在科學技術高度發(fā)達的今天，各種各樣的高科技出現(xiàn)在我們的生活中，為我們的生活帶來便利，那么你知道這些高科技可能會含有的獨立 MOSFET嗎?
Diodes 公司近日宣布推出新一代首款獨立 MOSFET。 DMN3012LEG 采用輕巧封裝，可提升效率，大幅節(jié)省各種電源轉換與控制產(chǎn)品應用的成本、電力與空間。
功率場效應晶體管也分為結型和絕緣柵型,但通常主要指絕緣柵型中的MOS型(Metal Oxide Semiconductor FET),簡稱功率MOSFET(Power MOSFET)。結型功率場效應晶體管一般稱作靜電感應晶體管(Static Induction Transistor——SIT)。
DMN3012LEG 在單一封裝內整合雙 MOSFET，尺寸僅 3.3mm x 3.3mm，相較于典型雙芯片解決方案，電路板空間需求最多減少 50%。此節(jié)省空間的特點，有利于使用負載點 (PoL) 與電源管理模塊的一系列產(chǎn)品應用。DMN3012LEG 可用于 DC-DC 同步降壓轉換器與半橋電源拓撲，以縮小功率轉換器解決方案的尺寸。
功率MOSFET的種類：按導電溝道可分為P溝道和N溝道。按柵極電壓幅值可分為;耗盡型;當柵極電壓為零時漏源極之間就存在導電溝道，增強型;對于N(P)溝道器件，柵極電壓大于(小于)零時才存在導電溝道，功率MOSFET主要是N溝道增強型。
PowerDI® 3333-8 D 型封裝的 3D 結構有助增加整體功率效率，且高電壓與額定電流大幅擴大其應用范圍。完全接地墊片設計可帶來良好的散熱效能，降低整個解決方案的運作溫度，還能善用高切換速度及其效率，免去大型電感器和電容器的需求。
MOSFET的開關速度和Cin充放電有很大關系，使用者無法降低Cin， 但可降低驅動電路內阻Rs減小時間常數(shù)，加快開關速度，MOSFET只靠多子導電，不存在少子儲存效應，因而關斷過程非常迅速，開關時間在10— 100ns之間，工作頻率可達100kHz以上，是主要電力電子器件中最高的。
DMN3012LEG 整合兩個 N 信道的增強模式 MOSFET，非常適合用于同步降壓轉換器的設計。此組件使用橫向擴散 MOS (LDMOS) 制程，結合快速導通和間斷動作，Q1 延遲時間僅 5.1ns 和 6.4ns，Q2 僅 4.4ns 和 12.4ns，且 Q1 最大導通電阻 (RDS(ON)) 在 Vgs=5V 時僅 12mΩ，Q2 在 Vgs=5V 時則是 6mΩ。若閘源極電壓為 10V，DMN3012LEG 可接受 30V 汲源極電壓，同時支持 5V 閘極驅動。
以上就是獨立 MOSFET的一些值得大家學習的詳細資料解析，希望在大家剛接觸的過程中，能夠給大家一定的幫助，如果有問題，也可以和小編一起探討。
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