變換器型開(kāi)關(guān)電源負(fù)載效應(yīng)簡(jiǎn)析
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1 前言
由市電供電的變換器型開(kāi)關(guān)電源具有隔離功能。這類(lèi)電源使用多了,就會(huì)發(fā)現(xiàn):盡管它們電路結(jié)構(gòu)不同,性能差異也大,然而它們的負(fù)載效應(yīng)總是劣于源電壓效應(yīng)。本文對(duì)這一問(wèn)題進(jìn)行簡(jiǎn)析。
2 電壓控制型變換器式開(kāi)關(guān)電源
2.1 整體電路結(jié)構(gòu)框圖
通常的電壓控制型變換器式開(kāi)關(guān)電源的電路結(jié)構(gòu)如圖1所示。市電經(jīng)整流濾波環(huán)節(jié)進(jìn)入變換器后,再經(jīng)高頻整流濾波器至輸出端負(fù)載。負(fù)載端電壓經(jīng)反饋誤差放大器放大,回饋到PWM環(huán)節(jié),進(jìn)而調(diào)節(jié)變換器的輸出脈寬,以穩(wěn)定負(fù)載端電壓。
2.2 負(fù)載調(diào)整率估算
2.2.1 梗概計(jì)算
由市電供電的變換器型開(kāi)關(guān)電源,其源電壓效應(yīng)通常都優(yōu)于負(fù)載效應(yīng)。負(fù)載調(diào)整率可以用式(1)表示 。
(1)
式中:△Uoi—加額定負(fù)載電流時(shí)在輸出端產(chǎn)生的電壓降落(V);
Uo—開(kāi)關(guān)電源空載時(shí)的額定輸出電壓(V);
K—誤差放大器的電壓放大倍數(shù)。
2.2.2 開(kāi)關(guān)電源負(fù)載波動(dòng)時(shí)整流濾波電壓的波動(dòng)
從開(kāi)關(guān)電源負(fù)載電流由零到額定負(fù)載時(shí),工頻整流濾波直流電壓E隨之衰減,衰減值
△E的百分比與濾波電容容量和負(fù)載大小有關(guān),可參照橋式整流輸出電壓E/Um與ωCRL關(guān)系曲線予以估算(見(jiàn)圖2)。
圖中: E —整流濾波電壓平均值(V),E=Y1×1.4142Ui;
Y1—左邊縱坐標(biāo)數(shù)值;
Um—整流電壓峰值(V), Um=1.4142Ui;
Ui—電網(wǎng)電壓(V);
Y2—右邊縱坐標(biāo)數(shù)值;
Rn—包括電網(wǎng)和整流管正向壓降等在內(nèi)的整流濾波電路的總內(nèi)阻(Ω);
Rl—實(shí)際負(fù)載電阻(Ω);
ω—電網(wǎng)角頻率,ω=2πf(弧度);
f——電網(wǎng)頻率,(Hz);
C—濾波電容容量(F)。
不難看出,總內(nèi)阻Rn越大,實(shí)際輸出的整流濾波電壓E的衰減比例也越大,曲線也就越往下面移。
小功率變換器式開(kāi)關(guān)電源在額定負(fù)載時(shí),(Rn/Rl) ≈0.005;空載時(shí)(Rn/Rl) ≈0.002。查圖2相應(yīng)曲線,可得兩種狀態(tài)的E值之差△E≈E(2.0~3.0)%。
2.2.3 變換器中變壓器原邊電阻的影響
考慮到開(kāi)關(guān)電源的效率和體積,變換器中的變壓器盡量選擇小型化,繞組漆包線也要相應(yīng)細(xì)一些,因此繞組電阻也較大;當(dāng)流過(guò)較大電流時(shí),繞組就會(huì)產(chǎn)生較大壓降(銅損),影響負(fù)載調(diào)整率。原邊繞組的電阻值用Rw1表示。
2.2.4 變換器中功率MOSFET漏-源極間的電壓降波動(dòng)
