iPhone 12不標(biāo)配充電器：這24家快充電源芯片企業(yè)要賺翻

距離蘋果新機(jī)發(fā)布的時(shí)間越來(lái)越近，iPhone12不再標(biāo)配充電器的消息也不脛而走。

消息一出，便在快充行業(yè)中引起不小的轟動(dòng)，如果iPhone12新機(jī)取消標(biāo)配充電器，勢(shì)必將產(chǎn)生一個(gè)巨大的市場(chǎng)缺口，給整個(gè)快充行業(yè)上下游產(chǎn)業(yè)鏈帶來(lái)極大利好。

爆料信息顯示，在iPhone12取消標(biāo)配充電器之后，手機(jī)包裝盒的厚度將縮減為現(xiàn)有的一半，變得更加輕薄。

包裝盒的內(nèi)襯也將僅僅保留數(shù)據(jù)線位置，不再預(yù)留充電器的空間。

可以預(yù)見(jiàn)，在iPhone12取消標(biāo)配充電器之后，市面上第三方USB PD快充充電器，尤其是入門級(jí)別的18W PD充電器，將進(jìn)入銷售的旺季，而作為18W PD快充的靈魂，內(nèi)置MOS的快充電源芯片也將隨之迎來(lái)出貨的高光時(shí)刻。

通過(guò)拆解市面上熱門的60余款18W PD快充充電器了解到，各大快充廠商往往更傾向于選擇內(nèi)置MOS的高集成電源方案，以此減少產(chǎn)品PCBA上元器件數(shù)量，降低系統(tǒng)成本、縮短產(chǎn)品開(kāi)發(fā)周期、加速產(chǎn)品上市，搶占市場(chǎng)。

為了幫助廣大工程師和快充廠商進(jìn)行方案選型，我們統(tǒng)計(jì)匯總了一份適用于18W PD快充的高性價(jià)比電源方案列表，并整理了相關(guān)的方案的應(yīng)用案例。

據(jù)充不完全統(tǒng)計(jì)，目前已有PI、東科、芯茂微、芯朋、美思迪賽、茂睿芯、硅動(dòng)力等24家芯片品牌推出了116款內(nèi)置MOS的電源芯片，包括內(nèi)置MOS的初級(jí)芯片53款，以及內(nèi)置MOS的次級(jí)芯片63款。下面就為大家分享各款芯片的應(yīng)用案例。

AOS萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體

初級(jí)芯片：

1、AOS萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體AOZ7635

AOS萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體AOZ7635集成控制器和初級(jí)開(kāi)關(guān)管，內(nèi)置開(kāi)關(guān)管導(dǎo)阻0.9Ω，耐壓700V，內(nèi)置逐周期電流限制，內(nèi)建多重保護(hù)功能，采用增強(qiáng)散熱的17-pin 6 x 6 QFN封裝。

次級(jí)芯片：

1、AOS萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體AOZ7635

AOS萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體AOZ7648集成同步整流控制器和同步整流管，及反饋控制等多種保護(hù)功能。內(nèi)置9mΩ低導(dǎo)阻 NMOS管用于同步整流，采用增強(qiáng)散熱的38-pin 6×6 QFN封裝。這款次級(jí)反饋IC并未采用常見(jiàn)的光耦反饋，而是采用了更加可靠的磁耦合傳輸技術(shù)，與Y電容平行的小板就是一個(gè)平板變壓器。

APD SEMI矽力科技

初級(jí)芯片：

1、APD SEMI矽力科技AP205B

矽力科技AP205B是一款內(nèi)置MOS外圍簡(jiǎn)單高效的AC-DC芯片，有恒功率和恒壓兩種模式選擇，2.4ohm，1.8ohm，0.9ohm三種內(nèi)置mos供選擇，很好的EMC特性，高壓和低壓的OCP一致性非常好，50mW以內(nèi)的超低待機(jī)功耗，輕松通過(guò)歐洲六級(jí)能效，完美的保護(hù)功能。

