數(shù)月前臺積電和三星的芯片代工廠相繼投產5 nm EUV工藝制程的芯片,三星宣布其最新的X-Cube 3D IC封裝技術已經可以投入使用,該技術能提供更快的速度和更好的能源效率。
三星旗下的圓晶廠已經使用該技術進行了測試芯片的生產,該技術可用于7 nm和5 nm工藝制程的芯片生產線。
通過多個芯片的超薄堆疊,可以制造更緊湊的邏輯半導體,該工藝采用了通硅通(TSV)技術進行垂直電連接,而不是使用導線。由于采用了TSV技術,芯片中不同堆棧之間的信號路徑大大減少,提高了數(shù)據(jù)傳輸速度和能源效率。各種邏輯塊、存儲器和存儲芯片可以相互堆疊,以創(chuàng)造更緊湊的硅封裝。
這種堆疊封裝的方式就像搭積木一樣將芯片堆起來,由原本的平面堆疊變?yōu)榱Ⅲw堆疊,減少了芯片占用面積,提高了芯片集成度。
臺積電和英特爾都公布過自家的芯片3D封裝技術,技術原理上相似,但是各家的方法并不相同。
三星也表示將繼續(xù)與全球的無晶圓半導體公司合作,將該技術部署在新一代高性能芯片之中。