一、電容的基本信息
.定義：兩塊金屬電極之間夾一層絕緣電介質(zhì)構(gòu)成
單位：1f=1000mf=1000000ηf 1ηf=1000nf=1000000pf
串聯(lián)：與電阻并聯(lián)相同 并聯(lián)：與電阻串聯(lián)相同
二、參數(shù)
1、 標(biāo)稱電容量和允許偏差
電容器上標(biāo)識的容值
電解電容器的容值，取決于在交流電壓下工作時所呈現(xiàn)的阻抗。因此容值，也就是交流電容值，隨著工作頻率、電壓以及測量方法的變化而變化。在標(biāo)準(zhǔn)JISC 5102 規(guī)定：鋁電解電容的電容量的測量條件是在頻率為 120Hz，最大交流電壓為 0.5Vrms，DC bias 電壓為1.5 ～ 2.0V 的條件下進行?？梢詳嘌裕X電解電容器的容量隨頻率的增加而減小。
電容器中存儲的能量 E = CV^2/2
電容器的線性充電量 I = C (dV/dt)
電容的總阻抗(歐姆) Z = √ [ RS^2 + (XC – XL)^2 ]
容性電抗(歐姆)XC = 1/(2πfC)
電容器實際電容量與標(biāo)稱電容量的偏差稱誤差，在允許的偏差范圍稱精度。
精度等級與允許誤差對應(yīng)關(guān)系：00(01)-±1%、0(02)-±2%、Ⅰ-±5%、Ⅱ-±10%、Ⅲ-±20%、 Ⅳ-(+20%-10%)、Ⅴ-(+50%-20%)、Ⅵ-(+50%-30%)
一般電容器常用Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ級，電解電容器用Ⅳ、Ⅴ、Ⅵ級，根據(jù)用途選取。
2、額定電壓
在最低環(huán)境溫度和額定環(huán)境溫度下可連續(xù)加在電容器的最高直流電壓有效值，一般直接標(biāo)注在電容器外殼上，如果工作電壓超過電容器的耐壓，電容器擊穿，造成不可修復(fù)的永久損壞。
3、絕緣電阻
直流電壓加在電容上，并產(chǎn)生漏電電流，兩者之比稱為絕緣電阻。
當(dāng)電容較小時，主要取決于電容的表面狀態(tài)，容量〉0.1uf 時，主要取決于介質(zhì)的性能，絕緣電阻越大越好。
電容的時間常數(shù)：為恰當(dāng)?shù)脑u價大容量電容的絕緣情況而引入了時間常數(shù)，他等于電容的絕緣電阻與容量的乘積。
4、損耗
電容在電場作用下，在單位時間內(nèi)因發(fā)熱所消耗的能量叫做損耗。各類電容都規(guī)定了其在某頻率范圍內(nèi)的損耗允許值，電容的損耗主要由介質(zhì)損耗，電導(dǎo)損耗和電容所有金屬部分的電阻所引起的。
在直流電場的作用下，電容器的損耗以漏導(dǎo)損耗的形式存在，一般較小，在交變電場的作用下，電容的損耗不僅與漏導(dǎo)有關(guān)，而且與周期性的極化建立過程有關(guān)。
5、頻率特性
隨著頻率的上升，一般電容器的電容量呈現(xiàn)下降的規(guī)律。電容器參數(shù)的基本公式C=ES/4Kmd
6、 相位角 Ф
理想電容器：超前當(dāng)前電壓 90度
理想電感器：滯后當(dāng)前電壓 90度
理想電阻器：與當(dāng)前電壓的相位相同
7、耗散系數(shù) (%)
損耗角正切值 Tan δ
在電容器的等效電路中，串聯(lián)等效電阻 ESR 同容抗 1/ωC 之比稱之為 Tan δ， 這里的 ESR 是在 120Hz 下計算獲得的值。顯然，Tan δ 隨著測量頻率的增加而變大，隨測量溫度的下降而增大。
D.F. = tan δ (損耗角)= ESR / Xc = (2πfC)(ESR)
損耗因數(shù)，因為電容器的泄漏電阻、等效串聯(lián)電阻和等效串聯(lián)電感，這三項指標(biāo)幾乎總是很難分開，所以許多電容器制造廠家將它們合并成一項指標(biāo)，稱作損耗因數(shù)，主要用來描述電容器的無效程度。損耗因數(shù)定義為電容器每周期損耗能量與儲存能量之比。又稱為損耗角正切。