次級(jí)芯片：

1、APD SEMI矽力科技AP405B

矽力科技AP405B是一款內(nèi)置MOS外圍簡(jiǎn)單高效的SR同步整流芯片，支持三種模式工作CCM/DCM/QR，無(wú)需輔助繞組，芯片高壓自供電技術(shù)，使得AP405B完美支持輸出電壓低到3v，內(nèi)置mos的驅(qū)動(dòng)電壓始終維持在9v，確保高效率工作， 外圍最簡(jiǎn)單，可以正端接法或負(fù)端接法，外圍僅需一個(gè)0.22uF電容，完美的保護(hù)功能，目前已經(jīng)被飛利浦等很多品牌客戶認(rèn)可和量產(chǎn)。

CHIPHOPE芯茂微電子

次級(jí)芯片：

1、CHIPHOPE芯茂微電子LP20R100S

Chip-hop芯茂微的高性能副邊同步整流驅(qū)動(dòng)芯片LP20R100S，這款芯片適用于AC-DC的同步整流應(yīng)用，適用于正激系統(tǒng)和反激系統(tǒng)，此外支持DCM，BCM，QR，和CCM多種工作模式，耐壓100V，芯片內(nèi)集成VCC供電。

Chipown芯朋微電子

初級(jí)芯片：

1、Chipown芯朋PN8160

PWM主控芯片采用的是芯朋微電子的PN8160，內(nèi)部集成了電流模式控制器和功率MOSFET，專用于高性能、外圍元器件精簡(jiǎn)的交直流轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)電源。需要超低待機(jī)功耗的高性價(jià)比反激式開(kāi)關(guān)電源系統(tǒng)提供了一個(gè)先進(jìn)的實(shí)現(xiàn)平臺(tái)，非常適合六級(jí)能效、CoC Tier 2應(yīng)用，PCB背面露銅幫助散熱。

2、Chipown芯朋PN8161

芯朋PN8161內(nèi)部集成了準(zhǔn)諧振工作的電流模式控制器和功率MOSFET，專用于高性能、外圍元器件精簡(jiǎn)的交直流轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)電源。該芯片提供了極為全面和性能優(yōu)異的智能化保護(hù)功能，包括輸出過(guò)壓保護(hù)、逐周期過(guò)流保護(hù)、過(guò)載保護(hù)、軟啟動(dòng)功能。

芯朋PN8161通過(guò)QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三種模式混合調(diào)制技術(shù)和特殊器件低功耗結(jié)構(gòu)技術(shù)實(shí)現(xiàn)了超低的待機(jī)功耗、全電壓范圍下的最佳效率。頻率調(diào)制技術(shù)和SoftDriver技術(shù)充分保證良好的EMI表現(xiàn)。

次級(jí)芯片：

1、Chipown芯朋PN8307H

芯朋PN8307H內(nèi)置同步整流控制器及高雪崩能力功率MOSFET，用于在高性能AC/DC反激系統(tǒng)中替代次級(jí)整流肖特基二極管，電壓降極低的功率MOSFET可以提高電流輸出能力，提升轉(zhuǎn)換效率，使得系統(tǒng)效率可以滿足6級(jí)能效的標(biāo)準(zhǔn)，并留有足夠的裕量。

芯朋PN8307H內(nèi)置12mΩ60V耐壓同步整流管，適用3.6V-20V常用適配器輸出，適用于QC3.0適配器及其他固定電壓輸出的適配器。該芯片還集成了極為全面的輔助功能，包含輸出欠壓保護(hù)、防誤開(kāi)啟、最小導(dǎo)通時(shí)間等功能。

CXW誠(chéng)芯微

初級(jí)芯片：

1、CXW誠(chéng)芯微CX7509

誠(chéng)芯微CX7509芯片內(nèi)置 650V 高壓功率 MOSFET，應(yīng)用于功率在 18W 以內(nèi)的方案。 在啟動(dòng)和工作時(shí)只需要很小的電流，可以在啟動(dòng)電路中使用一個(gè)很大的電阻，以此來(lái)減小待機(jī)時(shí)的功耗。并且芯片內(nèi)置包括逐周期限流保護(hù)（OCP）、過(guò)載保護(hù)（OLP）、過(guò)壓保護(hù)（VDD OVP）、VDD 過(guò)壓箝位，欠壓保護(hù)（UVLO）、過(guò)溫保護(hù)（OTP）等在內(nèi)的多種保護(hù)功能，通過(guò)內(nèi)部的圖騰柱驅(qū)動(dòng)結(jié)構(gòu)可以更好的改善系統(tǒng)的EMI 特性和開(kāi)關(guān)的軟啟動(dòng)控制。

