華潤(rùn)上華成功開發(fā)600V和1700V IGBT工藝平臺(tái)

華潤(rùn)微電子有限公司旗下的華潤(rùn)上華科技有限公司（后簡(jiǎn)稱“華潤(rùn)上華”）宣布已開發(fā)完成600V和1700V Planar NPT IGBT（平面非穿通型絕緣柵雙極晶體管）以及600V Trench PT IGBT（溝槽穿通型絕緣柵雙極晶體管）工藝平臺(tái)，各項(xiàng)參數(shù)均達(dá)到設(shè)計(jì)要求，并順利通過(guò)可靠性考核。加上去年成功量產(chǎn)的1200V Planar 和Trench NPT工藝平臺(tái)，華潤(rùn)上華已成為國(guó)內(nèi)首家具備包含前道和背面工藝的全套600V/1200V/1700V NPT IGBT加工能力的代工廠。

華潤(rùn)上華已具備60μm以上的IGBT薄片加工能力。此次開發(fā)量產(chǎn)的600V Planar NPT IGBT工藝產(chǎn)品，其背面減薄后圓片厚度僅100μm。該工藝產(chǎn)品主要應(yīng)用于UPS系統(tǒng)(不間斷電源)、太陽(yáng)能逆變器、變頻家電、工業(yè)變頻驅(qū)動(dòng)和電焊機(jī)等市場(chǎng)。華潤(rùn)上華的1700V Planar NPT IGBT工藝平臺(tái)更解決了高壓IGBT存在的高溫漏電問(wèn)題，產(chǎn)品主要應(yīng)用于變頻器、風(fēng)力變流器和智能電網(wǎng)等市場(chǎng)。

華潤(rùn)上華IGBT工藝平臺(tái)的布局立足于滿足節(jié)能減排的需求，支持中國(guó)在十二五期間新能源政策如太陽(yáng)能發(fā)電和風(fēng)能發(fā)電以及智能電網(wǎng)的發(fā)展，同時(shí)切合國(guó)內(nèi)電焊機(jī)、變頻器、UPS等巨大的市場(chǎng)需求。華潤(rùn)上華近兩年在IGBT工藝平臺(tái)的布局已經(jīng)取得不少豐碩成果。1200V Planar 和Trench NPT IGBT已于2011年初量產(chǎn)；600V Trench PT 以及600V 和1700V Planar NPT IGBT平臺(tái)已于近期開發(fā)完成；2500V Planar NPT IGBT的靜態(tài)參數(shù)和動(dòng)態(tài)參數(shù)已經(jīng)達(dá)到設(shè)計(jì)目標(biāo)，并通過(guò)預(yù)考核。同時(shí)，600V 和 1700V Trench NPT IGBT、3300V/4500V Planar FS IGBT靜態(tài)參數(shù)DC如V(BR)CES 和VCE(on) 也已經(jīng)達(dá)到預(yù)期結(jié)果。

華潤(rùn)上華作為國(guó)內(nèi)首家以晶圓代工模式立足中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)的產(chǎn)業(yè)先鋒，自2005年DMOS工藝量產(chǎn)以來(lái)，成功開發(fā)了量產(chǎn)6英寸高壓平面柵400-700V MOSFET、6英寸中壓平面柵50-200V MOSFET、8英寸低壓溝槽柵20-40V MOSFET、8英寸中壓溝槽柵50-80V MOSFET等豐富的功率器件工藝平臺(tái)。近兩年在IGBT各類工藝平臺(tái)的開發(fā)成果，使得華潤(rùn)上華在功率器件代工的工藝平臺(tái)更為全面，將進(jìn)一步促進(jìn)國(guó)內(nèi)功率器件產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，提高節(jié)能減排關(guān)鍵部件的國(guó)產(chǎn)化水平和比重。