基于AMBA-AHB總線的SDRAM控制器的計(jì)方案

0 引言

隨著大規(guī)模集成電路和高速、低功耗、高密度存儲(chǔ)技術(shù)的發(fā)展，SDRAM動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器因容量大、速度快、價(jià)格低廉等優(yōu)點(diǎn)，現(xiàn)已成為PC內(nèi)存的主流。然而SDRAM存儲(chǔ)器內(nèi)部控制邏輯十分復(fù)雜，時(shí)序要求也非常嚴(yán)格，因此需要設(shè)計(jì)專門(mén)的SDRAM 控制器來(lái)實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)對(duì)SDRAM的訪問(wèn)。

存儲(chǔ)控制器是嵌入式微處理器中AMBA-AHB總線與片外存儲(chǔ)設(shè)備之間的接口，完成總線主設(shè)備(CPU或DMA)與片外存儲(chǔ)設(shè)備(SDRAM或SRAM)的數(shù)據(jù)傳輸，其功能與性能決定著嵌入式微處理器所支持的外部存儲(chǔ)器的類型以及外部存儲(chǔ)器的訪問(wèn)速度，進(jìn)而決定著整個(gè)嵌入式系統(tǒng)的處理速度。AMBA總線規(guī)范成為嵌入了式微處理器內(nèi)片上總線的標(biāo)準(zhǔn)，設(shè)計(jì)基于AMBA總線標(biāo)準(zhǔn)，支持嵌入式系統(tǒng)常用存儲(chǔ)器類型的存儲(chǔ)控制器IP具有非常大的現(xiàn)實(shí)意義。

1 AMBA 總線簡(jiǎn)介

典型的基于AMBA總線的微控制器架構(gòu)如圖1所示。

它包含一個(gè)作為系統(tǒng)骨架的AHB(Advanced High-Performance Bus)或ASB總線，可實(shí)現(xiàn)CPU或DMA模塊與片外存儲(chǔ)器之間的大量數(shù)據(jù)通信，以獲得大的帶寬。

另外，在這條高性能總線上還有一個(gè)橋接器以連接低帶寬的APB,而在APB上連接著大多數(shù)的系統(tǒng)外設(shè)。用戶可以各自獨(dú)立設(shè)計(jì)基于這個(gè)規(guī)范的微處理器以及外圍IP,提高了系統(tǒng)的開(kāi)發(fā)效率及模塊的可重用型[6].

其中，AHB 總線是一種支持多總線主機(jī)的高性能總線，用于高性能、高時(shí)鐘頻率的系統(tǒng)，它保證了處理器與片外存儲(chǔ)器的有效連接。一個(gè)完整的AHB傳輸過(guò)程可以分為地址傳輸階段和數(shù)據(jù)傳輸階段，地址傳輸階段傳輸?shù)刂泛涂刂菩盘?hào)，而數(shù)據(jù)傳輸階段傳輸?shù)氖亲x寫(xiě)數(shù)據(jù)和響應(yīng)信號(hào)。AHB 總線支持流水線傳輸，也就是說(shuō)在前一個(gè)數(shù)據(jù)傳輸階段可以同時(shí)進(jìn)行下一個(gè)地址傳輸階段，前后不同的傳輸階段可以重疊起來(lái)以提高系統(tǒng)的數(shù)據(jù)處理速度。

2 SDRAM 工作原理

SDRAM 是一種高速高容量同步動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器，相比于SRAM 等靜態(tài)存儲(chǔ)器具有容量大、速度快、價(jià)格低廉等優(yōu)點(diǎn)，成為圖像處理中常用的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。但因SDRAM存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)的特殊性，需要對(duì)SDRAM不斷進(jìn)行預(yù)充電、刷新等操作以保持?jǐn)?shù)據(jù)不丟失。SDRAM 內(nèi)部的操作是通過(guò)總線命令實(shí)現(xiàn)的，命令由RASN、CASN 和WEN信號(hào)聯(lián)合產(chǎn)生，如表1所示(H表示高電平，L表示低電平)。