次級(jí)芯片：

1、CXW誠(chéng)芯微CX7538

誠(chéng)芯微CX7538是一顆高性能的開(kāi)關(guān)電源次級(jí)側(cè)同步整流控制電路。在低壓大電流開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用中，輕松滿足6級(jí)能效，是理想的超低導(dǎo)通壓降整流器件的解決方案。芯片可支持高達(dá) 150kHz 的開(kāi)關(guān)頻率應(yīng)用，并且支持 CCM/QR/DCM等開(kāi)關(guān)電源工作模式應(yīng)用，其極低導(dǎo)通壓降產(chǎn)生的損耗遠(yuǎn)小于肖特基二極管的導(dǎo)通損耗，極大提高了系統(tǒng)的轉(zhuǎn)換效率，大幅降低了整流器件的溫度。

誠(chéng)芯微CX7538內(nèi)置耐壓高達(dá)85V的NMOSFET同步整流開(kāi)關(guān)，且具有極低的內(nèi)阻，典型 RdsON 低至 10mΩ，可提供系統(tǒng)高達(dá) 3A 的應(yīng)用輸出；還內(nèi)置了高壓直接檢測(cè)技術(shù)，耐壓高達(dá) 200V；以及高達(dá) 30V 的供電電壓，使得控制器可直接使用高至 24V 的輸出電壓整流應(yīng)用中，極大擴(kuò)展了使用范圍。高集成度的電路設(shè)計(jì)使得芯片外圍電路極其簡(jiǎn)單，在 QC 與 PD 5V/9V/12V 應(yīng)用中，只需搭配 1 顆電容，即可構(gòu)建一個(gè)完整的同步整流應(yīng)用系統(tǒng)。

DONGKE東科半導(dǎo)體

次級(jí)芯片：

1、DONGKE東科DK5V85R15C

東科DK5V85R15C是一款簡(jiǎn)單高效率的同步整流芯片，只有A，K兩個(gè)引腳，分別對(duì)應(yīng)肖特基二極管PN管腳。芯片內(nèi)部集成了85V功率NMOS管，可以大幅降低二極管導(dǎo)通損耗，提高整機(jī)效率，取代或替換目前市場(chǎng)上等規(guī)的肖特基整流二級(jí)管。

2、DONGKE東科DK5V100R15M

東科高性能兩個(gè)引腳同步整流芯片DK5V100R15M。這是一款簡(jiǎn)單高效率的同步整流芯片，只有A，K兩個(gè)引腳，分別對(duì)應(yīng)肖特基二極管PN管腳。芯片內(nèi)部集成了100V功率NMOS管，可以大幅降低二極管導(dǎo)通損耗，提高整機(jī)效率，取代或替換目前市場(chǎng)上等規(guī)的肖特基整流二級(jí)管。芯片采用SM-10封裝。

3、DONGKE東科DK5V100R20C

東科DK5V100R20C是一款簡(jiǎn)單高效率的同步整流芯片，只有A，K兩個(gè)引腳，分別對(duì)應(yīng)肖特基二極管PN管腳。芯片內(nèi)部集成了100V功率NMOS管，可以大幅降低二極管導(dǎo)通損耗，提高整機(jī)效率，取代或替換目前市場(chǎng)上等規(guī)的肖特基整流二級(jí)管。此外該芯片采用SM-7封裝（兼容TO-277封裝）。

4、DONGKE東科DK5V100R25C

東科DK5V100R25C是一款簡(jiǎn)單高效率的同步整流芯片，只有 A、K 兩個(gè)引腳，分別對(duì)應(yīng)肖特基二極管PN引腳。芯片內(nèi)部集成了100V功率 NMOS 管，可以大幅降低二極管導(dǎo)通損耗，提高整機(jī)效率，取代或替換目前市場(chǎng)上同等規(guī)格的肖特基整流二極管。