圖1中，電容的泄露電阻Rp、有效串聯(lián)電阻Rs和有效串聯(lián)電感L式寄生元件，可能會降低外部電路的性能。一般將這些元件的效應(yīng)合并考慮，定義為損耗因數(shù)或DF。
電容的泄漏是指施加電壓時流過電介質(zhì)的微小電流。雖然模型中表現(xiàn)為與電容并聯(lián)的簡單絕緣電阻Rp，但實際上泄露與電壓并非線性關(guān)系。制造商常常將將泄漏規(guī)定為 MΩ-μF 積，用來描述電介質(zhì)的自放電時間常數(shù)，單位為秒。其范圍介于 1 秒或更短與數(shù)百秒之間，前者如鋁和鉭電容，后者如陶瓷電容。玻璃電容的自放電時間常數(shù)為 1,000 或更大;特氟龍和薄膜電容(聚苯乙烯、聚丙烯)的泄漏性能最佳，時間常數(shù)超過 1,000,000 MΩ-μF。對于這種器件，器件外殼的表面污染或相關(guān)配線、物理裝配會產(chǎn)生泄漏路徑，其影響遠遠超過電介質(zhì)泄漏。
有效串聯(lián)電感 ESL(圖 1)產(chǎn)生自電容引腳和電容板的電感，它能將一般的容抗變成感抗，尤其是在較高頻率時;其幅值取決于電容內(nèi)部的具體構(gòu)造。管式箔卷電容的引腳電感顯著大于模制輻射式引腳配置的引腳電感。多層陶瓷和薄膜電容的串聯(lián)阻抗通常最低，而鋁電解電容的串聯(lián)阻抗通常最高。因此，電解電容一般不適合高頻旁路應(yīng)用。
電容制造商常常通過阻抗與頻率的關(guān)系圖來說明有效串聯(lián)電感。不出意料的話，這些圖會顯示：在低頻時，器件主要表現(xiàn)出容性電抗;頻率較高時，由于串聯(lián)電感的存在，阻抗會升高。
有效串聯(lián)電阻 ESR(圖 1 的電阻 Rs)由引腳和電容板的電阻組成。如上文所述，許多制造商將 ESR、ESL 和泄漏的影響合并為一個參數(shù)，稱為“損耗因數(shù)”或 DF。損耗因數(shù)衡量電容的基本無效性。制造商將它定義為每個周期電容所損失的能量與所存儲的能量之比。特定頻率的等效串聯(lián)電阻與總?cè)菪噪娍怪冉朴趽p耗因數(shù)，而前者等于品質(zhì)因數(shù) Q 的倒數(shù)。
損耗因數(shù)常常隨著溫度和頻率而改變。采用云母和玻璃電介質(zhì)的電容，其 DF 值一般在 0.03% 至 1.0% 之間。室溫時，陶瓷電容的 DF 范圍是 0.1% 至 2.5%。電解電容的 DF 值通常會超出上述范圍。薄膜電容通常是最佳的，其 DF 值小于 0.1%。
8、品質(zhì)因素
Q = cotan δ = 1/ DF
9、等效串聯(lián)電阻ESR(歐姆)
ESR = (DF) Xc = DF/ 2πfC
10、功率消耗
Power Loss = (2πfCV2) (DF)
11、功率因數(shù)
PF = sin δ (loss angle) – cos Ф (相位角)
12、阻抗 Z
在特定的頻率下，阻礙交流電流通過的電阻即為所謂的阻抗(Z)。它與電容等效電路中的電容值、電感值密切相關(guān)，且與 ESR 也有關(guān)系。
Z = √ [ESR^2 + (XL - XC)^2 ]
式中，XC = 1 / ωC = 1 / 2πfC
XL = ωL = 2πfL
電容的容抗(XC)在低頻率范圍內(nèi)隨著頻率的增加逐步減小，頻率繼續(xù)增加達到中頻范圍時電抗(XL)降至 ESR 的值。當(dāng)頻率達到高頻范圍時感抗(XL)變?yōu)橹鲗?dǎo)，所以阻抗是隨著頻率的增加而增加。
13、漏電流
電容器的介質(zhì)對直流電流具有很大的阻礙作用。然而，由于鋁氧化膜介質(zhì)上浸有電解液，在施加電壓時，重新形成的以及修復(fù)氧化膜的時候會產(chǎn)生一種很小的稱之為漏電流的電流。通常，漏電流會隨著溫度和電壓的升高而增大。
