IR推出創(chuàng)新的電源模塊組件 為DC-DC同步降壓應(yīng)用提供行業(yè)領(lǐng)先的功率密度

21ic訊 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日推出首套創(chuàng)新的電源模塊組件系列產(chǎn)品—— IRFH4251D和IRFH4253D，適用于DC-DC同步降壓應(yīng)用，包括先進的電信和網(wǎng)絡(luò)通訊設(shè)備、服務(wù)器、顯卡、臺式電腦、超極本 (Ultrabook) 和筆記本電腦等。

新款25V IRFH4251D和IRFH4253D采用IR的新一代硅技術(shù)和嶄新的5x6 mm PQFN封裝，提供功率密度的新標準。全新電源模塊組件配有高度集成的單片式FETKY®，其創(chuàng)新的封裝采用頂尖的翻模 (flipped-die) 技術(shù)，可以將同步MOSFET源直接連接到電路板的地線層以實現(xiàn)有效散熱。由于具有更強的散熱性能和功率密度，任何一個采用5x6 mm封裝的新組件都可以替換采用5x6 mm封裝的兩個標準獨立組件。全新封裝還采用已在PowIRStage和SupIRBuck中廣泛使用的IR專利技術(shù)單銅夾，以及經(jīng)過優(yōu)化的布線，有助于大幅減少雜散電感以降低峰值鳴震，這樣設(shè)計師就可以用25V MOSFET代替效率較低的30V組件。

IR亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“IRFH4251D和IRFH4253D電源模塊組件采用頂級的硅技術(shù)和突破性封裝，具有多項嶄新功能，為高性能DC-DC開關(guān)應(yīng)用提供行業(yè)領(lǐng)先的功率密度。這些組件采用更高效的布線，必可樹立DC-DC雙MOSFET的行業(yè)新標準。”

IRFH4251D和IRFH4253D針對5V柵極驅(qū)動應(yīng)用進行了優(yōu)化，可與各種控制器或驅(qū)動器結(jié)合使用，從而帶來設(shè)計的靈活性，與采用兩個分立式30V功率MOSFET的同類方案相比，能以較小的占位面積實現(xiàn)更高的電流、效率和頻率。

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