Depuw德普微電子

初級(jí)控制器：

1、Depuw德普微DP2367

Depuw德普微高度集成、離線式電流模式控制功率開(kāi)關(guān)DP2367，內(nèi)置650V耐壓MOS管。

JOULWATT杰華特

次級(jí)芯片：

1、JOULWATT杰華特JW7719A

杰華特JW7719A同步整流芯片，內(nèi)置MOS，耐壓100V，10mΩ導(dǎo)阻。

Lii力生美

初級(jí)芯片：

1、Lii力生美LN9T39HV

力生美LN9T39HV是一款高供電電壓范圍、高性能、高集成度電流模式PWM控制器功率開(kāi)關(guān)，可以方便地在諸如PD/QC等寬輸出電壓變化范圍的開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用中構(gòu)建滿足CoC V5及DoE 6級(jí)能效的低待機(jī)功耗、低成本、高性能的解決方案。

次級(jí)芯片：

1、Lii力生美LN5S18

力生美LN5S18是高性能 SR 同步整流功率開(kāi)關(guān)系列產(chǎn)品，產(chǎn)品內(nèi)置超低 RdsON MOSFET，內(nèi)置 TrueWareTM 技術(shù)，兼容 CCM/DCM/QR 等各種反激電源工作模式，內(nèi)置 MOSFET 耐壓更高達(dá) 80V，可在寬達(dá) 5~15V 的應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)理想二極管整流效果，是 USB Type-C PD 及 QC 快充等應(yīng)用的極佳選擇。

2、Lii力生美LN5S21A

力生美LN5S21A內(nèi)置同步整流MOS和控制器，內(nèi)置MOS耐壓105V，導(dǎo)阻10mΩ，可以提高整機(jī)轉(zhuǎn)換效率。

3、Lii力生美LN5S21B

力生美LN5S21B內(nèi)置同步整流MOS和控制器，內(nèi)置MOS耐壓105V，導(dǎo)阻8mΩ，可以提高整機(jī)轉(zhuǎn)換效率。

MERAKI-IC茂睿芯

次級(jí)芯片：

1、MERAKI-IC茂睿芯MK9173

茂睿芯的MK9173系列是一款高性能的同步整流功率開(kāi)關(guān)，集成N溝道功率MOS，適用于隔離型的同步整流應(yīng)用。尤其適用于充電器中需求高效率的場(chǎng)合，并兼容CCM、DCM和QR模式。此外MK9173X采用自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的自供電電路，可靈活的放置在輸出正端或輸出負(fù)端。放置在正端時(shí)，亦無(wú)需格外的輔助繞組。

MK9173的10ns關(guān)斷延時(shí)以及高達(dá)4A的下拉電流幫助系統(tǒng)可靠工作于CCM 模式。其自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的開(kāi)通及關(guān)斷機(jī)制，可以最大化外驅(qū)MOSFET的導(dǎo)通時(shí)間以獲得盡可能高的效率。并且自主檢測(cè)DCM振鈴，防止誤開(kāi)通。

2、MERAKI-IC茂睿芯MK1716

次級(jí)同步整流芯片采用茂睿芯MK1716，這款芯片集成了次級(jí)同步整流控制器和16mΩ/100V規(guī)格同步整流MOS。茂睿芯MK171X系列是一款高性能的同步整流功率開(kāi)關(guān)，集成N溝道功率MOS，適用于隔離型的同步整流應(yīng)用。尤其適用于充電器中需求高效率的場(chǎng)合，并兼容CCM、DCM 和QR模式。

MK171X采用自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的自供電電路，可靈活的放置在輸出正端或輸出負(fù)端。放置在正端時(shí)，亦無(wú)需格外的輔助繞組。支持10ns關(guān)斷延時(shí)以及高達(dá)4A的下拉電流幫助系統(tǒng)可靠工作于CCM 模式。支持開(kāi)通及關(guān)斷機(jī)制，可以最大化外驅(qū)MOSFET的導(dǎo)通時(shí)間以獲得盡可能高的效率，并且自主檢測(cè)DCM振鈴，防止誤開(kāi)通。

