韓國(guó)稱較早提出3D晶體管技術(shù)專(zhuān)利申請(qǐng)

 據(jù)韓國(guó)電子新聞報(bào)導(dǎo)，日前英特爾(Intel)宣布領(lǐng)先全球開(kāi)發(fā)出的3D晶體管制程技術(shù)，韓國(guó)研究團(tuán)隊(duì)早已開(kāi)發(fā)完成。韓國(guó)向美國(guó)提出技術(shù)專(zhuān)利申請(qǐng)時(shí)間較英特爾早約10天，若受審核為同樣的技術(shù)，韓國(guó)將可獲得龐大的專(zhuān)利權(quán)使用收入。

首爾大學(xué)電機(jī)工程學(xué)系教授李鍾浩(譯名)表示，在韓國(guó)及美國(guó)持有與英特爾發(fā)表的3D晶體管制程技術(shù)tri-gate MOSFET相同的bulk FinFET相關(guān)技術(shù)專(zhuān)利。他表示，2項(xiàng)技術(shù)只有名稱不同，但應(yīng)用的方式是相同的。

李鍾浩表示，從英特爾目前為止公開(kāi)的資料來(lái)看，與韓國(guó)持有的專(zhuān)利技術(shù)完全相同，相關(guān)技術(shù)韓國(guó)已取得韓國(guó)境內(nèi)及美國(guó)的專(zhuān)利權(quán)，并發(fā)表60多篇論文，在技術(shù)方面是已得到驗(yàn)證的事實(shí)。

bulk FinFET技術(shù)2002年1月30日已在韓國(guó)申請(qǐng)專(zhuān)利，且于2003年8月成功登錄專(zhuān)利，接著2003年2月4日向美國(guó)申請(qǐng)專(zhuān)利，并于2年后的2005年4月26日完成登錄，而英特爾則在晚李鍾浩10天的2003年2月14日，才提出tri-gate MOSFET專(zhuān)利申請(qǐng)。

英特爾發(fā)表的3D墊晶體制程技術(shù)可增加晶體管通道數(shù)量，增加電流量，電流流失與目前的2D晶體管相比顯著減少，大幅提升其效率。此外，此3D晶體管技術(shù)也適合用在微細(xì)制程，提升芯片集積度。

英特爾計(jì)劃將該計(jì)數(shù)應(yīng)用在22納米量產(chǎn)制程中，進(jìn)入行動(dòng)裝置芯片市場(chǎng)。行動(dòng)芯片需求持續(xù)增加，李鍾浩的專(zhuān)利技術(shù)若審核后確定為同樣的技術(shù)，將可獲得數(shù)量龐大的專(zhuān)利金。

bulk FinFET技術(shù)的美國(guó)專(zhuān)利及發(fā)明者皆登錄為李鍾浩，專(zhuān)利權(quán)則由專(zhuān)利營(yíng)銷(xiāo)專(zhuān)門(mén)公司PNIB所持有，此外，該技術(shù)相關(guān)的多數(shù)應(yīng)用技術(shù)也由李鍾浩及其所屬的首爾大學(xué)共同持有。李鍾浩當(dāng)時(shí)提出相關(guān)技術(shù)專(zhuān)利申請(qǐng)后，曾邀請(qǐng)韓國(guó)企業(yè)進(jìn)行共同開(kāi)發(fā)，然當(dāng)時(shí)因技術(shù)不具商業(yè)性為由遭拒。

李鍾浩表示，先申請(qǐng)專(zhuān)利者可獲得專(zhuān)利權(quán)法保護(hù)，而經(jīng)過(guò)確認(rèn)后，確實(shí)比英特爾更早提出專(zhuān)利申請(qǐng)，應(yīng)沒(méi)有其它問(wèn)題。為取得美國(guó)專(zhuān)利權(quán)保護(hù)，將會(huì)以英特爾為對(duì)象，與PNIB共同進(jìn)入相關(guān)法律程序。