IC測(cè)試有問有答

code631 ：IC測(cè)試有問有答

雖然不是專家，對(duì)測(cè)試還是有點(diǎn)心得，如果大家有什么問題可以在這里提出，我會(huì)盡量解答，也希望各位高手多多賜教啊。

angells ：方便留電話嗎?

天下第一貓：DC參數(shù)

恭喜上任：

    我在測(cè)試的時(shí)候，有些DC參數(shù)在同樣的條件下幾次測(cè)試的結(jié)果相差很大。不明白是為什么？

code631 ：

To angells

我目前在英國，電話不太方便，可以MSN聯(lián)系我：toneofengland@hotmail.com

To 天下第一貓

請(qǐng)問你使用的測(cè)試機(jī)臺(tái)是什么型號(hào)？測(cè)試的產(chǎn)品是屬于哪種？

還有

具體什么參數(shù)，相差多少？
 
 
天下第一貓：我們用的是credence kalos，測(cè)試的是memory，在測(cè)ICC時(shí)，可能從幾百uA--幾十mA，實(shí)際值應(yīng)該在十幾mA。

code631：credence kalos 我沒有用過，不過ICC不穩(wěn)定原因有很多，如果其他同批產(chǎn)品沒有這個(gè)問題的話可能是這個(gè)IC的問題，可以先做下BENCHTEST，一般初期診斷是更換測(cè)試機(jī)臺(tái)或者用標(biāo)準(zhǔn)器件做比較。個(gè)人看法，僅供參考

天下第一貓：benchtest是什么意思？還有就是同一顆IC多次測(cè)試他為什么會(huì)不穩(wěn)定。

angells：狀態(tài)不穩(wěn)定可能是ICC不穩(wěn)定的原因 如果同一個(gè)芯片測(cè)試不穩(wěn)定而且誤差比較大，可從以下2方面去看：

1. 在測(cè)量時(shí)芯片所處的狀態(tài)是否穩(wěn)定。
2. 芯片的Input pin是否有Floating，Output pin是否在不停的翻轉(zhuǎn)

code631 ：就是自己搭模擬電路測(cè)試，用電源，示波器...比較麻煩，而且需要APPLICATION BOARD，不知道你們有沒有。如果是同一顆不穩(wěn)定，一般會(huì)交給DA或者FA去分析，CURVE TRACE先吧。

alex_xys ：電源干凈么？ 先看一下電源腳是否干凈。然后換一下電流的range來看一下，最好用樣品校驗(yàn)一下。

天下第一貓：電源很干凈，range應(yīng)該也沒有問題，它有10mA左右的電流，用25mA的range。應(yīng)該沒有問題，只是有時(shí)電流會(huì)變成100uA左右。樣品在10mA左右很穩(wěn)定。

angells：如果是MEMORY測(cè)試,可以對(duì)其寫相同的數(shù)據(jù)讓口上不翻轉(zhuǎn).然后看看會(huì)不會(huì)好點(diǎn).但是據(jù)你所說樣品沒有問題的話,可能這個(gè)問題無解.

newer ：多比較

IDD (ICC)一般為一個(gè)器件的特征值，分布范圍不會(huì)很大，100uA-10mA的變化肯定是異常的。

1) 如果真的是樣品在10mA左右很穩(wěn)定, 那么設(shè)備及測(cè)試程序沒有問題，產(chǎn)品的問題可能很大，也不需要花費(fèi)很大腦筋，正如Code631兄說的，交給DA/FA。

2）如果產(chǎn)品沒有問題，則要確認(rèn)Hardware, Test Program方面的問題
-〉 Hardware重點(diǎn)確認(rèn)Relay的動(dòng)作是否穩(wěn)定，可以在程序Meter讀之前設(shè)置斷點(diǎn)，然后不停的Strobe Meter，看Meter值是否穩(wěn)定。這是驗(yàn)證Hardware動(dòng)作靜止的情況下，電流值是否跳動(dòng)。
-〉 確認(rèn)Drive Pattern是否正常，IDD和Pattern有直接的關(guān)系，如果Pattern編寫不正常，會(huì)造成DUT功耗不穩(wěn)定。

