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[導(dǎo)讀]1 頻綜布局單頻綜布局。通常采取如圖形狀進(jìn)行布局:左臂支為參考頻率源及鎖相環(huán)控制電路,右臂支為壓控制振蕩器(VCO)輸出隔離放大電路。中部環(huán)狀為鎖相環(huán)(PLL) 乒乓切換式

1 頻綜布局

單頻綜布局。通常采取如圖形狀進(jìn)行布局:左臂支為參考頻率源及鎖相環(huán)控制電路,右臂支為壓控制振蕩器(VCO)輸出隔離放大電路。中部環(huán)狀為鎖相環(huán)(PLL)

 

 

乒乓切換式頻綜布局,又叫音叉式布局:音叉的兩臂為對稱兩個(gè) PLL 頻綜,臂交匯點(diǎn)為開關(guān)切換裝置。公共臂為切換后輸出放大兩路。

多通道收發(fā)接收機(jī)或者發(fā)射機(jī)本振電平分配電路布局:對稱樹狀布局。

2 混頻器(MIXER)電路布局

混頻電路又稱上下變頻電路,是發(fā)射機(jī)和超外差式接收機(jī)的重要組成部分,是一種典型的頻譜搬移電路。對于接收機(jī)來講,其原理就是將接收到的射頻信號(RF)與本振電路(LO)進(jìn)行下變頻以產(chǎn)生較低頻的中頻信號(IF),中頻信號經(jīng)過放大后再進(jìn)行檢波以還原原始信號。對于發(fā)射機(jī)來講,其原理就是將中頻信號與本振電路進(jìn)行上變頻以產(chǎn)生較高的射頻信號,射頻信號經(jīng)過放大后再進(jìn)行發(fā)射。

T字布局同面。下圖是一個(gè)典型的混頻器布局:

 

 

T 字布局異面——上變頻方式:RF支路跟LO支路異面,IF支路與LO同面。這樣布局能夠最大限度較少本振泄漏到RF支路。

字布局異面——下變頻方式:RF支路跟LO支路同面,IF支路與LO異面。

3 聲表濾波器電路布局

聲表濾波器的輸入和輸出最好分別放在 PCB 正反兩面,輸入輸出電路在實(shí)際布線時(shí),盡可能地減少傳輸線長度;條件允許的化,在微帶線周圍鋪地(微帶線與地的距離大于等 2 倍微帶線寬),在地平面沿傳輸線打地孔。不用的空間都給鋪上地;減少微帶傳輸線的不連續(xù)性環(huán)節(jié),比如突變,拐彎等。

如果輸入輸出電路在 PCB 同一安裝面,又處于同一腔體。應(yīng)該在腔體內(nèi)表面貼裝微波吸收材料,以達(dá)到降低反射,增大分布電容的損耗的目的,最終達(dá)到減少輸入輸出電路相互耦合。

輸入匹配電路的電感和輸出匹配電路的電感相互垂直放置,以使電感的磁場方向相互垂直,從而減少耦合。

至少在濾波器的下面一層鋪地,如果能夠多層鋪地效果更好。但是要把輸入和輸出的地電流盡可能的互相分開。通常采用加地槽方式減小輸入和輸出地電流的共地耦合。這個(gè)地槽最好貫通所有介質(zhì)層。

如果聲表濾波器有“RETURN”管腳,應(yīng)該使 RETURN 管腳到地的路徑最短;如果沒有 RETURN 管腳,選擇離輸入、輸出信號端最近的“地”腳作為 RETURN 管腳。

兩個(gè)聲表濾波器應(yīng)該分別放置在獨(dú)立的屏蔽腔體。也可以將兩個(gè)聲表分別放置在PCB 正反兩面,通過 PCB 內(nèi)層地進(jìn)行隔離,但必須避免正反兩面疊放的情況,因?yàn)榀B放意味著共地,就存在共地電流耦合,將影響聲表性能。

聲表與混頻器級聯(lián)時(shí),應(yīng)該將混頻器和聲表分別放置在獨(dú)立的屏蔽腔體內(nèi)。

聲表與放大器級聯(lián)時(shí),聲表輸入匹配電路和輸入放大器放置在一屏蔽腔體內(nèi),而輸出匹配電路和輸出放大器放置在另一屏蔽腔體內(nèi),以保證足夠的隔離。也可以將聲表輸入匹配電路、輸入放大器與輸出輸入匹配電路、輸出放大器分別放置在 PCB正反兩面,通過 PCB 內(nèi)層地進(jìn)行隔離。但必須避免正反兩面疊放的情況,因?yàn)榀B放意味著共地,就存在共地電流耦合,將影響聲表性能。

聲表與其他單元電路級聯(lián)時(shí),最好也能考慮采取隔離措施或者吸收措施。

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