首件國產(chǎn)高壓IGBT芯片通過鑒定

我國自主研發(fā)的高壓大功率3300V/50A IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)芯片及由此芯片封裝的大功率1200A/3300V IGBT模塊，今天通過專家鑒定。中國自此有了完全自主的IGBT“中國芯”。

由中國北車設(shè)計(jì)開發(fā)的3300V/50A IGBT芯片，是國內(nèi)首件自主設(shè)計(jì)制造的高壓IGBT芯片，邁開了國產(chǎn)IGBT功率“芯臟”替代進(jìn)口的步伐。

IGBT 作為新一代功率半導(dǎo)體器件，具有驅(qū)動容易、控制簡單、開關(guān)頻率高、導(dǎo)通電壓低、通態(tài)電流大、損耗小等優(yōu)點(diǎn)，是自動控制和功率變換的關(guān)鍵核心部件，被廣泛應(yīng)用在軌道交通裝備、電力系統(tǒng)、工業(yè)變頻、風(fēng)電、太陽能、電動汽車和家電產(chǎn)業(yè)中。如在軌道交通領(lǐng)域，牽引傳動系統(tǒng)是動車組、機(jī)車等裝備的核心部件，而 IGBT又是牽引傳動系統(tǒng)的核心部件，是“核心中的核心”。

采用IGBT進(jìn)行功率變換，能夠提高用電效率和用電質(zhì)量，節(jié)能30%以上。

目前中國已經(jīng)成為IGBT的最大消費(fèi)國，年需求量超過75億元，而且每年以30%以上的速度增長。有關(guān)資料預(yù)測，到2020年，軌道交通電力牽引每年IGBT模塊的市場規(guī)模不低于10億元，智能電網(wǎng)不低于4億元。

由于起步較晚、研發(fā)難度大，此前國內(nèi)IGBT芯片設(shè)計(jì)主要集中在民用級1200V IGBT上，工業(yè)級和牽引級的高壓大功率IGBT基本依賴進(jìn)口。中國北車3300V IGBT芯片自主設(shè)計(jì)的成功，填補(bǔ)了這一領(lǐng)域空白。

中國北車3300V IGBT芯片的自主開發(fā)成功，也標(biāo)志著中國北車在高端IGBT領(lǐng)域形成了設(shè)計(jì)制造、模塊封裝完整的產(chǎn)業(yè)鏈。