SDRAM上電后必須按一種確定的方式初始化。在上電穩(wěn)定后100 μs時(shí)間內(nèi)存儲(chǔ)器不接受除NOP以外的任何命令。當(dāng)100 μs過(guò)后，通過(guò)控制器向SDRAM所有bank 發(fā)出預(yù)充電(Precharge)命令[8],使SDRAM 所有bank進(jìn)入待機(jī)狀態(tài)。之后，要對(duì)SDRAM 連續(xù)執(zhí)行兩個(gè)自動(dòng)刷新操作，使SDRAM 芯片內(nèi)部的刷新及計(jì)數(shù)器進(jìn)入正常運(yùn)行狀態(tài)。兩個(gè)刷新周期完畢之后，開(kāi)始對(duì)SDRAM 的模式寄存器(Mode Register)進(jìn)行操作，模式寄存器用來(lái)決定SDRAM將以何種工作模式工作。整個(gè)初始化過(guò)程如圖2所示。

3 SDRAM 控制器與AMBA-AHB 總線的關(guān)系

本設(shè)計(jì)基于AMBA-AHB總線的slave模塊，SDRAM控制器處在片內(nèi)AHB 總線與片外存儲(chǔ)設(shè)備之間，作為一個(gè)從機(jī)掛在AHB總線上。它一邊需要通過(guò)AHB總線接口模塊與AHB總線通信，因此必須符合AHB總線標(biāo)準(zhǔn);另一邊又需要給外部存儲(chǔ)設(shè)備提供控制信號(hào)，以實(shí)現(xiàn)對(duì)外部存儲(chǔ)設(shè)備的讀寫(xiě)操作。控制器接收來(lái)自總線主設(shè)備的符合AMBA-AHB 總線規(guī)范的數(shù)據(jù)傳輸請(qǐng)求，產(chǎn)生正確的讀寫(xiě)控制信號(hào)給SDRAM 存儲(chǔ)器，以完成總線的數(shù)據(jù)傳輸請(qǐng)求。

AMBA 2.0總線為嵌入式微控制器定義了一套片上總線標(biāo)準(zhǔn)，因此本設(shè)計(jì)是獨(dú)立設(shè)計(jì)的基于該規(guī)范的外圍IP.[!--empirenews.page--]

4 SDRAM 控制器系統(tǒng)設(shè)計(jì)架構(gòu)

SDRAM 控制器與AHB 總線接口在整個(gè)系統(tǒng)中的連接關(guān)系如圖3所示。

4.1 AHB-slave總線接口電路

AHB-slave總線接口電路用來(lái)實(shí)現(xiàn)SDRAM 控制邏輯與AHB-master之間的信號(hào)傳輸。

按照AMBA 總線規(guī)范要求，AHB 總線從設(shè)備(slave)在總線時(shí)鐘上升沿，HREADY信號(hào)(由從設(shè)備發(fā)出)為高的情況下，必須鎖存來(lái)自AHB總線的總線控制信號(hào)、數(shù)據(jù)信號(hào)、地址信號(hào)等，以供內(nèi)部譯碼模塊以及其他各模塊使用。

4.2 總線地址譯碼

AHB 總線可以掛多個(gè)從設(shè)備，如圖3 所示的從機(jī)A,從機(jī)B.因此在一次讀寫(xiě)操作中，需要對(duì)來(lái)自總線的讀寫(xiě)地址進(jìn)行譯碼，以判斷總線是對(duì)哪個(gè)從設(shè)備進(jìn)行訪問(wèn)，并產(chǎn)生相應(yīng)的內(nèi)部片選信號(hào)。

4.3 SDRAM控制器

SDRAM 控制器由5個(gè)模塊組成：SDRAM 控制器模塊、控制接口模塊、命令解析模塊、地址數(shù)據(jù)復(fù)用總線模塊和數(shù)據(jù)通路模塊。SDRAM 控制器模塊是頂層模塊，通過(guò)例化其他4個(gè)子模塊將其連成一個(gè)整體。

4.3.1 控制接口模塊

控制接口模塊對(duì)來(lái)自AHB 總線信號(hào)和SDRAM 控制寄存器的信號(hào)解碼并寄存，傳送已經(jīng)解碼的NOP、WRITEA、READA、REFRESH、PRECHARGE 和LOAD_MODE命令和ADDR給命令解析模塊。