但是，如果標(biāo)準(zhǔn)樣品穩(wěn)定，就不必分析測(cè)試系統(tǒng)的問題。

code631 ：我支持你的觀點(diǎn)，這幾天一直在看測(cè)試原理，看的郁悶。

其實(shí)把DEVICE交給DA的結(jié)果無非就是確認(rèn)電路某個(gè)壞點(diǎn)或者觀察一下curve trace的圖形?；跇侵鞯拿枋觯旧峡梢源_定是這顆產(chǎn)品的問題，driving pattern和i/o的assignment應(yīng)該不會(huì)有錯(cuò)，否則標(biāo)準(zhǔn)件不會(huì)過關(guān)。

如果要究其原因，我想大概要聯(lián)系到半導(dǎo)體物理的內(nèi)容了。電路參數(shù)的fluctuation造成的intermitent failure有可能是alpha粒子的轟擊或者電路內(nèi)部EMI（電磁輻射，如果片內(nèi)有感性器件的話）所造成的，我想工程上是不需要涉及到這個(gè)LEVEL的。

目前的解決方法就是請(qǐng)DA出一個(gè)報(bào)告，主要是benchtest和curve trace的報(bào)告，觀察在靜態(tài)（無relay動(dòng)作下）條件下ICC/VCC的曲線特征。做到這一步也就可以了。

-個(gè)人意見-

天下第一貓 ：謝謝各位，我可不可以這樣認(rèn)為。當(dāng)樣品通過了，沒有問題了。那么test program and test vector的問題基本就可以排除了。我在這個(gè)test中沒有用到relay。

code631 ：To 天下第一貓

可以這么認(rèn)為。RELAY沒有動(dòng)作是不可能的，你說的沒有動(dòng)作可能是程序里面的WAIT后面給了足夠的間隔或者處于debug狀態(tài)下的相對(duì)靜止?fàn)顟B(tài)。

newer：

問題需再清楚一些

測(cè)試穩(wěn)定性關(guān)系到你本身產(chǎn)品的性能、測(cè)試方法、還有硬件（設(shè)備、Test Board）。
1、測(cè)試不穩(wěn)定的參數(shù)是否僅有VOUT一項(xiàng)？（占空比，頻率？VOUT其它電壓條件的如何？）
2、尋找測(cè)試結(jié)果的分布規(guī)律，是否變動(dòng)很大？還是總是偏大/偏?。?BR>3、你的參數(shù)測(cè)試方法？使用哪些硬件資源，DUT外圍器件如何？

總之，我們可以就具體問題進(jìn)行討論。

code631 ：

還真沒接觸過POWER電子器件測(cè)試，所以，這個(gè)問題留給你啦哈哈哈。

newer：

不知道你使用的Test Board電路如何？

因?yàn)?576是開關(guān)電路，測(cè)試電路的EMI（電磁干擾）問題尤為重要。
- 輸入、輸出端的連線要盡量短
- 使用單點(diǎn)接地方式
- 是否使用的是肖特基二極管1N5822（或者快恢復(fù)二極管）。這點(diǎn)往往被工程師或略，常用1N4XXX等普通整流/開關(guān)管代替，這樣會(huì)造成EMI增大，輸出效率降低，是不穩(wěn)定的一個(gè)禍因。

以前我處理過LM/MC34063，也是遇到測(cè)試穩(wěn)定性差的問題。

alex_xys ：

說的都是經(jīng)驗(yàn)，挺好！ 真希望IC測(cè)試有一個(gè)單獨(dú)的版，不過這樣也挺好有這么多大蝦關(guān)注這里！

 

code631：這里 可以討論測(cè)試的問題啊

sanguo：
看看你的pattern和電源濾波電容有沒有問題

很高興看見這么多高手討論

ICC應(yīng)該讓chip不停的run，那么你的pattern應(yīng)該是loop的，如果loop的首尾連接不好就可能出現(xiàn)這樣的問題
另外，測(cè)試儀也是個(gè)問題，你可以反復(fù)測(cè)試幾個(gè)DUT，看看有什么規(guī)律沒有Pin有沒有I/O類型的，如果有外面結(jié)法是否應(yīng)該檢查一下內(nèi)部有沒有電容，charge pump一類的功耗元件

如果都不是，就要看看版圖or加工了，是否內(nèi)部有虛短的東西，這個(gè)比較難分析了

至于這個(gè)電路我不懂，只是從一般來講

newer ：

也就是TL431吧？3PIN（TO92/8SOP）Voltage Reference，我們生產(chǎn)過。你能肯定是測(cè)試還是FAB的問題？30ea是否為真的不良，有沒有驗(yàn)證過？

