激光光刻技術：不用EUV 直擊5nm》，傳感器技術
3.《媒體稱中科院實現5nm芯片光刻機，傳到美國那里就是“笑話”》
4.知乎話題《如何看待‘本科生自制光刻機’這一報道？有哪些意義和局限性》
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