14、紋波電流和紋波電壓
在一些資料中將此二者稱做“漣波電流”和“漣波電壓”，其實就是 ripple current，ripple voltage。 含義即為電容器所能耐受紋波電流/電壓值。 它們和ESR 之間的關(guān)系密切，可以用下面的式子表示：
Urms = Irms × R
式中，Vrms 表示紋波電壓，Irms 表示紋波電流，R 表示電容的ESR
由上可見，當(dāng)紋波電流增大的時候，即使在 ESR 保持不變的情況下，漣波電壓也會成倍提高。換言之，當(dāng)紋波電壓增大時，紋波電流也隨之增大，這也是要求電容具備更低 ESR 值的原因。疊加入紋波電流后，由于電容內(nèi)部的等效串連電阻(ESR)引起發(fā)熱，從而影響到電容器的使用壽命。一般的，紋波電流與頻率成正比，因此低頻時紋波電流也比較低。
三、各種電容關(guān)鍵參數(shù)：
1、 鋁電解電容器、
用浸有糊狀電解質(zhì)的吸水紙夾在兩條鋁箔中間卷繞而成，薄的化氧化膜作介質(zhì)的電容器。因為氧化膜有單向?qū)щ娦再|(zhì)，所以電解電容器具有極性。容量大，能耐受大的脈動電流，容量誤差大，泄漏電流大;普通的不適于在高頻和低溫下應(yīng)用，不宜使用在25kHz 以上頻率低頻旁路、信號耦合、電源濾波。
電容量：0.47--10000u
額定電壓：6.3--450V
主要特點：體積小，容量大，損耗大，漏電大
應(yīng)用：電源濾波，低頻耦合，去耦，旁路等
2、 鉭電解電容器(CA)鈮電解電容(CN)
用燒結(jié)的鉭塊作正極，電解質(zhì)使用固體二氧化錳溫度特性、頻率特性和可靠性均優(yōu)于普
通電解電容器，特別是漏電流極小，貯存性良好，壽命長，容量誤差小，而且體積小，單位體積下能得到最大的電容電壓乘積對脈動電流的耐受能力差，若損壞易呈短路狀態(tài)超小型高可靠機件中。
電容量：0.1--1000u
額定電壓：6.3--125V
主要特點：損耗、漏電小于鋁電解電容
應(yīng)用：在要求高的電路中代替鋁電解電容
3、 薄膜電容器
結(jié)構(gòu)與紙質(zhì)電容器相似，但用聚脂、聚苯乙烯等低損耗塑材作介質(zhì)頻率特性好，介電損
耗小不能做成大的容量，耐熱能力差濾波器、積分、振蕩、定時電路。
a 聚酯(滌綸)電容(CL)
電容量：40p--4u
額定電壓：63--630V
主要特點：小體積，大容量，耐熱耐濕，穩(wěn)定性差
應(yīng)用：對穩(wěn)定性和損耗要求不高的低頻電路
b 聚苯乙烯電容(CB)
電容量：10p--1u
額定電壓：100V--30KV
主要特點：穩(wěn)定，低損耗，體積較大
應(yīng)用：對穩(wěn)定性和損耗要求較高的電路
c 聚丙烯電容(CBB)
電容量：1000p--10u
額定電壓：63--2000V
主要特點：性能與聚苯相似但體積小，穩(wěn)定性略差
應(yīng)用：代替大部分聚苯或云母電容，用于要求較高的電路
4、 瓷介電容器
穿心式或支柱式結(jié)構(gòu)瓷介電容器，它的一個電極就是安裝螺絲。引線電感極小，頻率特
性好，介電損耗小，有溫度補償作用不能做成大的容量，受振動會引起容量變化特別適于高頻旁路。
a 高頻瓷介電容(CC)
電容量：1--6800p
額定電壓：63--500V
主要特點：高頻損耗小，穩(wěn)定性好
應(yīng)用：高頻電路
b 低頻瓷介電容(CT)
電容量：10p--4.7u
額定電壓：50V--100V
主要特點：體積小，價廉，損耗大，穩(wěn)定性差
應(yīng)用：要求不高的低頻電路
5、 獨石電容器