小功率變換器中功率MOSFET的導(dǎo)通電阻RON較大,可達(dá)10Ω以上,當(dāng)開(kāi)關(guān)電源負(fù)載波動(dòng)時(shí),必然引發(fā)功率MOSFET的壓降波動(dòng),這同樣影響著負(fù)載調(diào)整率。
2.2.5 變壓器副邊繞組電阻和高頻整流管壓降隨負(fù)載波動(dòng)而波動(dòng)
這是不言而喻的,副邊繞組電阻用Rw3表示,高頻整流管壓降用VD表示。[!--empirenews.page--]
2.2.6 輸出電壓的綜合變化
將以上對(duì)負(fù)載調(diào)整率有明顯影響的四項(xiàng)加起來(lái),可列出通常變換器型開(kāi)關(guān)電源開(kāi)環(huán)狀態(tài)下的輸出電壓變化
(2)
式中:△E—負(fù)載電流由零到額定負(fù)載時(shí),工頻整流濾波直流電壓E衰減百分比,可按橋式整流電容濾波 輸出電壓E與ωRLC關(guān)系曲線估量(見(jiàn)圖2);
N2/N1—變壓器T1原邊與副邊繞組之變比;
IO—輸出額定電流(A);
RON——-功率開(kāi)關(guān)管的導(dǎo)通電阻(Ω);
RT1——-變壓器的內(nèi)阻(Ω);
VD——-輸出端整流管的壓降(V)。
變壓器的內(nèi)阻
(3)
式中: RW1—繞組W1反射到W3的電阻(Ω);
RW3—繞組W3的電阻(Ω)。
將式(3)分別帶入式(2)和式(1),整理后得電流調(diào)整率
(4)
式中 K=10~100。按(4)式估算,可得出電流調(diào)整率Si至少大于1%,有時(shí)甚至可達(dá)10%以上。
2.3 電壓調(diào)整率估算
電壓調(diào)整率通常按負(fù)載不變情況下,源電壓波動(dòng)10%來(lái)測(cè)試。由于負(fù)載不變,源電壓波動(dòng)多少,輸出電壓也就同比例變化。設(shè)Ui變化10%時(shí),輸出直流電壓Uo也會(huì)變化10%。
電壓調(diào)整率可用式(5)表示。
(5)
若按K=50計(jì)算,得Su≈0.2%。
2.4 負(fù)載調(diào)整率與電壓調(diào)整率的比較
計(jì)算與實(shí)踐均表明,式(4)中的分子項(xiàng)目眾多,其數(shù)值遠(yuǎn)大于(5)式中的分子,故有Si>>Su ,即負(fù)載調(diào)整率大大劣于電壓調(diào)整率。在由市電供電的變換器型開(kāi)關(guān)電源中,都存在這樣的規(guī)律。
3 采用VIPer22A的電流控制型變換器的開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源
3.1 整體電路結(jié)構(gòu)框圖
采用VIPer22A的電流控制型變換器式開(kāi)關(guān)電源的電路結(jié)構(gòu)如圖3所示。市電經(jīng)整流濾波環(huán)節(jié)進(jìn)入變壓器和VIPer22A模塊后,將直流電變換成脈寬可調(diào)的高頻電,再經(jīng)高頻整流濾波器至輸出端負(fù)載。負(fù)載端電壓經(jīng)反饋誤差放大器放大,回饋到VIPer22A反饋端,進(jìn)而調(diào)節(jié)變換器的輸出脈寬,以穩(wěn)定負(fù)載端電壓。
圖3 VIPer22A電流控制型功率變換器式開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源的電路結(jié)構(gòu)框圖
3.2 電壓調(diào)整率極優(yōu)
