飛兆推出60V PowerTrench MOSFET器件

21ic訊  DC-DC電源、馬達控制、熱插拔和負載開關應用，以及服務器的次級同步整流應用的設計人員，需要使用具有更低傳導損耗和開關損耗的MOSFET器件以期提高設計的效率。

為了滿足這一需求， 飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)開發(fā)出N溝道PowerTrench® MOSFET器件FDMS86500L，該器件經(jīng)專門設計以最大限度地減小傳導損耗和開關節(jié)點振鈴，并提升DC-DC轉(zhuǎn)換器的整體效率。

FDMS86500L是采用行業(yè)標準5mm x 6mm Power 56封裝的器件，它結(jié)合了先進的封裝技術和硅技術，顯著降低了導通阻抗RDS(ON) (2.5mΩ @ VGS = 10V, ID=25A)，實現(xiàn)更低的傳導損耗。

此外，F(xiàn)DMS86500L使用屏蔽柵極功率MOSFET技術，提供極低的開關損耗 (Qgd 14.6 nC Typ.)，結(jié)合該器件的低傳導損耗，可為設計人員提供其所需的更高的功率密度。

FDMS86500L MOSFET器件具有更好的品質(zhì)因數(shù)(RDS(ON) * QG)，提供高效率和低功耗，以期滿足效率標準和法規(guī)的要求。

FDMS86500L器件的其它特性包括采用下一代增強型體二極管技術以實現(xiàn)軟恢復；MSL1穩(wěn)固封裝設計；經(jīng)過100% UIL測試，并符合RoHS標準。

FDMS86500L是飛兆半導體新型60V MOSFET產(chǎn)品系列中的首款器件，這些新型 60V MOSFET器件的推出，進一步強化公司中等電壓MOSFET產(chǎn)品系列。飛兆半導體擁有業(yè)界最廣泛的 MOSFET產(chǎn)品系列，向設計人員提供多種技術選擇，以便為應用挑選合適的MOSFET器件。飛兆半導體充分認識到空間受限的應用場合對電流更高、占位面積更小的DC-DC電源的需求，并且了解客戶及其所服務的市場，因而能夠提供具有獨特功能、工藝和封裝創(chuàng)新組合的量身定做解決方案，實現(xiàn)電子設計差異化。

價格(訂購1,000個):
FDMS86500L 的單價為0.90美元

供貨: 現(xiàn)提供樣品

交貨期 ：收到訂單后8至10周