詳解iPhone 6s處理器、內(nèi)存與無線通信芯片

　　Apple在近期的新品發(fā)布會上發(fā)布了iPhone、iPadPro、AppleTV與新一代AppleWatch操作系統(tǒng)，可謂歷年來產(chǎn)品最豐富的一次，本文主要將對占蘋果營收6成以上之iPhone產(chǎn)品內(nèi)部核心主要芯片做些討論，包含處理器、內(nèi)存與無線通信芯片等。

　　本代iPhone延續(xù)過去傳統(tǒng)命名為iPhone6s，在外型上維持與iPhone6相同之4.7寸與5.5寸，分辨率也不變，故屏幕PPI也相同。 iPhone6s最大的特色為增加了3DTouch，此源自AppleWatch所使用的ForceTouch功能經(jīng)持續(xù)改良，增加使用者體驗 （UserExperience）效果，在外觀顏色方面，除了原本iPhone6顏色外，另外增加了與過去傳聞相同的玫瑰金色。主要相機模塊分辨率也大幅增至主相機1，200萬像素，前置相機也同步增至500萬像素。而扮演iPhone內(nèi)部核心主要運算功能的芯片部分，以下將討論與前一代iPhone6最大差異。

　　A9采用新晶體管架構(gòu)

　　iPhone6s內(nèi)新一代A9應(yīng)用處理器 （ApplicaTIonProcessor/AP）采用新晶體管架構(gòu)（NewTransistorArchitecture），由于iPhone6內(nèi) A8處理器為使用臺積電之20nmbulk晶體管工藝，所謂新晶體管架構(gòu)很可能為鰭式晶體管（FinFET），可能代工廠商為臺積電之16nm或是三星之 14nm工藝。隨著晶體管工藝持續(xù)微縮，閘級氧化層（GateOxide）厚度越來越薄，從閘級漏出的電流將越來越大，對于個人行動裝置的待機 （Standby）時間造成嚴(yán)重威脅，F(xiàn)inFET利用多維（mulTI）或三維閘級去控制（Control）電流。Intel在2Xnm已開始使用 FinFET，目前已全面商業(yè)化至其微處理器產(chǎn)品中。臺積電與三星則在1Xnm全面導(dǎo)入FinFET。

　　A9效能全面升級

　　Apple表示A9的中央處理單元（CentralProcessingUnit/CPU）將較A8快70%，由于A9應(yīng)該還是與A8采用相同 ARMv8指令級架構(gòu)，A9很有可能使用與iPadAir2的A8X相同的3核心。而A9之圖形處理單元 （GraphicProcessingUnit/GPU），根據(jù)Apple宣稱效能將比A8增加90%，故應(yīng)該可能也與A8X相同采用8核心客制化 （CustomizaTIon）之PowerVR架構(gòu)，A9此次主要特色為透過FinFET的導(dǎo)入降低面積與改善散熱，再加上電路優(yōu)化來達到全面效能升級的效果。

　　內(nèi)存加大、支持4K錄像

　　iPhone6s后制主鏡頭可支持4K錄像。 4K分辨率為FullHD的4倍（2&TImes;2），像素（Pixel）可達800萬。由于手機儲存容量不若大型錄像或是單眼器材，通常在錄像時會先經(jīng)過基本壓縮處理，如DCT等，再加上原本AP內(nèi)通常整合CPU與GPU，手機內(nèi)DRAM需要共享傳統(tǒng)主存儲器與FrameBuffer，再加上操作系統(tǒng)傳統(tǒng)運作需要，iPhone6s對整體手機易失存儲器需求大增，故iPhone6s內(nèi)部DRAM使用量很可能從原本iPhone6之1GBLPDDR3增加至 2GBLPDDR4。