第三代12V TrenchFET功率MOSFET(Vishay)

日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出具有業(yè)內(nèi)最低導通電阻的新款N溝道MOSFET器件 --- SiR494DP，將該系列的第三代TrenchFET®功率MOSFET的電壓降至12V，同時該器件的導通電阻與柵電荷的乘積也是這種額定電壓的器件當中最低的。

額定電壓12V的SiR494DP在10V和4.5V柵極驅(qū)動下的最大導通電阻分別為1.2mΩ和1.7mΩ。導通電阻與柵電荷的乘積是評價用于DC-DC轉(zhuǎn)換器應用中MOSFET的關(guān)鍵品質(zhì)因數(shù)(FOM)，該器件在4.5V電壓下的柵電荷只有85nC。

與對低傳導損耗和低開關(guān)損耗進行過優(yōu)化的最接近的競爭器件相比，這些指標表明該器件在10V和4.5V下的導通電阻分別減小了40%和35%，F(xiàn)OM降低了29%。更低的導通電阻和柵電荷意味著更低的傳導和開關(guān)損耗。

Vishay Siliconix SiR494DP可用于采用低輸入電壓(5V～3.3V)同步降壓轉(zhuǎn)換器、低輸出電壓(5V，3.3V和更低)OR-ing應用，以及各種采用5V和3.3V輸入電壓負載點(POL)轉(zhuǎn)換器的系統(tǒng)中的低壓側(cè)MOSFET，在這些應用中，新器件的低導通損耗和低開關(guān)損耗將能夠更有效率地使用能源。

對于低輸出電壓的應用，12V的柵源額定電壓恰好夠用，但迄今為止，設計工程師被迫選用20V的器件，尤其是設計者同時需要最低的導通電阻和20V的柵源電壓時。SiR494DP是具有這些特性的首款MOSFET：VDS=12V，VGS=±20V，在10V柵極驅(qū)動下的導通電阻只有1.2mΩ。

新型功率MOSFET采用PowerPAK® SO-8封裝。這款無鉛、無鹵素的器件符合IEC 61249-2-21的要求，符合RoHS Directive 2002/96/EC規(guī)范，并100%通過了Rg和UIS測試。

第三代N溝道TrenchFET家族中其他器件的詳細信息可至http://www.vishay.com/mosfets/trenchfet-gen-iii/查詢。SiR494DP現(xiàn)可提供樣品，并已實現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十周至十二周。