 

angells ：

查連線吧

因?yàn)樵贔T時(shí)會(huì)有Handler的接觸電阻和Handler和Tester通訊的cable的電阻.所以建議用Socket將這些Fail的芯片直接在Tester上測(cè),如果OK就查連線吧.

sanguo ：

同意

干脆直接sorting/wafer分別測(cè)電阻吧

 

newer ：SPEC Limit是多少？

 

alex_xys ：

首先，每個(gè)管芯（PASS的）測(cè)試時(shí)，Vout是否十分穩(wěn)定，偏差是否在+-10mv之內(nèi)，如果是，那么你CP和FT是否同一個(gè)測(cè)試系統(tǒng)，或者在CP的探針卡上和DUT BOARD 上同時(shí)用Socket驗(yàn)證一個(gè)管芯！

 
 
newer ：我的感覺：

好象我們現(xiàn)在都在討論現(xiàn)象，而具體的技術(shù)細(xì)節(jié)沒有涉及。所以，我覺得提出問題時(shí)，最好能有詳細(xì)的資料，比如與現(xiàn)象相關(guān)的測(cè)試程序，測(cè)試電路，測(cè)試方法說明?，F(xiàn)有的幾個(gè)問題，好象都沒有得到有效的探討，總是圍繞某個(gè)現(xiàn)象，沒有實(shí)質(zhì)。
大家的感覺如何？

 

angells ：

要測(cè)到所有的命令,寄存器和堆棧.那你就要在設(shè)計(jì)時(shí)保證這些是可測(cè)的.即可以通過測(cè)試模式訪問到這些寄存器和堆棧.因?yàn)槭歉咚貱PU所以時(shí)間不是問題,只是寫Pattern的人比較累.

 

spc888 ：ICC測(cè)不穩(wěn)也有可能是測(cè)試模塊有自激引起

有的時(shí)候樣品能通過，但芯片不通過，這有兩中可能：1、芯片做的有點(diǎn)問題，芯片本身會(huì)存在自激；2、測(cè)試模塊也可能有輕微自激，可以用示波器在輸出端看一下波形既可，當(dāng)然輸入端不要接信號(hào)

fishwu ：

看看有沒有交流成份存在

雖然萬用表可以只測(cè)直流部分，但是在高速測(cè)試時(shí)
交流或其他波動(dòng)對(duì)測(cè)試直流的影響非常大
建議用示波器看看是否存在交流成份
如果有，是難以測(cè)準(zhǔn)的

 

天下第一貓 ：to fishwu

是否用示波器的交流檔去看有沒有交流電流？做icc測(cè)試時(shí)速度應(yīng)該不算很快，peroid = 100ns, delay 100ms后去測(cè)，應(yīng)該可以了吧

kingmax76 發(fā)表于：我也碰到過類似情況

你可以多設(shè)幾個(gè)采樣點(diǎn)（SAMPLE & AVERAGE），因?yàn)槟愕牟蓸狱c(diǎn)要是在翻轉(zhuǎn)邊沿上則會(huì)很大，否則可能很小。

yqy329： 

一點(diǎn)淺見

1、遮光問題。半導(dǎo)體器件受光線影響巨大（封裝后光線影響徹底消失）
2、濕度問題。晶園測(cè)試環(huán)境的濕度異常的話，測(cè)出來的參數(shù)根本就不能說明問題
3、封裝本身也會(huì)使參數(shù)有些漂移（中心值漂移或離散度加大），根本原因還是封裝前后環(huán)境變了。而半導(dǎo)體器件跟測(cè)試環(huán)境息息相關(guān)。

wanjian846：請(qǐng)問射頻功率放大器在測(cè)試時(shí)有沒有什么特殊要求

請(qǐng)問射頻功率放大器在測(cè)試時(shí)有沒有什么特殊要求?例如藥用屏蔽電纜啦或是什么的?以及地線有沒有特殊布置要求?

xujianming ：關(guān)心一下測(cè)試環(huán)境

 

newer ：

re:雙通道音頻功放在BTL方式下的測(cè)試問題

為什么用隔直電容？測(cè)試當(dāng)然沒有電容更好。因?yàn)槭菍?duì)芯片功能測(cè)試，任何外圍元件都會(huì)帶來更多出錯(cuò)的幾率。
在BTL方式下，要使THD盡可能小，則需要盡可能大的電容容量，帶來的問題是充放電時(shí)間變長，每次DUT Contact后需要可靠的Delay Time。