(多層陶瓷電容器)在若干片陶瓷薄膜坯上被覆以電極槳材料，疊合后一次繞結(jié)成一塊不可分割的整體，外面再用樹脂包封而成小體積、大容量、高可靠和耐高溫的新型電容器，高介電常數(shù)的低頻獨石電容器也具有穩(wěn)定的性能，體積極小，Q 值高容量誤差較大噪聲旁路、濾波器、積分、振蕩電路。
容量范圍：0.5PF--1UF
耐壓：二倍額定電壓。
電容量大、體積小、可靠性高、電容量穩(wěn)定，耐高溫耐濕性好等。
應(yīng)用范圍：廣泛應(yīng)用于電子精密儀器。各種小型電子設(shè)備作諧振、耦合、濾波、旁路。
6、 紙質(zhì)電容器
一般是用兩條鋁箔作為電極，中間以厚度為0.008～0.012mm 的電容器紙隔開重疊卷繞而成。制造工藝簡單，價格便宜，能得到較大的電容量。
一般在低頻電路內(nèi)，通常不能在高于3～4MHz 的頻率上運用。油浸電容器的耐壓比普通紙質(zhì)。電容器高，穩(wěn)定性也好，適用于高壓電路。
7、 微調(diào)電容器
電容量可在某一小范圍內(nèi)調(diào)整，并可在調(diào)整后固定于某個電容值。 瓷介微調(diào)電容器的Q 值高，體積也小，通?？煞譃閳A管式及圓片式兩種。 云母和聚苯乙烯介質(zhì)的通常都采用彈簧式東，結(jié)構(gòu)簡單，但穩(wěn)定性較差。 線繞瓷介微調(diào)電容器是拆銅絲〈外電極〉來變動電容量的，故容量只能變小，不適合在需反復(fù)調(diào)試的場合使用。
a 空氣介質(zhì)可變電容器
可變電容量：100--1500p
主要特點：損耗小，效率高;可根據(jù)要求制成直線式、直線波長式、直線頻率式及對數(shù)式等
應(yīng)用：電子儀器，廣播電視設(shè)備等
b 薄膜介質(zhì)可變電容器
可變電容量：15--550p
主要特點：體積小，重量輕;損耗比空氣介質(zhì)的大
應(yīng)用：通訊，廣播接收機等
c 薄膜介質(zhì)微調(diào)電容器
可變電容量：1--29p
主要特點：損耗較大，體積小
應(yīng)用：收錄機，電子儀器等電路作電路補償
d 陶瓷介質(zhì)微調(diào)電容器
可變電容量：0.3--22p
主要特點：損耗較小，體積較小
應(yīng)用：精密調(diào)諧的高頻振蕩回路
8、 陶瓷電容器
用高介電常數(shù)的電容器陶瓷〈鈦酸鋇一氧化鈦〉擠壓成圓管、圓片或圓盤作為介質(zhì)，并用燒滲法將銀鍍在陶瓷上作為電極制成。它又分高頻瓷介和低頻瓷介兩種。 具有小的正電容溫度系數(shù)的電容器，用于高穩(wěn)定振蕩回路中，作為回路電容器及墊整電容器。低頻瓷介電容器限于在工作頻率較低的回路中作旁路或隔直流用，或?qū)Ψ€(wěn)定性和損耗要求不高的場合〈包括高頻在內(nèi)〉。這種電容器不宜使用在脈沖電路中，因為它們易于被脈沖電壓擊穿。高頻瓷介電容器適用于高頻電路。
9、 玻璃釉電容器(CI)
由一種濃度適于噴涂的特殊混合物噴涂成薄膜而成，介質(zhì)再以銀層電極經(jīng)燒結(jié)而成“獨石”結(jié)構(gòu)性能可與云母電容器媲美，能耐受各種氣候環(huán)境，一般可在200℃或更高溫度下工作，額定工作電壓可達500V，損耗tgδ0.0005～0.008
電容量：10p--0.1u
額定電壓：63--400V
主要特點：穩(wěn)定性較好，損耗小，耐高溫(200 度)
應(yīng)用：脈沖、耦合、旁路等電路
四、充放電曲線及過程
電容的充電放電過程我看最好用“充水”的模型來幫助理解。作為基本模型，我們假定有固定水壓---對應(yīng)衡定電壓，固定流量---對應(yīng)衡定電流的模型，如圖。
先看上邊的衡壓輸入模型：
假設(shè)有一個無限大的水庫給一個水杯充水，那么，自從開始充水起，水位就會逐漸上升。
從上升的速度看，是先快后慢，直至無窮小;
從充水的流速看，是流量是先大后小，直至無窮小;
從兩邊的水壓差看是先大后小，直至無窮小。
