Intel 3D XPoint閃存終于揭秘了：20nm制程工藝

Intel、美光發(fā)布3D XPoint閃存已經(jīng)一年多了，號稱性能、可靠性是NAND閃存的1000倍，容量密度是后者10倍，各種黑科技秒殺當(dāng)前的閃存水平。從去年底開始有少量基于3D XPoint閃存的Optane硬盤問世，消費級容量是16/32GB，企業(yè)級有個375GB的DC P4800X系列，隨機性能確實很強大。不過Intel迄今為止都沒有公布過3D XPoint閃存的技術(shù)內(nèi)幕，好在現(xiàn)在可以確定一點了，那就是375GB的DC P4800X硬盤使用的是20nm工藝。

Intel當(dāng)年發(fā)布3D XPoint閃存之后并沒有透露該技術(shù)的細(xì)節(jié)，只說它是不同于NAND閃存的新型存儲技術(shù)，性能、可靠性及密度全面領(lǐng)先當(dāng)前NAND產(chǎn)品。Intel不公開技術(shù)內(nèi)幕大概是為了保密，業(yè)界早前也在猜測3D XPpint閃存有可能是基于PCM相變技術(shù)的，也有說是ReRAM技術(shù)的，只是這些都無法證實。

現(xiàn)在有人爆料了DC P4800X硬盤的PCN通知書，里面提到了它是基于20nm工藝的，只是Intel以往的PCN通知都是公開的，但這次需要授權(quán)用戶登錄才能看到，所以普通人也無法查閱具體細(xì)節(jié)了。

Intel使用20nm工藝制造3D XPoint閃存也不算意外，雖然在進(jìn)入3D閃存之后廠商就很少公布具體的制程工藝了，大多時候只公布堆棧層數(shù)，不過大部分3D閃存使用的制程工藝都不會很先進(jìn)，三星早期的V-NAND閃存使用的還是40nm工藝，幾年前的制程工藝了，聽上去落后，但實際上是好事，因為提升密度可以靠對堆棧層數(shù)，更“落后”的工藝往往有更好的可靠性。