控制接口模塊還含有一個(gè)用于給命令解析模塊產(chǎn)生周期刷新命令的刷新電路，用于給命令模塊發(fā)送刷新請(qǐng)求。收到命令模塊的刷新請(qǐng)求后，減法計(jì)數(shù)器重新裝入數(shù)值，重復(fù)以上過(guò)程。

本設(shè)計(jì)所使用的MT48LC16M4A2 型號(hào)SDRAM 存儲(chǔ)器具有每64 ms刷新4 096次的要求，因此由64 ms/4 096=15.625 09 μs知，器件必須至少每15.625 09 μs刷新一次。假如存儲(chǔ)器和SDRAM控制器工作在100 MHz的時(shí)鐘周期下，那么刷新間隔周期的最大數(shù)值是15.625 μs/0.01 μs=1 562 d.

4.3.2 命令解析模塊

命令解析模塊接收控制接口模塊輸出的已經(jīng)解碼的命令和周期性輸出的刷新請(qǐng)求，產(chǎn)生合適的命令給SDRAM器件。從刷新控制邏輯電路發(fā)出的刷新請(qǐng)求比主機(jī)接口的命令的優(yōu)先級(jí)別高，因此模塊還含有一個(gè)簡(jiǎn)易的仲裁電路，用于仲裁主機(jī)的命令和刷新控制邏輯所產(chǎn)生的刷新請(qǐng)求。

在仲裁電路已經(jīng)接受主機(jī)命令后，命令被送到模塊的命令發(fā)生器部分，命令模塊使用3個(gè)移位寄存器來(lái)產(chǎn)生命令之間的時(shí)序，一個(gè)移位寄存器用于控制ACT 命令;第二個(gè)用于控制讀或?qū)懨畎l(fā)出的時(shí)間;第三個(gè)用于對(duì)命令的持續(xù)時(shí)間定時(shí)，這樣仲裁其就可以判斷最近請(qǐng)求的操作是否已經(jīng)完成。

命令解析模塊所產(chǎn)生的輸出信號(hào)OE用于控制數(shù)據(jù)通路模塊的輸入數(shù)據(jù)通路的三態(tài)緩沖。

4.3.3 地址數(shù)據(jù)復(fù)用總線模塊

該模塊實(shí)現(xiàn)SDRAM的地址復(fù)用，地址的行部分在ACT(RAS)命令時(shí)復(fù)用到SDRAM輸出的A[11:0],地址的列部分在讀(CAS)或?qū)懨顣r(shí)復(fù)用到SDRAM地址線上。

4.3.4 數(shù)據(jù)通路模塊

數(shù)據(jù)通路模塊提供了SDRAM和主機(jī)之間的數(shù)據(jù)接口，負(fù)責(zé)SDRAM控制器與外部SDRAM存儲(chǔ)器之間的數(shù)據(jù)交換，具體說(shuō)就是在對(duì)SDRAM寫(xiě)操作時(shí)將來(lái)自AHB總線的數(shù)據(jù)放到外部數(shù)據(jù)線上，在對(duì)SDRAM讀操作時(shí)，將來(lái)自SDRAM的數(shù)據(jù)正確送到AHB總線上。

5 設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)與仿真結(jié)果

本文使用Micron 公司提供的型號(hào)為MT48LC16M4A2 的Verilog 仿真模型進(jìn)行仿真驗(yàn)證，證明了設(shè)計(jì)的正確性。仿真結(jié)果如圖4,圖5所示，圖4是SDRAM寫(xiě)操作的仿真時(shí)序圖，即將AHB總線控制操作轉(zhuǎn)化成SDRAM 寫(xiě)操作指令;圖5 表示的是將寫(xiě)入SDRAM的數(shù)據(jù)連續(xù)讀出的仿真時(shí)序。

6 結(jié)語(yǔ)

本方案設(shè)計(jì)了一個(gè)基于AMBA-AHB 總線的SDRAM控制器，將AMBA-AHB 總線的控制操作轉(zhuǎn)化成了符合SDRAM 操作規(guī)范的控制指令，最后的仿真波形證實(shí)了該設(shè)計(jì)的正確性。