這樣，在經(jīng)歷無窮大的時間后，水杯的水位與水庫的水位持平。在上述過程中，用于電路理解方面最有用的是流速和壓差。
壓差趨于無窮小意味著充水水流也趨于無窮小，這意味著就那么充水的流速也無窮小，是永遠無法“充滿”的----兩邊的水平是永遠無法真正持平的。
回到電路上來。我們假設(shè)一個電路的時間常數(shù)RC小，則表明它容易滿足電路的電流要求，否則，表明它在滿足電流要求方面能力不足----就象我們一個人工作能力那樣。對應(yīng)地，如果是RC常數(shù)大，也相當(dāng)于工作壓力大、阻力了。當(dāng)然，實際電路有時出于需要是有意設(shè)置合適障礙----特地加大它的“工作壓力”的，這一點就是我們電路設(shè)計和調(diào)試時不斷地修改電路參數(shù)。
對于衡流充電放電的情況是相似的。理想的衡流充電/充水，不能再用圖上邊而要用下邊的模型，不然就成了積分模型了。具體情形大家可以結(jié)合實際想象一下----衡壓輸入的電路雖然是積分，但電流不是固定的，而電壓也是逐漸減小的，因而，該模型是正確的。
需要說明的是，對應(yīng)于下圖中的電路模型，我們要注意區(qū)別為什么它們的電路模型不同。對照模型圖，衡壓充水/充電時由于用節(jié)流孔的限制來控制流量的，因此，電阻對電容是串聯(lián)的----注入的水絲毫無損地存到了電容里。與此相反，衡流模型中水是邊注入邊流出的，因此，電阻是并聯(lián)。至于模型中誰是電容C，不用解釋了吧?
實際電路的問題：這里我們給出的模型是理想模型，比如衡壓/恒壓，衡流/恒流，實際上由于系統(tǒng)的響應(yīng)速度(負載能力)有限，因此在開始時刻的沖擊負載下可能滿足不了，因此與理想情況有所差異。這些差異如：啟動----打開閥門的時間不能地瞬間完成→對應(yīng)→電路上升沿不夠徒峭;水壓不能維持恒定→對應(yīng)→電源電壓波動;系統(tǒng)反應(yīng)速度慢→對應(yīng)→電路常數(shù)等。這些情形類似于沖擊負載，象開關(guān)電源的開關(guān)開啟或關(guān)斷瞬間(波形上升或下降邊沿)，電路的變化都屬于最激烈的時刻，就象飛機起降，孕婦待產(chǎn)等的樣子----看來呀，萬事開頭難，結(jié)束也難哪----結(jié)束難不是我們平時所常說的，算個有始無終吧----電源中的保護電路都為它們而設(shè)置的。
五、品牌
一線電容廠商：
Sanyo--------三洋
Rubycon------紅寶石
Nichicon-----尼吉康
NCC----------日本化工
Panasonic----松下
二線電容廠商：
OST-------奧斯特
Jackcon---融欣
Taicon----臺容
Teapo-----智寶
其他電容廠商：
Sacon-----士康
GSC-------杰商
Choyo-----臺灣電容
Chocon----臺灣電容
Fcon------臺灣電容
六、材質(zhì)
這個是按美國電工協(xié)會(EIA)標(biāo)準(zhǔn)，不同介質(zhì)材料的MLCC按溫度穩(wěn)定性分成三類：超穩(wěn)定級(工類)的介質(zhì)材料為COG或NPO;穩(wěn)定級(II類)的介質(zhì)材料為X7R;能用級(Ⅲ)的介質(zhì)材料Y5V。
這類參數(shù)描述了電容采用的電介質(zhì)材料類別，溫度特性以及誤差等參數(shù)，不同的值也對應(yīng)著一定的電容容量的范圍。具體來說，就是：X7R常用于容量為3300pF~0.33uF的電容，這類電容適用于濾波，耦合等場合，電介質(zhì)常數(shù)比較大，當(dāng)溫度從0°C變化為70°C時，電容容量的變化為±15%;Y5P與Y5V常用于容量為150pF~2nF的電容，溫度范圍比較寬，隨著溫度變化，電容容量變化范圍為±10%或者+22%/-82%。對于其他的編碼與溫度特性的關(guān)系，大家可以參考表4-1。例如，X5R的意思就是該電容的正常工作溫度為-55°C~+85°C，對應(yīng)的電容容量變化為±15%。