一般使用BTL方式都以正負(fù)電源對(duì)稱供電，完全不用耦合電容。

ybeckham ：?jiǎn)栆幌掠嘘P(guān)音頻運(yùn)放LM1875的測(cè)試問題

想簡(jiǎn)單測(cè)試批量的LM1875，哪位能提供測(cè)試電路，能盡量多測(cè)出電參數(shù)
 
 
newer ：

LM1875是音頻功放，測(cè)試的參數(shù)和方法也與通用運(yùn)放不一樣，應(yīng)該按照一般功率放大器的方法進(jìn)行?？梢愿鶕?jù)DATASHEET確定測(cè)試參數(shù)，測(cè)試電路也是根據(jù)應(yīng)用電路和測(cè)試方法共同確定。

感覺ybeckham俠是客戶方應(yīng)用之前的驗(yàn)證？

ybeckham：

謝 newer! 我是做產(chǎn)品測(cè)試的.

vhdlic ：謝謝,讓我又多了一種思路,呵呵,不過實(shí)際我們測(cè)出來的數(shù)值兩者基本是沒什么區(qū)別的.

 

 

newer ：re: vhdlic

沒有區(qū)別當(dāng)然最好了。
一般在單電源供電時(shí)得使用電容耦合，為了消除1/2VCC DC偏置。但是，應(yīng)用工程師一般不希望使用這個(gè)電容，特別在HiFi情況下，會(huì)考慮電容帶來的失真。所以他們不得不使用對(duì)稱雙電源。
在測(cè)試時(shí)，如果使用電容耦合，THD至少不同程度地受電容性能的影響，特別如果電容出問題，測(cè)試就會(huì)出錯(cuò)。所以，建議能夠不用電容最好。

 

tjxh318 ：可以幫忙嗎？

請(qǐng)問用TL494控制直流180W有刷電機(jī)。電機(jī)初始階段為何有噪音，怎樣消除？謝謝。

 

sbassA ：請(qǐng)問哪位高手：300W功率開關(guān)電源過EMI應(yīng)注意哪些地方？
 

icyacht ：CORDIC算法哪類書上有

求助??！十萬火急！哪位大哥知道哪里可以找到CORDIC算法！最好是告訴俺是在哪一
專業(yè)或哪一類書上，我好到圖書館找。多謝！

 

youshiyong ：關(guān)于LM1875

現(xiàn)在我在測(cè)LM1875發(fā)現(xiàn)其Vos,Ios都特別大，Vos高達(dá)到21mV，請(qǐng)問該片子有效嗎？還是有另外問題。

 

newer ：

Vos, Ios參數(shù)的含義？先判斷你的測(cè)試系統(tǒng)是否有問題？標(biāo)準(zhǔn)樣品確認(rèn)Vos，Ios值。如果正常，就按照SPEC Limit決定。最好不要憑感覺判斷，一步一步確認(rèn)。

- 個(gè)人意見

 

天下第一貓 ：有人說：中測(cè)比成測(cè)的spec要寬松。為什么？

 

iraq：我測(cè)試MC34063時(shí)遇到過VOTAGE REGULATOR（1.25V） 封裝前后差10-20MV 偏大，最后解訣泐
 
 
code631 ：To 天下第一貓 應(yīng)該是反過來才對(duì)吧

 

天下第一貓 ：to code631:      他告訴我說，電子器件會(huì)越測(cè)越好，中測(cè)卡的太嚴(yán)可能使一些好的片子，被廢掉。

 

jerryzuzu ：求IC測(cè)試儀器   急急?。?！ 我司是電池制造廠，需求購IC MOSFET測(cè)試儀器和相應(yīng)程序，各位如有較好信息煩請(qǐng)告知為謝！

iraq ：好象有370型號(hào)的

newer ：hp370好象是晶體管圖示儀，不知道jerryzuzu尋找的是自動(dòng)量產(chǎn)測(cè)試設(shè)備，還是特性分析儀器？

songfei002：請(qǐng)求！

幾為蝦哥能否為小弟推薦你們用的ic測(cè)試用的軟件？最好是能下載！謝謝！              

newer ：沒有PC上用的單獨(dú)IC測(cè)試軟件 IC測(cè)試軟件都是同測(cè)試系統(tǒng)一同運(yùn)作的呀？而且多為UNIX的

 

songfei002：十分感謝。也就是說ic測(cè)試都是在板測(cè)量？為什么windows的不多呢？小弟是學(xué)習(xí)應(yīng)用電子的，大二，能否為我指點(diǎn)迷津！我的方向的ic 設(shè)計(jì)

newer：簡(jiǎn)單地說

就象是單片機(jī)編程器，如果光有驅(qū)動(dòng)程序，沒有買編程器，什么也做不了。作IC設(shè)計(jì)可能需要尋找仿真環(huán)境，基于個(gè)人PC的不知道有沒有？