MicrOne微盟電子

1、MicrOne微盟電子ME8115

微盟ME8115，內(nèi)置MOS。

On‐Bright昂寶

次級(jí)芯片：

1、On‐Bright昂寶OB2004Ax

次級(jí)同步整流芯片采用昂寶OB2004Ax，其內(nèi)置NMOS，支持3-12V輸出，集成度高。

Power Integrations

初次級(jí)一體芯片：

1、PI SC1263K6

PI SC1263K6，蘋果的定制型號(hào)。

2、PI SC1224K

PI SC1224K內(nèi)置反激式控制器、初級(jí)開(kāi)關(guān)管，以及次級(jí)測(cè)檢測(cè)和同步整流控制器。

3、PI SC1548C

PI SC1548C內(nèi)置反激式控制器、初級(jí)開(kāi)關(guān)管，以及次級(jí)測(cè)檢測(cè)和同步整流控制器，內(nèi)置帶HIPOT隔離保護(hù)的集成反饋鏈路，集成度非常高。

4、PI SC1702C

PI PWM主控芯片SC1702C，內(nèi)部集成控制器，開(kāi)關(guān)管和同步整流控制器。

5、PI SC1933C

PI SC1933C屬于PI InnoGaN 系列，這個(gè)是PI推出的首款GaN電源產(chǎn)品，標(biāo)志著GaN元件在USB PD快充電源上得到全面應(yīng)用，其高頻率低損耗的優(yōu)勢(shì)，能夠提高充電器的功率密度，減小體積和重量，更加便于攜帶。

6、PI SC1936C

PI SC1936C是PI最新發(fā)布的內(nèi)置氮化鎵功率器件的PowiGaN主控芯片，寬電壓范圍下，適配器殼體中最大75W連續(xù)功率。

7、PI INN2215K

PI INN2215K是離線CV/CC反激開(kāi)關(guān)集成電路，集成了650V MOSFET，Sync-Rect反饋和用于USB-PD和QC 3.0的恒功率分布圖，大大簡(jiǎn)化了低壓大電流電源特別是小尺寸和高效率電源的開(kāi)發(fā)和制造，可用于最大20W的充電器應(yīng)用。

8、PI INN3265C

PI的電源主控芯片INN3265C內(nèi)置了控制器，開(kāi)關(guān)管以及次級(jí)同步整流控制器，集成度高，可用于最大22W的充電器應(yīng)用。

9、PI INN3266C

充電器主控芯片來(lái)自PI的初級(jí)主控芯片，型號(hào)INN3266C，其內(nèi)置了控制器，開(kāi)關(guān)管，次級(jí)同步整流控制器，集成度高，可用于最大27W的充電器應(yīng)用。

10、PI INN3268C

PI INN3268C片內(nèi)置了PWM主控、高壓MOSFET以及次級(jí)同步整流控制器以及反饋電路等，無(wú)需光耦，外圍簡(jiǎn)潔，可用于最大50W的充電器應(yīng)用。

Reactor-Micro亞成微

初級(jí)芯片：

1、Reactor-Micro亞成微RM6715S

初級(jí)PWM主控芯片采用亞成微RM6715S，這是一種自供電雙繞組離線式開(kāi)關(guān)電源管理芯片，內(nèi)置高壓 MOSFET及電流模式 PWM+PFM 控制器， 滿足六級(jí)能效標(biāo)準(zhǔn)。同時(shí)，RM6715S內(nèi)置高壓?jiǎn)?dòng)電阻，專利技術(shù)為VCC供電，無(wú)需外部輔助繞組，節(jié)約設(shè)計(jì)成本。

RM6715S芯片內(nèi)置多種工作模式，在輕載情況下，芯片進(jìn)入Burst mode模式，消除變壓器的音頻噪音，提高轉(zhuǎn)換效率；在待機(jī)模式下，電路進(jìn)入打嗝模式，有效降低電路的待機(jī)功耗。內(nèi)部集成斜坡補(bǔ)償模塊，有利于CCM模式下系統(tǒng)閉環(huán)反饋回路的穩(wěn)定性，減小了輸出紋波電壓。此外，芯片內(nèi)部還集成多種異常狀態(tài)保護(hù)功能，在電路發(fā)生異常時(shí)，芯片進(jìn)入保護(hù)狀態(tài)并自動(dòng)重啟檢測(cè)， 異常解除，恢復(fù)正常輸出。