下面我們僅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V來介紹一下它們的性能和應(yīng)用以及采購中應(yīng)注意的訂貨事項以引起大家的注意。不同的公司對于上述不同性能的電容器可能有不同的命名方法，這里我們引用的是AVX公司的命名方法，其他公 司的產(chǎn)品請參照該公司的產(chǎn)品手冊。NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要區(qū)別是它們的填充介質(zhì)不同。在相同的體積下由于填充介質(zhì)不同所組成的電容器的容量就不同，隨之帶來的電容器的介質(zhì)損耗、容量穩(wěn)定性等也就不同。所以在使用電容器時應(yīng)根據(jù)電容器在電路中作用不同來選用不同的電容器。
a、 NPO電容器
NPO是一種最常用的具有溫度補償特性的單片陶瓷電容器。它的填充介質(zhì)是由銣、釤和一些其它稀有氧化物組成的。NPO電容器是電容量和介質(zhì)損耗最穩(wěn)定的電容器之一。在溫度從-55℃到+125℃時容量變化為0±30ppm/℃，電容量隨頻率的變化小于±0.3ΔC。NPO電容的漂移或滯后小于±0.05%，
相對大于±2%的薄膜電容來說是可以忽略不計的。其典型的容量相對使用壽命的變化小于±0.1%。NPO電容器隨封裝形式不同其電容量和介質(zhì)損耗隨頻率變化的特性也不同，大封裝尺寸的要比小封裝尺寸的頻率特性好。下表給出了NPO電容器可選取的容量范圍。
NPO電容器適合用于振蕩器、諧振器的槽路電容，以及高頻電路中的耦合電容。通常COG和NPO指的是I 類電介質(zhì)，溫度特性-2-55℃~125℃容量變化率30ppm以內(nèi)，現(xiàn)在C特性都用COG來表示，不用NP0表示了。
b、X7R電容器
X7R電容器被稱為溫度穩(wěn)定型的陶瓷電容器。當(dāng)溫度在-55℃到+125℃時其容量變化為15%，需要注意的是此時電容器容量變化是非線性的。
X7R電容器的容量在不同的電壓和頻率條件下是不同的，它也隨時間的變化而變化，大約每10年變化1%ΔC，表現(xiàn)為10年變化了約5%。
X7R電容器主要應(yīng)用于要求不高的工業(yè)應(yīng)用，而且當(dāng)電壓變化時其容量變化是可以接受的條件下。它的主要特點是在相同的體積下電容量可以做的比較大。下表給出了X7R電容器可選取的容量范圍。
c、Z5U電容器
Z5U電容器稱為”通用”陶瓷單片電容器。這里首先需要考慮的是使用溫度范圍，對于Z5U電容器主要的是它的小尺寸和低成本。對于上述三種陶瓷 單片電容起來說在相同的體積下Z5U電容器有最大的電容量。但它的電容量受環(huán)境和工作條件影響較大，它的老化率最大可達每10年下降5%。
盡管它的容量不穩(wěn)定，由于它具有小體積、等效串聯(lián)電感(ESL)和等效串聯(lián)電阻(ESR)低、良好的頻率響應(yīng)，使其具有廣泛的應(yīng)用范圍。尤其是在退耦電路的應(yīng)用中。下表給出了Z5U電容器的取值范圍。
Z5U電容器的其他技術(shù)指標(biāo)如下:工作溫度范圍 +10℃ --- +85℃ 溫度特性 +22% ---- -56% 介質(zhì)損耗 最大 4%
d、Y5V電容器
Y5V電容器是一種有一定溫度限制的通用電容器，在-30℃到85℃范圍內(nèi)其容量變化可達+22%到-82%。
Y5V的高介電常數(shù)允許在較小的物理尺寸下制造出高達4.7μF電容器。
Y5V電容器的取值范圍如下表所示