當(dāng)市電AC220V出現(xiàn)波動(dòng)時(shí),變壓器原邊繞組中的電流幅值也會(huì)相應(yīng)變化,立即顯現(xiàn)到芯片內(nèi)取樣電阻RS上,過(guò)電流比較器即調(diào)節(jié)PWM脈寬,相應(yīng)調(diào)節(jié)輸出電壓。該過(guò)程在整個(gè)穩(wěn)壓過(guò)程中,起著絕對(duì)主導(dǎo)作用。與此同時(shí),外環(huán)的誤差放大器也參與運(yùn)作,使圖4所示的VIPer22A芯片F(xiàn)B端(3腳)輸入電流變化,調(diào)節(jié)功率MOSFET的柵極脈寬反向變化,從而將輸出電壓最大限度地恢復(fù)到外電壓波動(dòng)前的數(shù)值上。即源電壓的波動(dòng),得到了增益很大的一階電路電流控制模式的及時(shí)應(yīng)對(duì),就將源電壓效應(yīng)提升到優(yōu)于0.01%的程度。[!--empirenews.page--]
當(dāng)然,圖3外環(huán)的電壓控制工作模式也參與應(yīng)對(duì)市電的波動(dòng),但作用遠(yuǎn)小于電流控制模式,響應(yīng)速度也較低。
3.3 負(fù)載調(diào)整率
3.3.1 VIPer22A電流控制,將負(fù)載波動(dòng)所引起的E值波動(dòng)影響平抑到可以忽略不計(jì)
雖然負(fù)載波動(dòng)時(shí),市電整流濾波后所得的直流電壓E也會(huì)相應(yīng)波動(dòng),但在VIPer22A內(nèi)部有閉環(huán)的電流控制,不論是市電波動(dòng)還是整流濾波后的直流電壓波動(dòng),都會(huì)引發(fā)VIPer22A內(nèi)部功率MOSFET的漏極電流的波動(dòng),采樣電阻RS上的壓降隨之改變,并及時(shí)調(diào)節(jié)PWM脈寬,應(yīng)對(duì)整流濾波后的直流電壓波動(dòng),確保輸出電壓的穩(wěn)定。這時(shí)的調(diào)節(jié)精度相當(dāng)于VIPer22A的電壓調(diào)整率,即0.01%。這樣高的調(diào)節(jié)精度,近似于整流濾波后的直流電壓沒(méi)有波動(dòng)。
3.3.2 VIPer22A電流控制將負(fù)載波動(dòng)對(duì)高頻變壓器原邊電流影響平抑到可以忽略不計(jì)
當(dāng)市電電壓不變,負(fù)載波動(dòng)時(shí),W1繞組電流相應(yīng)波動(dòng),圖2中過(guò)電流比較器的同相輸入端電壓也相應(yīng)變化,并及時(shí)調(diào)節(jié)脈寬,同樣保有優(yōu)于0.01%穩(wěn)定精度。
3.3.3 VIPer22A電流控制將負(fù)載波動(dòng)對(duì)功率MOSFET上的電壓影響降至可以忽略不計(jì)
功率MOSFET漏-源極間的導(dǎo)通電阻為15Ω,負(fù)載波動(dòng)所引起的功率MOSFET漏-源極間的電壓降波動(dòng),必然引發(fā)取樣電阻RS上的電流和電壓波動(dòng)。VIPer22A內(nèi)部的電流控制將這種波動(dòng)反饋到過(guò)電流比較器的反相輸入端,內(nèi)環(huán)控制PWM,將影響降至最低,確保輸出電壓的穩(wěn)定,調(diào)整精度也是優(yōu)于0.01%。即VIPer22A內(nèi)環(huán)的電流控制將變壓器副邊以前的所有電流波動(dòng)所產(chǎn)生的影響降至微乎其微。
3.3.4 低負(fù)荷條件下的自動(dòng)間歇工作模式進(jìn)一步優(yōu)化了負(fù)載調(diào)整率