次級(jí)芯片：

1、Reactor-Micro亞成微RM3403SH

亞成微RM3403SH內(nèi)部集成同步整流MOS管，集成度同樣很高，并支持DCM、CRCM、CCM和準(zhǔn)諧振等多種工作模式。

Silan士蘭微電子

初級(jí)芯片：

1、Silan士蘭SDH8666Q

士蘭SDH8666Q是士蘭微電子新一代SSR反激控制芯片，采用了自有專利EHSOP5貼片封裝，內(nèi)置高壓大功率MOSFET，導(dǎo)阻0.55Ω，可廣泛適用于36W適配器或48W開(kāi)放環(huán)境，包括通用適配器、快充、顯示器和平板電視等，此前充電頭網(wǎng)已經(jīng)對(duì)該款芯片進(jìn)行相關(guān)報(bào)道。

Si-Power硅動(dòng)力

初級(jí)芯片：

1、Si-Power硅動(dòng)力SP6638HF

Si-Power硅動(dòng)力的高性能、低功耗開(kāi)關(guān)電源控制芯片SP6638HF，內(nèi)置初級(jí)開(kāi)關(guān)MOS，用于功率在18W以內(nèi)的方案。SP6638HF是國(guó)內(nèi)首款內(nèi)置MOS支持恒功率模式的18W快充芯片，采用行業(yè)領(lǐng)先的3D封裝技術(shù)。配套同步整流芯片SP6518F：內(nèi)置80V/10mΩ低壓MOS，帶自供電工作模式，完美支持PPS。

2、Si-Power硅動(dòng)力SP6648HF

PWM主控芯片采用無(wú)錫硅動(dòng)力SP6648HF，這是一顆電流模式PWM控制芯片，其內(nèi)置650V高壓功率MOSFET，應(yīng)用于功率在18W以內(nèi)的方案。SP6648HF在PWM模式下工作于固定開(kāi)關(guān)頻率，這個(gè)頻率是由內(nèi)部精確設(shè)定。在空載或者輕載時(shí)，工作頻率由IC內(nèi)部調(diào)整。芯片可以工作在綠色模式，以此來(lái)減小輕載時(shí)的損耗，提高整機(jī)的工作效率。

次級(jí)芯片：

1、Si-Power硅動(dòng)力SP6518F

Si-Power硅動(dòng)力同步整流芯片SP6518F。這是一顆高性能的開(kāi)關(guān)電源次級(jí)側(cè)同步整流控制電路。在低壓大電流開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用中，輕松滿足6級(jí)能效，是理想的超低導(dǎo)通壓降整流器件的解決方案。

芯片可支持高達(dá)150kHz的開(kāi)關(guān)頻率應(yīng)用，并且支持CCM/QR/DCM等開(kāi)關(guān)電源工作模式應(yīng)用，其極低導(dǎo)通壓降產(chǎn)生的損耗遠(yuǎn)小于肖特基二極管的導(dǎo)通損耗，極大提高了系統(tǒng)的轉(zhuǎn)換效率，大幅降低了整流器件的溫度。

總結(jié)

蘋果目前已有10款支持USB PD快充的手機(jī)，其中8款尚未標(biāo)配18W快充套裝，現(xiàn)有市場(chǎng)對(duì)18W快充的需求本就比較旺盛。隨著iPhone12不再附贈(zèng)充電器，第三方18W快充的銷量將迎來(lái)新一輪增長(zhǎng)。

目前18W USB PD快充方案已經(jīng)十分成熟，并且還可以兼容多種其他快充協(xié)議，完全具備了取代傳統(tǒng)充電器的能力。而在原來(lái)越多的中低端機(jī)型中，18W PD快充技術(shù)也逐漸成為手機(jī)的標(biāo)配，市場(chǎng)潛力巨大。

對(duì)18W PD快充電源芯片而言，高集成設(shè)計(jì)已經(jīng)成為市場(chǎng)的發(fā)展趨勢(shì)，而具備高集成度AC-DC電源芯片供應(yīng)能力的芯片廠商優(yōu)勢(shì)也逐漸凸顯。

從了解到的數(shù)據(jù)來(lái)看，目前在18W PD快充這個(gè)品類，內(nèi)置MOS方案和分離器件方案各占據(jù)了一半的市場(chǎng)份額。這對(duì)內(nèi)置MOS芯片的廠商來(lái)說(shuō)是一個(gè)好消息，仍有巨大的市場(chǎng)有待開(kāi)發(fā)，其中也蘊(yùn)藏了無(wú)限商機(jī)。