英飛凌針對準(zhǔn)諧振反激式拓?fù)渫瞥?00 V CoolMOSTM P7產(chǎn)品系列

時間：2017-02-03 15:01:26

關(guān)鍵字：電源新品英飛凌反激式拓?fù)?/a>

掃描二維碼
隨時隨地手機(jī)看文章

[導(dǎo)讀] 英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)針對現(xiàn)在和未來的準(zhǔn)諧振反激式拓?fù)溱厔?，開發(fā)出全新的700V CoolMOS P7產(chǎn)品系列。較之目前使用的超級結(jié)工藝，這些全新MOSFET實(shí)現(xiàn)了前所未有的性能改進(jìn)。諸如智能手機(jī)和平板電腦充電器以及筆記本電腦適配器等軟開關(guān)拓?fù)渚苁芤嬗诖藘?yōu)勢。此外，全新CoolMOS支持針對電視適配器、照明、音響和輔助電源的快速開關(guān)和高功率密度設(shè)計。此全新產(chǎn)品系列針對外形進(jìn)行了改進(jìn)，可支持纖巧型設(shè)計。

英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)針對現(xiàn)在和未來的準(zhǔn)諧振反激式拓?fù)溱厔?，開發(fā)出全新的700V CoolMOS P7產(chǎn)品系列。較之目前使用的超級結(jié)工藝，這些全新MOSFET實(shí)現(xiàn)了前所未有的性能改進(jìn)。諸如智能手機(jī)和平板電腦充電器以及筆記本電腦適配器等軟開關(guān)拓?fù)渚苁芤嬗诖藘?yōu)勢。此外，全新CoolMOS支持針對電視適配器、照明、音響和輔助電源的快速開關(guān)和高功率密度設(shè)計。此全新產(chǎn)品系列針對外形進(jìn)行了改進(jìn)，可支持纖巧型設(shè)計。

與競爭對手的產(chǎn)品相比，全新700 V CoolMOS P7可將開關(guān)損耗(EOSS)降低27%-50%。在反激式充電器應(yīng)用中，該工藝可將效率提高3.9%。此外，器件溫度可降低多達(dá)16 K。相比之前的650 V C6，全新工藝可將效率提高2.4%，并將器件溫度降低12 K。

內(nèi)置齊納二極管確保ESD防護(hù)性能提高到HBM Class 2等級?？蛻魟t可受益于提高的組裝成品率，而組裝成品率的提高有助于降低與生產(chǎn)相關(guān)的故障，最終節(jié)省制造成本。此外，由于具有很低的RDS(on)*Qg和RDS(on)*EOSS，700V CoolMOS TM P7具有低損耗特點(diǎn)。相比C6工藝以及某些競爭對手的器件而言，此全新產(chǎn)品系列的阻斷電壓提高了50 V。

700V CoolMOS TM P7在開發(fā)過程中一直秉持易用性設(shè)計理念，VGSth為3 V，波動范圍僅為±0.5 V。這使得全新P7產(chǎn)品系列很容易被納入設(shè)計之中，并能使用更低的柵源電壓，從而使其更易于驅(qū)動，并降低空載損耗。特別是在價格敏感的細(xì)分市場，全新700V CoolMOS TM P7具有誘人的性價比，有助于客戶獲得更多的競爭優(yōu)勢。

供貨情況

700V CoolMOS P7產(chǎn)品系列提供最常用的RDS(on)級別和封裝組合，RDS(on)范圍為360 -1400 mΩ，封裝包括IPAK SL、DPAK和TO-220FP等。該超級結(jié)工藝RDS(on)級別將會得到進(jìn)一步補(bǔ)充，并將會與英飛凌的全新封裝結(jié)合在一起。