 

jerryzuzu ：可否有測(cè)試IC的儀器？

我公司是一家專業(yè)生產(chǎn)鋰離子電池廠家，在采購IC時(shí)難免會(huì)出現(xiàn)良莠不齊的狀況，我司欲對(duì)其進(jìn)行測(cè)量，可否提供較好的測(cè)量方法和相關(guān)儀器。
Tks a lot!!

code631：最近手頭正好在搞一個(gè)pc環(huán)境下的memory測(cè)試系統(tǒng)，呵呵

newer ：很有趣，你的Project?什么時(shí)間給我們介紹介紹你的方案？（另外開個(gè)主題）

newer：to：jerryzuzu

IC出廠時(shí)都經(jīng)過了100%測(cè)試的，測(cè)試通過的芯片參數(shù)都在標(biāo)準(zhǔn)值以內(nèi)。良莠不齊的情況如果在Datasheet列出的參數(shù)表以外，就是不合格品（正宗廠家出貨不會(huì)出現(xiàn)的）?？蛻魧?duì)芯片測(cè)試投入太大，我的看法是沒有必要。不知道你們用的是什么片子？怎會(huì)出現(xiàn)這種情況？

handxone：FE是什么工作？學(xué)要什么準(zhǔn)備知識(shí)？職業(yè)發(fā)展前途如何？ 問題如題目樓主是紐卡時(shí)而大學(xué)～～^_^方便看英超了。

code631：

FE＝failure analysis, 屬于DA的一種，不合格產(chǎn)品的分析，手段包括物理切開后用電子顯微鏡或光學(xué)顯微鏡觀察，還有用BENCHTEST測(cè)試電器性能，如VI，IDD，等等。

羽翔：不明？

DFT is including: Scan Chain, Boundary Scan, Logic BIST and Memory BIST.

Test Pattern Generation: Deterministic Pattern, Random Pattern or ATPG.

Test Pattern Compression: Fault Simulation, even with MISR.

In product test, it includes IDDQ and ATE using for chip with test pattern

誰幫我解釋一下上面的測(cè)試名詞，以及大概的實(shí)現(xiàn)方法？非常想了解，多謝了！

code631：這些名詞本身沒有中文解釋的，我大概說一下吧：
DFT （design for test設(shè)計(jì)IC時(shí)，把IC可測(cè)試性考慮進(jìn)來，以達(dá)到將來易測(cè)試的目的的一個(gè)步驟)is including: Scan Chain(對(duì)時(shí)序電路的一種測(cè)試方法，在電路內(nèi)部建立一個(gè)的測(cè)試環(huán)路）, Boundary Scan（同上，測(cè)試環(huán)路過程）, Logic BIST （邏輯電路內(nèi)建測(cè)試）and Memory BIST（存儲(chǔ)電路內(nèi)建測(cè)試）.

Test Pattern Generation（測(cè)試圖形向量產(chǎn)生）: Deterministic Pattern（定性圖形向量）, Random Pattern or ATPG（自動(dòng)測(cè)試向量產(chǎn)生的隨機(jī)圖形向量）

Test Pattern Compression（測(cè)試圖形向量壓縮）: Fault Simulation（錯(cuò)誤模擬）, even with MISR（MISR=multi input Shift Register).

reaking ：先問題問題吧！ Code631老兄，可做過chipset的測(cè)試嗎?

code631 ：chipset應(yīng)該不難吧，純LOGIC的東西。

reaking ：北橋基本上是屬于純邏輯的東西，但是南橋好像并不如此。而且現(xiàn)在速度越來越快，好像問題也就越來越多。能講一下如何深入地了解chipset嗎？

fuqipan1 哪里可以找到測(cè)試報(bào)告之類的資料！特別是pwm的！謝謝！