一款62mm器件半橋拓?fù)湓O(shè)計(jì)的CoolSiC?模塊

在科學(xué)技術(shù)高度發(fā)達(dá)的今天，各種各樣的高科技出現(xiàn)在我們的生活中，為我們的生活帶來(lái)便利，那么你知道這些高科技可能會(huì)含有的CoolSiC? MOSFET模嗎?

英飛凌科技股份公司(FSE： IFX / OTCQX： IFNNY)為其1200 V CoolSiC? MOSFET模塊系列新增了一款62mm工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)模塊封裝產(chǎn)品。它采用成熟的62mm器件半橋拓?fù)湓O(shè)計(jì)，以及溝槽柵芯片技術(shù)，為碳化硅打開(kāi)了250kW以上(硅IGBT技術(shù)在62mm封裝的功率密度極限)中等功率應(yīng)用的大門(mén)。在傳統(tǒng)62mm IGBT模塊基礎(chǔ)上，將碳化硅的應(yīng)用范圍擴(kuò)展到了太陽(yáng)能、服務(wù)器、儲(chǔ)能、電動(dòng)汽車(chē)充電樁、牽引以及商用感應(yīng)電磁爐和功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)等。

SiC材料雖然在擊穿場(chǎng)強(qiáng)、熱導(dǎo)率、飽和電子速率等方面相比于Si材料有著絕對(duì)的優(yōu)勢(shì)，但是它在形成MOS(金屬-氧化物-半導(dǎo)體)結(jié)構(gòu)的時(shí)候，SiC-SiO2界面電荷密度要遠(yuǎn)大于Si-SiO2，這樣造成的后果就是SiC表面電子遷移率要遠(yuǎn)低于體遷移率，從而使溝道電阻遠(yuǎn)大于體電阻，成為器件通態(tài)比電阻大小的主要成分。

該62mm模塊配備了英飛凌的CoolSiC MOSFET芯片，可實(shí)現(xiàn)極高的電流密度。其極低的開(kāi)關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗可以最大限度地減少冷卻器件的尺寸。在高開(kāi)關(guān)頻率下運(yùn)行時(shí)，可使用更小的磁性元件。借助英飛凌CoolSiC芯片技術(shù)，客戶(hù)可以設(shè)計(jì)尺寸更小的逆變器，從而降低整體系統(tǒng)成本。

目前常見(jiàn)的SiC MOSFET 都是平面柵結(jié)構(gòu)，Si-面上形成導(dǎo)電溝道，缺陷較多，電子遷移率低。英飛凌CoolSiCTM MOSFET 采用Trench 溝槽柵結(jié)構(gòu)，導(dǎo)電溝道從水平的晶面轉(zhuǎn)移到了豎直的晶面，大大提高了表面電子遷移率，使器件的驅(qū)動(dòng)更加容易，壽命更長(zhǎng)。

它采用62mm標(biāo)準(zhǔn)基板和螺紋接口，具有高魯棒性的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，從而最大限度地優(yōu)化并提高系統(tǒng)可用性，同時(shí)降低維修成本并減少停機(jī)損失。出色的溫度循環(huán)能力和150°C的連續(xù)工作溫度(Tvjop)，帶來(lái)出色的系統(tǒng)可靠性。其對(duì)稱(chēng)的內(nèi)部設(shè)計(jì)，使得上下開(kāi)關(guān)有了相同的開(kāi)關(guān)條件?？梢赃x裝“預(yù)處理熱界面材料”(TIM)配置，進(jìn)一步提高模塊的熱性能。

以上就是CoolSiC? MOSFET模的一些值得大家學(xué)習(xí)的詳細(xì)資料解析，希望在大家剛接觸的過(guò)程中，能夠給大家一定的幫助，如果有問(wèn)題，也可以和小編一起探討。