VIPer22A芯片還具有低負(fù)荷條件下的自動(dòng)間歇工作模式,當(dāng)開(kāi)關(guān)電源空載或是流過(guò)功率MOSFET的漏極電流小于或等于極限值的12%—約為85mA(峰值)時(shí),芯片N1會(huì)自動(dòng)進(jìn)入間歇工作狀態(tài),既保證低負(fù)載時(shí)的正常運(yùn)行,又可以降低整機(jī)功耗,抑制了輕載時(shí)的輸出電壓上升,其負(fù)載調(diào)整率得到進(jìn)一步優(yōu)化,顯著地勝過(guò)電壓控制型變換器式開(kāi)關(guān)電源。
3.3.4 以上4項(xiàng)措施均封裝在器件內(nèi)部,將VIPer22A變換器型開(kāi)關(guān)電源的負(fù)載調(diào)整率大大優(yōu)化
(4)式中分子的第一大項(xiàng)重列于式(6),其數(shù)值很大,在分子中占據(jù)大的比例。
(6)
但在VIPer22A器件中,這個(gè)量通過(guò)內(nèi)環(huán)的高精度調(diào)節(jié),使其對(duì)負(fù)載調(diào)整率的總體影響降到很低,大大優(yōu)于(4)式分子的后兩項(xiàng),即在估算負(fù)載調(diào)整率時(shí),(6)式所得參數(shù),在現(xiàn)在條件下可以不予考慮。故得出VIPer22A的變換器型開(kāi)關(guān)電源的負(fù)載調(diào)整率的近似公式為
將實(shí)際數(shù)值帶入(7)式,可得VIPer22A電源的負(fù)載調(diào)整率明顯優(yōu)于1%,仍大大劣于它自身的電壓調(diào)整率0.01%。但卻大大優(yōu)于電壓型調(diào)節(jié)的變換器式開(kāi)關(guān)電源。
3.3.5 外環(huán)的電壓控制模式也參與穩(wěn)定負(fù)載變化所引起的輸出電壓波動(dòng)
與此同時(shí),負(fù)載波動(dòng)時(shí),W3繞組及其輸出端電壓也有波動(dòng),所以處于芯片外環(huán)的電壓控制模式投入運(yùn)行應(yīng)對(duì),這像一般電壓控制型開(kāi)關(guān)電源一樣,也用以保持輸出電壓穩(wěn)定,但精度與響應(yīng)速度都劣于內(nèi)環(huán)。[!--empirenews.page--]
3.3.6 VIPer22A負(fù)載效應(yīng)優(yōu)于電壓控制型開(kāi)關(guān)電源,但仍劣于自身的源電壓效應(yīng)
市電供電的變換器型開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器,其源電壓效應(yīng)優(yōu)于負(fù)載效應(yīng)是一規(guī)律。VIPer22A電源負(fù)載效應(yīng)雖優(yōu)于普通變換器電壓控制型開(kāi)關(guān)電源,但也劣于自身的源電壓效應(yīng),未超越這一規(guī)律。
4 結(jié)論
從以上簡(jiǎn)析可以看出,在變換器型開(kāi)關(guān)電源中,與電壓控制型相比VIPer22A電流控制型開(kāi)關(guān)電源,其電壓調(diào)整率獲得了數(shù)量級(jí)的優(yōu)化。負(fù)載調(diào)整率也有顯著改善,但仍大大劣于自身的電壓調(diào)整率。在現(xiàn)有條件下,在不犧牲其它技術(shù)指標(biāo)的情況下,要進(jìn)一步優(yōu)化負(fù)載調(diào)整率難度很大。但隨著科學(xué)技術(shù)的進(jìn)步,導(dǎo)電導(dǎo)磁材料和元器件性能不斷提高,相信進(jìn)一步優(yōu)化負(fù)載調(diào)整率也是意料中的事。
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[3] VIPer22ADIP/VIPer22AS LOW POWER OFF LINE SMPS PRIMARY SWITCHER