英飛凌電源IC擬改12寸廠量產(chǎn)
繼德州儀器(TI)積極導(dǎo)入12寸晶圓廠以擴(kuò)大類比市場(chǎng)占有率后,在電源晶片市場(chǎng)同樣舉足輕重的英飛凌(Infineon)也已悄悄啟動(dòng)12寸晶圓量產(chǎn)研發(fā)計(jì)畫,希望將電源晶片的生產(chǎn)由目前8寸廠升級(jí)至12寸廠,以因應(yīng)市場(chǎng)持續(xù)高漲的節(jié)能需求,并鞏固既有市場(chǎng)地位。
英飛凌電源IC擬改12寸廠量產(chǎn)
臺(tái)灣英飛凌副總裁暨執(zhí)行董事詹啟祥表示,該公司已在奧地利展開12寸晶圓量產(chǎn)研發(fā)工作,主要將用于超接合(SuperJunction)技術(shù)的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)電晶體(MOSFET)等功率半導(dǎo)體元件的生產(chǎn),一旦相關(guān)發(fā)展成熟后,將可移植至馬來西亞的晶圓廠進(jìn)行量產(chǎn)。
臺(tái)灣英飛凌副總裁暨執(zhí)行董事詹啟祥指出,超接面MOSFET將是未來功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的主流。
由于超接面MOSFET可較傳統(tǒng)平面式(Planar)MOSFET在相同尺寸的裸晶(Die)上實(shí)現(xiàn)更低的導(dǎo)通電阻與切換損失,進(jìn)而提升每單位面積的功率密度,因此,在節(jié)能意識(shí)抬頭的市場(chǎng)環(huán)境中,重要性與日俱增,產(chǎn)品滲透率也節(jié)節(jié)攀升。
不過,與平面式MOSFET相比,目前超接面MOSFET產(chǎn)品價(jià)格仍舊偏高,所以英飛凌所推行的12寸晶圓量產(chǎn)計(jì)畫,無疑將有助進(jìn)一步降低超接面MOSFET的生產(chǎn)成本,為該市場(chǎng)的起飛預(yù)先作好準(zhǔn)備。詹啟祥分析,盡管目前傳統(tǒng)平面式MOSFET的市場(chǎng)規(guī)模仍占大宗,但未來超接面MOSFET方案將會(huì)快速放量成長(zhǎng),兩者將呈現(xiàn)明顯的消長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。
位于奧地利菲拉赫(Villach)的英飛凌奧地利分公司,是英飛凌極為重要的研發(fā)和制造中心,規(guī)模僅次于德國(guó)總部與馬來西亞分公司,主要專精于應(yīng)用在汽車和工業(yè)暨多重市場(chǎng)的能源效率方案開發(fā),致力以低轉(zhuǎn)換損失的功率半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)的微型化和高能效發(fā)展;此外,感測(cè)器和非接觸式安全晶片亦是另一研發(fā)重點(diǎn)。
詹啟祥強(qiáng)調(diào),歷經(jīng)有線與無線事業(yè)部門的切割后,現(xiàn)今的英飛凌已處于最佳的發(fā)展?fàn)顟B(tài),產(chǎn)品組合也更為聚焦,尤其是功率半導(dǎo)體、絕緣柵雙極電晶體(IGBT)及碳化矽(SiC)蕭特基二極體等方案,更是該公司最自豪的獨(dú)特優(yōu)勢(shì),對(duì)汽車和工業(yè)暨多重市場(chǎng)的拓展,將是莫大的助益。
長(zhǎng)期以來,英飛凌在功率半導(dǎo)體市場(chǎng)即備受肯定。根據(jù)IMSResearch日前公布的最新研究顯示,盡管2009年經(jīng)濟(jì)情勢(shì)惡劣,但英飛凌在功率半導(dǎo)體和模組市場(chǎng)的占有率仍創(chuàng)下連續(xù)7年成長(zhǎng)的新紀(jì)錄,達(dá)10.7%,除站上歐洲、中東和非洲(EMEA)地區(qū)市場(chǎng)龍頭位置外,在北美、南美和亞洲等市場(chǎng)占有率也都明顯上揚(yáng)。
詹啟祥表示,近年來臺(tái)灣業(yè)者積極投入電動(dòng)車、太陽(yáng)能與風(fēng)力發(fā)電等領(lǐng)域,更是英飛凌一展身手的大好時(shí)機(jī),尤其該公司藉由和許多汽車和綠色能源的相關(guān)大廠合作多年,已累積豐富的開發(fā)經(jīng)驗(yàn),因此可協(xié)助臺(tái)灣客戶突破技術(shù)瓶頸,進(jìn)一步提升產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力,在國(guó)際市場(chǎng)上取得一席之地。
據(jù)了解,英飛凌2010年會(huì)計(jì)年度的研發(fā)費(fèi)用高達(dá)3億9,900萬歐元,占總體營(yíng)收比重的25%,較2009年會(huì)計(jì)年度的1億9,500萬歐元(占總營(yíng)收約22%)大幅攀升。