Y5V電容器的其他技術(shù)指標(biāo)如下:工作溫度范圍 -30℃ --- +85℃ 溫度特性 +22% ---- -82% 介質(zhì)損耗 最大 5%
貼片電容器命名方法可到AVX網(wǎng)站上找到。
e 、NPO,X7R及Y5V電容的特性及主要用途
NPO的特性及主要用途
屬1類陶瓷介質(zhì)，電氣性能穩(wěn)定，基本上不隨時間、溫度、電壓變化，適用于高可靠、高穩(wěn)定的高額、特高頻場合。
特性：
電容范圍：1pF～0.1uF (1±0.2V rms 1MHz)
環(huán)境溫度： -55℃～+125℃ 組別：CG
溫度特性： 0±30ppm/℃
損耗角正切值： 15x10-4
絕緣電阻： ≥10GΩ
抗電強度：2.5倍額定電壓 5秒 浪涌電流：≤50毫安
X7R的特性及主要用途
屬2類陶瓷介質(zhì)，電氣性能較穩(wěn)定，隨時間、溫度、電壓的變化，其特性變化不明顯，適用于要求較高的耦合、旁路、源波電路以及10兆周以下的頻率場合。
特性：
電容范圍 300pF～3.3uF (1.0±0.2V rms 1KHz)
環(huán)境溫度：-55℃～+125℃ 組別：2X1
溫度特性：±15%
損耗角正切值：100Volts: 2.5% max
50Volts: 2.5% max
25Volts: 3.0% max
16Volts: 3.5% max
10Volts: 5.0% max
絕緣電阻：≥4GΩ或 ≥100S/C (單位：MΩ)
抗電強度：2.5倍額定電壓5秒 浪涌電流：≤50毫安
Y5V的特性及主要用途
屬 2類陶瓷介質(zhì)，具有很高的介電系數(shù)，能較容易做到小體積，大容量，其容量隨溫度變化比較明顯，但成本較低。廣泛應(yīng)用于對容量，損耗要求不高的場合。
特性：
電容范圍 1000pF～22uF (0.3V 1KHz)
環(huán)境溫度：-30℃～+85℃
溫度特性：±22%～-82%
損耗角正切值：50Volts: 3.5%
25Volts: 5.0%
16Volts: 7.0%
絕緣電阻：≥4GΩ或 ≥100S/C (單位：MΩ)
抗電強度：2.5倍額定電壓 5秒 浪涌電流：≤50毫安
七、常規(guī)功能
1.隔直流：阻止直流信號通過而讓交流通過，將交流信號耦合到地或者下一信號級
2.去耦：一是儲能，二是去除高頻噪聲，干擾的方式是通過電磁輻射
集成電路在工作的時候，其電流是不連續(xù)的，而且頻率很高，而集成電路的
電源引腳到總電源有一段距離，即便距離不長，在頻率很高的情況下，阻抗
也會很大(線路的電感影響非常大)，這樣會導(dǎo)致器件在需要電流的時候，
不能及時供給，而去耦電容器可以彌補此不足，這也是為什么很多電路板在
高頻器件電源引腳處放置小電容的原因之一
3.耦合：兩個線路之間的連接，允許交流通過并傳輸?shù)较乱患?
4.濾波：隔直通交
5.溫度補償：針對 某些元件對電路的適應(yīng)性而進行的補償，改善電路
6.計時：RC配合使用，確定電路時間常數(shù)
7.調(diào)諧：與f相關(guān)的電路進行系統(tǒng)調(diào)諧
8.儲能：充放電
9.功率因數(shù)補償：在電容上建立電壓首先需要有個充電的過程隨著充電過程的進行，電容上的電壓逐漸提高，這樣就會先有電流，后建立電壓，通常我們叫I超前U90度。電動機、變壓器等有線圈的電感電路，因通過電感的電流不能突變，與電容相反，需在線圈上先建立電壓，后才有電流，I滯后U90度。由于P=U*I，這樣得到的功率為零，C的U、I與L的U、I關(guān)系剛好相反，用C來補償L的無功，這就是無功補償?shù)脑?
在高電壓信號處理中，如果電壓信號超過電容的耐壓值，可兩只電容串聯(lián)并并聯(lián)分壓電阻，由于電容寄生內(nèi)阻的不一致
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